基于MOS的防反接电路
防反接电路一般用于电源入口处,在电源反接时,保证电源入口之后的电路不会受到损害。一般在电源电流较小、对1V左右的压降不敏感时可以使用二极管进行防反接。防反接的形式有直接在正极串联二极管(如图1),或使用整流桥的方式(如图2),但这两种方式均存在:1、存在二极管的管压降;2、过大电流时,二极管消耗的功率大,发热严重。这两个问题。
图 1 二极管防反接电路
图 2 整流管防反接电路
1、基于NMOS的防反接电路
基于NMOS的防反接电路如图3所示,注意以下几点:
NMOS用于控制电源负极;
NMOS的漏极D接输入电源负极,NMOS的源极S接板内电源负极;
当电源正接时,上电初期,Vs=Vg=Vin,由于NMOS寄生二极管的存在,NMOS的漏极与源极导通,Vs=Vd+0.7V,而Vd=GND,故Vs=0.7V左右,Vgs=Vin-Vd6,选型合理的话,Vgs>Vth,故NMOS导通。导通后,设通过电流为I,NMOS的导通阻抗为Rds(on),则板内地平面与输入电源平面之间存在的压降为△V=I*Rds(on)。故使用NMOS进行防反接时需要关注由于导通阻抗带来的回流问题。
图 3 基于NMOS的防反接电路
电源正接时仿真原理图如图4所示,仿真波形如图5所示,从图中可以看出,电源上电后,NMOS即导通,但NMOS上存在0.9V左右的压降(Rds(on)≈0.25ohm)。
图 4 NMOS防反接电路仿真原理图
图 5 电源正接仿真输出波形
电源反接时仿真电路如图6所示,仿真波形如图7所示,从图中可以看出,反接后,板内电路中没有电流流过,电路不接通。
图 6 电源反接时仿真电路图
图 7 电源反接时仿真波形
需注意的是:NMOS的VDS应当满足最高反向电压的电压要求,否则寄生二极管可能被击穿。
2.基于PMOS的防反接电路
当希望板内电源的负极与电源入口的负极直接接通时,可以使用PMOS防反接电路,电路图如图8所示,由于寄生二极管的存在,当电源正接时,Vs=Vd-0.7V,此时D7被击穿,故Vgs<Vth,从而PMOS接通。当入口电源反接时,Vs=Vg,故PMOS不接通。
图 8 基于PMOS的电源防反接原理图
电源正接时仿真原理图及波形分别如图9、10所示,从图中可以看出,正接时电源上电瞬间PMOS正常接通,但由于Rds(on)的分压,导致板内电源电压相比入口电压有所降低,降低幅度为Rds(on)*I。
图 9 电源正接时PMOS仿真原理图
图 10 电源正接时PMOS仿真波形
当电源反接时,电路原理图及仿真波形分别如图11、12所示,从图中可以看出,反接后没有电流流过,即电路未接通。
图 11 电源反接时PMOS原理图
图 12 电源反接时PMOS仿真波形
使用PMOS时需要注意:
PMOS的VDS应当满足最高反向电压的电压要求,否则寄生二极管可能被击穿;
PMOS的Rds(on)带来的压降会导致电源电压降低,降低幅度是否可以满足要求。
无论是使用PMOS还是NMOS,均需注意大功率时MOS上的发热问题。
参考:
单片机嵌入式爱好者——直流电源输入防反接保护电路总结
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