SDRAM学习（二）——自动刷新，读写操作

一、自动刷新
自动刷新由控制器对SDRAM正常操作，需要时钟信号，时序图

自动刷新步骤：
上电即开始–预充电–A10拉高选择all bank–等待tRP后，自动刷新命令–等待tRFc后，第二次自动刷新命令–等待tRFc，自动刷新结束，空操作命令

///自动刷新操作任务,采用线性序列机方法localparam  ref_PRE_TIME = 1'b1,    //预充电时刻ref_REF1_TIME = REF_PRE + 1,    //第一次自动刷新时刻，充电时刻加REF_PRE(tRP选通潜伏期) ref_REF2_TIME = REF_PRE + REF_REF + 1,   //第二次自动刷新时刻，每次刷新后等待tRFcref_END = REF_PRE + REF_REF *2;     //自动刷新结束时刻//自动刷新过程时间计数器always@(posedge clk or negedge rst_n)begin if(!rst_n)ref_cnt <= 16'd0;else if(ref_cnt == ref_END)ref_cnt <= 16'd0;else if(ref_req || ref_cnt>1'b0)ref_cnt <= ref_cnt +16'd1;elseref_cnt <= ref_cnt;end//一次刷新操作完成标志位ref_opt_donealways@(posedge clk or negedge rst_n)beginif(!rst_n)ref_opt_done <= 1'b0;else if(ref_cnt ==ref_END)ref_opt_done <= 1'b1;else ref_opt_done <= 1'b0;end//一次突发写操作过程状态标识信号。ref_req刷新操作时，ref_opt_done拉高，自动刷新操作完成后拉低reg ref_opt;always@(posedge clk or negedge rst_n)beginif(!rst_n)ref_opt <= 1'b0;else if(ref_req ==1'b1)ref_opt <= 1'b1;else if(ref_opt_done == 1'b1)ref_opt <= 1'b0;else ref_opt <= ref_opt;end//自动刷新操作,线性序列机，根据时序图，是在下降沿后发生改变，上升沿时正好能读取到task auto_ref;begincase(ref_cnt)ref_PRE_TIME:begincommand <= C_PRE;         //预充电sa[10] <= 1'b1;         //SDRAM地址总线A0-A10，其中的A10拉高选择all bankendref_REF1_TIME:begincommand <= C_AREF;    //自动刷新endref_REF2_TIME:begincommand <= C_AREF;    //自动刷新endref_END:begin               //结束，空操作命令FF <= 1'b1;               //标记寄存器，拉高command <= C_NOP;enddefault:command <= C_NOP;endcaseendendtask

二、不带自动预充电写操作
时序图：

写操作步骤：
上电–激活行时刻，写操作开始立刻激活命令，激活行、bank–激活后tRCD，写命令，激活列、bank–写命令后经突发长度SC_BL写数据、写数据完成到预充电时间间隔后预充电–预充电后tRP后结束，写操作结束时刻

////一次突发写操作任务,线性序列机方法localparam wr_ACT_TIME = 1'b1;                  //激活行时刻，写操作开始立刻激活wr_WRITE_TIME = SC_RCD +1,                 //写命令时刻，激活到读命令或写命令延时tRCD后写命令wr_PRE_TIME = SC_RCD + SC_BL + WR_PRE + 1,     //预充电时刻，写命令后经突发长度SC_BL写数据、写数据完成到预充电时间间隔后预充电wr_END_TIME = SC_RCD + SC_BL + WR_PRE +REF_PRE;//写操作结束时刻，预充电后tRP后结束//一次突发写操作过程时间计数器always@(posedge clk or negedge rst_n)beginif(!rst_n)wr_cnt <= 16'd0;else if(wr_cnt == wr_END_TIME)     wr_cnt <= 16'd0;else if(wr_req || wr_cnt>1'b0)      //写操作请求或读书开始后读数wr_cnt <= wr_cnt + 16'd1;elsewr_cnt <= 16'd0;end//一次写操作过程完成标志位always@(posedge clk or negedge rst_n)beginif(!rst_n)wr_opt_done <= 1'b0;else if(wr_cnt == wr_END_TIME)wr_opt_done <= 1'b1;elsewr_opt_done <= 1'b0;end//一次突发写操作过程状态标识信号wr_opt，写操作时拉高，写完拉低reg wr_opt;always@(posedge clk or negedge rst_n)beginif(!rst_n)wr_opt <= 1'b0;else if(wr_req == 1'b1)wr_opt <= 1'b1;else if(wr_opt_done == 1'b1)wr_opt <= 1'b0;elsewr_opt <= wr_opt;end//写数据操作，数据写入(改变)时刻有效区间，激活到读命令或写命令延时tRCD后到突发长度8这一段时序数据写入always@(posedge clk or negedge rst_n)beginif(!rst_n)wr_data_vaild <= 1'b0;else if((wr_cnt > SC_RCD)&& (wr_cnt <= SC_RCD + SC_BL))wr_data_vaild <= 1'b1;elsewr_data_vaild <= 1'b0;end//一次突发写操作数据写完成标志位，写完拉高assign wdata_done = (wr_cnt == SC_RCD+SC_BL+1)?1'b1:1'b0;//一次突发写操作任务,类似线性序列机方法task write_data;begincase(wr_cnt)wr_ACT_TIME:begin                 //激活行时刻command <= C_ACT;                //激活命令sa <= raddr_r;             //激活行，SDRAM地址总线读写行地址寄存器 ba <= baddr_r;                  //激活bank，SDRAMBank地址读写bank地址寄存器endwr_WRITE_TIME:begin                //写命令时刻command <= C_WR;             //写命令sa <= {1'b0,caddr_r[8:0]}; //激活列，读写列地址寄存器A0-A9ba <= baddr_r;endwr_PRE_TIME:begin               //预充电时刻command <= C_PRE;          //预充电命令sa[10] <= 1'b1;         //所有bankendwr_END_TIME:begin              //写操作结束时刻command <= C_NOP;       //空命令FF <= 1'b1;                  标记寄存器拉高enddefault:command <= C_NOP;endcaseendendtask    //一次突发读操作任务,线性序列机方法 localparamrd_ACT_TIME  = 1'b1,              //激活行时刻rd_READ_TIME = SC_RCD+1,          //读命令时刻rd_PRE_TIME  = SC_RCD+SC_BL+1,    //预充电时刻rd_END_TIME  = SC_RCD+SC_CL+SC_BL;//读操作结束时刻//一次突发读操作过程时间计数器always@(posedge clk or negedge rst_n)beginif(!rst_n)rd_cnt <= 16'd0;else if(rd_cnt == rd_END_TIME)rd_cnt <= 16'd0;else if(rd_req ||rd_cnt>1'b0)rd_cnt <= rd_cnt + 16'd1;elserd_cnt <= 16'd0;end//一次突发读操作过程完成标志位   always@(posedge clk or negedge rst_n)beginif(!rst_n)rd_opt_done <= 1'b0;else if(rd_cnt == rd_END_TIME)rd_opt_done <= 1'b1;elserd_opt_done <= 1'b0;end//一次突发读操作过程状态标识信号always@(posedge clk or negedge rst_n)beginif(!rst_n)rd_opt <= 1'b0;else if(rd_req == 1'b1)rd_opt <= 1'b1;else if(rd_opt_done == 1'b1)rd_opt <= 1'b0;elserd_opt <= rd_opt;end//一次突发读操作过程中数据读完标志位assign rdata_done = (rd_cnt == rd_END_TIME)?1'b1:1'b0;always@(posedge clk or negedge rst_n)beginif(!rst_n)rd_data_vaild <= 1'b0;else if((rd_cnt > SC_RCD+SC_CL)&&(rd_cnt <= SC_RCD+SC_CL+SC_BL))rd_data_vaild <= 1'b1;elserd_data_vaild <= 1'b0;end//读数据assign rd_data = dq;//一次突发读操作任务,类似线性序列机方法task read_data;begincase(rd_cnt)rd_ACT_TIME:begin              //激活命令Command <= C_ACT;Sa <= raddr_r; Ba <= baddr_r;endrd_READ_TIME:begin            //读命令Command <= C_RD;Sa <= {1'b0,caddr_r[8:0]};Ba <= baddr_r;endrd_PRE_TIME:beginCommand <= C_PRE;         //预充电Sa[10] <= 1'b1;endrd_END_TIME:beginFF <= 1'b1;Command <= C_NOP;enddefault:Command <= C_NOP;endcaseendendtask

三、不带自动预充电读操作
与写操作类似

SDRAM学习（二）——自动刷新，读写操作相关推荐

java app token 失效_请求时token过期自动刷新token操作
1.在开发过程中,我们都会接触到token,token的作用是什么呢?主要的作用就是为了安全,用户登陆时,服务器会随机生成一个有时效性的token,用户的每一次请求都需要携带上token,证明其请求的 ...
Linux学习笔记2-文件读写操作
1.查看执行过的命令(历史文件) 执行过的命令,可以在终端按上下方向键来选择. 用History命令会列出历史命令(只保存最近使用的一千条命令,保存在家目录.bash_history文件)前面是标号, ...
GitHubDesktop:学习:二:(第三次操作)版本回退:成功
目录一.目的 1.1 想知道:GitHubDesktop里面版本回退二.参考 1.1 GitHubDesktop:学习:一:成功:安装和使用 1.10基础的git教程,傻瓜都会用的Github D ...
ballerina 学习二十九数据库操作
ballerina 数据操作也是比较方便的,官方也我们提供了数据操作的抽象,但是我们还是依赖数据库驱动的. 数据库驱动还是jdbc模式的项目准备项目结构 ├── mysql_demo │ ├── ...
数据结构学习(二)——单链表的操作之头插法和尾插法创建链表
http://blog.csdn.net/abclixu123/article/details/8210109 链表也是线性表的一种,与顺序表不同的是,它在内存中不是连续存放的.在C语言中,链表是通过 ...
SDRAM的数据存储实现并对其数据进行读写操作
SDRAM的数据存储实现并对其数据进行读写操作文章目录 SDRAM的数据存储实现并对其数据进行读写操作 1 SDRAM 1.1 简介 1.2 SDRAM结构和原理 1.3 SDRAM块 2 SDRA ...
FLASH的基本原理与读写操作笔记
一.概念: 每个文件对应多个block,每个block对对应多个扇区sector,每个sector对应有多个页. 一般一个扇区(sector)多个页(page) , 一个块 (bank)又有多个扇区 ...
利用FPGA实现简单的sdram的读写操作
没有什么事都是一帆风顺的,学业...让人学会了很多但是又让人难以忘怀...人生路上起起伏伏,并不是真心的付出就可以得到相同的回报,有时候可能还会恰恰相反... 好了,负面情绪就不带给大家了,博主还是来 ...
FPGA中用verilog直接读写操作SDRAM
1 简介 SDRAM 型号为MT48LC32M16A2.SDRAM,英文名是: Synchronous Dynamic Random Access Memory,相较于 SRAM(静态存储器), SD ...

SDRAM学习（二）——自动刷新，读写操作

SDRAM学习（二）——自动刷新，读写操作相关推荐

最新文章

热门文章