非易失性存储器控制器NVMC原理：

芯片选用的是NRF52810--QFAA，其片内的FLASH的分布模式如下：

FLASH的地址范围为0x0000 0000~0x0003 0000，可擦除的地址范围为0x00020000~0x0002FFFF，FLASH一共分为48页，一页有4K的字节，一页包含8块，一块有512字节，注意：该芯片只能按页擦除，不可以按字节擦除。如果在写之前没有擦除的话，将可能出现写入的数据不是你想要的数据。

擦写FLASH的步骤：

规划写入数据的FLASH空间
擦写FLASH页面
写FLASH
读FLASH

写入数据前，需要提前算好需要给数据多少存储空间，（这个要根据代码的实际情况来执行）。

擦写FLASH页面用到的函数为：nrf_nvmc_earse();如下图：

例：nrf_nvmc_earse(0x0002F000); 此时则把2F页面的数据擦写为FF（FLASH页面中的数据只有为FF时，才能往里写入数据）。

写数据的函数为：nrf_nvmc_write_word();如下图：

该函数的形参 address指地址，value指的则是数据。例：

nrf_nvmc_write_word（0x0002F000，0x56）则此时最低位为56，其他的位补0

读FLASH则利用指针进行读FLASH:

例如：首先定义指针变量

char * p；

uint8_t n;

p = *(uint32_t *) 0x0002FFF;

n = *p;

此时则把0x0002F000中的数据读出来赋值给了n。之后如果需要再次在0x0002F000中写入数据的话，就需要先把0x0002F000中的数据擦除之后再写。

参考艾克姆科技的NRF52810的开发板。

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