SI4459ADY-T1-GE3 MOS管资料

VISHAY > MOS管

制造商Vishay

产品种类MOSFET

技术Si

安装风格SMD/SMT

封装/箱体SO-8-8

通道数量1Channel

晶体管极性P-Channel

Vds-漏源极击穿电压-30V

Id-连续漏极电流-29A

RdsOn-漏源导通电阻5mOhms

Vgsth-栅源极阈值电压-1V

Vgs-栅极-源极电压-10V

Qg-栅极电荷129nC

最小工作温度-55C

最大工作温度+150C

配置Single

Pd-功率耗散7.8W

通道模式Enhancement

商标名TrenchFET

封装CutTape

封装Reel

系列SI4

晶体管类型1P-Channel

商标Vishay/Siliconix

正向跨导-最小值24S

下降时间20ns

产品类型MOSFET

上升时间16ns

工厂包装数量2500

子类别MOSFETs

典型关闭延迟时间80ns

典型接通延迟时间16ns

零件号别名SI4459ADY-GE3

单位重量187mg

更多资料欢迎查看http://www.dzsc.com/ic-detail/9_381.html

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