【EMC】脉冲群Burst

参考标准
目的
原理
试验等级
试验结果的评定

参考标准

GB/T 17626.4-2018 电磁兼容-试验和测量技术-电快速瞬变脉冲群抗扰度试验

IEC61000-4-4:2012

目的

评估设备的供电电源端口、信号、控制和接地端口在受到电快速脉冲群时的性能

原理

脉冲群发生器的输出阻抗是50欧姆，耦合电容（10±2）nF，也可以使用（100±20）nF的电容替代耦合夹、金属箔或者金属带的分布电容把脉冲群耦合到线路的端子上。

所以，如果EUT的输入阻抗是50欧姆左右时，将耦合到最大功率的干扰。

典型耦合/去耦网络特性：

铁氧体的去耦电感＞100uH ，串联，抑制干扰的通过。
耦合电容 33nF，并联，提供对地通道。

可以尝试使用这两种办法解决脉冲群问题。

试验等级

产品开发时，两种频率5kHz-15ms-300ms和100kHz-0.75ms-300ms，最好都进行测试，进行摸底。

meter使用3级时，则，电源端口和接地端口（PE）2kV-5kHz ，信号端口和控制端口1kV-5kHz。电压电流采集端口当作电源端口。

GB/T 17626.4-2018 附录B 试验等级的选择中，可以看到3级是典型的工业过程设备环境的代表，4级是变电站等这类环境的代表。

试验结果的评定

解决脉冲群问题

1.干扰源：降低干扰

2.传播路径：阻隔路径

3.敏感设备：提高抗干扰能力，使得信号变强

如下：输入是MCU的IO引脚，3.3V电平，100kHz方波，右侧是5V供电的IC，高电平阈值3.5~5V，低电平阈值0~1.5V。

1.当MCU设置为开漏OD模式时，脉冲群干扰到后级IC。

分析：如下图，MCU输出低电平时，信号线到地的阻抗110Ω，如果有干扰，可以导入地平面。但高电平时，噪声传入地平面和电源平面的阻抗较大，有可能因此干扰后级IC。

2、当MCU的IO设置为Push-Pull模式，其高低电平阻抗都将近110欧姆，测试结果良好，如下：

分析：R4=110欧姆，R3=2k时，对于逻辑1（3.5V）的阈值和逻辑0（1.5V）的阈值，信号电平安全裕量不足。

如果保证均衡的安全余量，则，R4=680，R3=2k，如下：

此时的测试结果，由于限流电阻的变大，脉冲群干扰已经干扰后级IC，可以猜想到R4的阻抗阻碍了干扰流入电源和地平面的路径。

单纯使用电阻R1=680、R2=2k分压后，能够保证逻辑1和逻辑0都有0.23V的安全余量，但是噪声传入地平面的阻抗变大。

3、加一个C1=30nF，给噪声提供低阻抗的耦合路径。

此时，信号=3.3V方波，周期500kHz，输出信号的仿真波形，如下：

分析：C1可以提高高电平到4.2V，降低低电平到0.8V。

当信号频率降低为50kHz时，出现信号电平变不规则，加大C1即可。

转载于:https://www.cnblogs.com/isha2088/p/10813923.html

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