三极管基础

半导体三极管其实有很多种类型：

• 电子三极管 Triode （俗称电子管的一种）
• 双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）
• J型场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）
• 金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)
• V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）
• 达林顿管（Darlington Tube）
• 晶体闸流管（又称可控硅整流器 Thyristor）
• 绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT，BJT与MOS组合而成的复合管)

但是在一般意义上，三极管指的是“双极型三极管BJT”。

Bipolar Junction Transistor (BJT)

双极结型晶体管BJT，一块半导体基板上的两个PN结将其隔离成基区、发射区和集电区，引出基极、发射极和集电极。

三极管的核心区域就是这两个PN结，根据N区和P区的不同位置，可以分为NPN型三极管和PNP型三极管。

BJT的工艺制造

NPN型三极管的管芯剖面图中，各个区域的尺寸、材料并不相同，掺杂浓度也不相同，这些特点由制造过程中的流程和工艺决定的。

NPN型三极管的工艺制造流程如下（呜呜呜回忆起了考试画过的流程图）：

三极管管芯平面结构的特点：

• 发射区高掺杂、发射结面积很小。发射结为了发射电子，发射区的半导体掺杂浓度需要高于基区的掺杂浓度；
• 基区掺杂浓度低、尺寸薄；
• 集电结掺杂低、面积大。集电区与发射极区掺杂同一性质半导体，且掺杂浓度要比发射极区低，面积大便于收集电子。

总结：
掺杂浓度：发射区＞集电区＞基区；
体积：集电区＞发射区＞基极。

BJT的符号参考

三极管有多种符号，旧型符号通常旁边会有一个“T”注释，新型符号旁边会有“VT”注释。

此处需要注意一种特殊的三极管符号，其集电极处有一个黑点：
该种三极管集电极与圆圈之间用一个黑点相连，表示这种三极管只有两根引脚，第三根引脚集电极就是三极管金属外壳。

BJT的“流控流型”

很多人把三极管的电流流向比喻作水龙头，但是我感觉此类比较方法虽然形象但是还是有失偏颇。

根据基尔霍夫电流定律，很容易得到两种三极管的电流关系：
NPN型三极管：IE=IC+IB；
PNP型三极管：IC=IE+IB。

“BJT是流控流型的半导体，MOS是压控压型半导体。”其实都是根据其内部电子的运动原理进行的定义：

BJT和MOS的工作很类似，有关一个很重要的半导体理论：
当某一极的电压增大，其势垒就会减小，电子更容易流向另一侧。

三极管重点知识

需要熟记于心！熟记于心！

BJT的特性 （※）

1. 流控流型——即用Ib的电流控制Ic上的电流。有b到e电流，c接电源，ce之间也会有电流Ic；
2. 具有放大功能。当工作在线性放大区，Ic电流成倍于Ib电流（约90-100倍，Ic≈100*Ib）；
3. 当Ib≥1mA，认为Rce≈0（电流越大相当于内阻越小），Vce≈0.3V；
4. 当Ib＞1mA，三极管完全打开，起开关作用，Ic≈100mA（取β为100），Vbe=0.7V；
5. 要想让三极管完全导通，Ic无穷大，必须满足Vbe≥0.7V。如果两端的电压小于0.7V，那么三极管就没能完全导通，Ic的电流也就不会最大，有压降Vce，等效于电阻分压。

注：β并不是越大越好。
从管子的集电极到发射极总会产生一有害的漏电流，称为穿透电流 Iceo，它的大小与 β 值近似成正比，β值越大， Iceo 就越大。寄生电流 Iceo不受 Ib 控制，却成为集电极电流 Ic 的一部分， Ic ＝ β*Ib ＋ Iceo 。并且， Iceo 跟温度有密切的关系，温度升高， Iceo 急剧变大，破坏了放大电路工作的稳定性。所以，选择三极管时，并不是 β 越大越好，一般取硅管 β 为 40 ～ 150 ，锗管取 40 ～ 80 。

输入/出特性曲线 In-Out Characteristic Curve

上文提到，三极管存在着两个PN结，而PN结同样是二极管的核心部分。因此可以等效为存在着两个二极管。

集-射点击电压Uce为某一特定值时，基极电流Ib与基-射电压Ube间存在着特定关系，称之为输入特性曲线。

在三极管的输入特性曲线中，当Uce = 0时，可以得到死区电压 Uber。而这一曲线与二极管正向曲线可以说是一模一样。

当Uce增大，曲线向右移动，但是当Uce＞1V后，特征曲线几乎不再向右侧移动。

基极电流Ib不变的情况下，集电极Ic与集-射电压Uce之间的关系曲线称之为“输出特性曲线”。

可以看出，当Vce增大到一定程度之后，Ic的变化很小，甚至基本不变。

BJT三种工作状态 （※）

三种工作状态：截止区、线性放大区、饱和区。

根据逻辑关系，输出特性曲线无论是理解还是绘制，都应该从右到左。（从右到左看法很重要，尤其是分析饱和区的时候）

• 截止区：Ib = 0，Ic = Iceo，Ube < Uber，三极管完全关闭；
• 线性放大区：Ic至于Ib有关，Ic = β*Ib，且Δic = βΔib；小电流微量变化，在大电流上放大表现出来；
• 饱和区：从放大状态进入，到一定程度，Ic不再随着Ib的增加而增加，总电压不变，Ic增大，与电源之间的电阻分压增大，Uce电压减小。从右往左看，拐点出现在不再遵循Ic = β*Ib的时候，Uce 再减小，Ic继续减小，直至0。

根据电压判断工作状态

各大期末考试中常考此类题目。

• 类型一：根据正偏、反偏判断
  注：三极管的正偏和反偏都是根据三极管的PN结来区分的，如果PN电压为正，则正偏，反之反偏。

NPN:
当VC>VB>VE时，即发射极正偏，集电极反偏，三极管处于放大状态；
当VB>VC>VE时，即发射极正偏，集电极正偏，三极管处于饱和状态；
当VB<VE<VC时，即发射极反偏，集电极反偏，三极管处于截止状态；

PNP:
当VE>VB>VC时，即发射极正偏，集电极反偏，三极管处于放大状态；
当VE>VC>VB时，即发射极正偏，集电极正偏，三极管处于饱和状态；
当VB>VE>VC时，即发射极反偏，集电极反向，三极管处于截止状态；

• 类型二：根据电压关系，判断类型、材料、极性，在判断状态

例：1脚为5V，2脚为2V，3脚为1.4V

解：NPN型硅三极管，1脚为c，2脚为b，3脚为e。

分析：因为三极管中be的电压差：硅管为0.6V左右， 锗管0.2V左右 （现在使用的98%都是硅管）。从三个脚的电压大小里，中间的数字的电压就是基极b，与它相差0.6的就是发射极e，另外一个当然就是集电极c了。
如果基极b比发射极e高，就属于NPN型，（在NPN型里，集电极电压最高，发射极最低。反之，如果基极b比发射极e低，就属于PNP型，（在PNP型里，集电极电压最低，发射极最高）。

• 类型三：用万用表判断类别和极性

3. 直接用数字万用表的二极管档位测量：

把万用表打到蜂鸣二极管档，首先用红笔假定三极管的一只引脚为b极，再用黑笔分别角碰其余两只引脚，如果测得两次数据相差不大，且都在600左右，则表明假定是对的，红笔接的就是b极，而且此管为NPN型管。c,e极的判断，在两次测量中黑笔接触的引脚，读书较小的是c极，读数较大的是e极。红笔接b极，当测得的两极数值都不在范围内，则按PNP型管测，PNP型管的判断只须把红黑表笔调换即可，测量方法同上。

三极管主要作用

三极管主要有三种作用：

1. 控制开关作用
2. 电流放大作用
3. 稳压作用

控制开关（※）

主要指的是温度开关、定时器开关等。

注意：NPN型三极管控制接地的引线，PNP型三极管控制接Vcc的引线。

此外，在电路设计中还必须要考虑鲁棒性（鲁棒性主要包括：不能悬空至高阻态、不能在上电的瞬间就是导通的）。

• NPN型开关管：

假设没有R2到地，由于SW的存在，当开关断开的时候三极管的基极悬空，呈高阻态，如果有雷击或者高压静电（10000V），三极管烧毁。

因此三极管基极要接地，电阻R1称为限流电阻（一般为10K），R2称为下拉电阻（一般就选2K）。

• PNP型三极管作开关管：

PNP三极管同样是BE两极之间关系，钳位基极电压0.7V。发射极-基极之间有1mA，EC之间就会放大为100毫安。发射极-集电极E-C管压降0.3V。

PNP可以接在电源上，因为是EB之间控制。必须在B端限流电阻，一般10K，否则内阻小，电流大容易烧毁三极管。而R2为上拉电阻，同样是避免开关断开的时候三极管状态不明、呈高阻态。

P管不能用下拉电阻，否则一直由电流流过，三极管一直呈导通状态。

注意：上拉电阻不是越大越好（一般为2K），要考虑时间常数τ = RC。

从三极管内部结构分析，开关闭合的时候VCC先对Cbe寄生电容充电，寄生电容和上拉电阻等效并联，当此电容两端电压充电到0.7V的时候三极管导通。三极管内近似的二极管电流先增大，电阻减小，将电容和电阻都钳位在0.7V，相当于短路。电容放电的时候，上拉电阻的存在可以加速电荷释放，加快三极管的关断速度，因此上拉电阻又名放电电阻。阻值小的上拉电阻放电时间短，但是会产生很大的功耗。

为了不让开关开断的干扰波影响三极管，就需要——延时滤波电路。

但是开关断开后，只给电容充电到12V，随后马达断开。这段时间有τ = 1K*4.7nF，一开始的4.7微秒，Ic有电流，不符合预期，可能引发火灾。要考虑鲁棒性！

上电的瞬间，如果负载是一个马达，则PNP三极管立马导通，马达会突然转一下。这并不符合鲁棒性的第二点（不能在上电瞬间是导通的）。需要马达同样由开关控制，不造成失误，这样意味着上电瞬间三极管不能导通。

思路：如何在开关闭合、滤波完成之后，能量再导通三极管？
答案：再在前面加一个NPN型三极管！（别忘记NPN的2K下拉电阻）

当NPN型三极管导通的时候，此管的C极为0.3V，PNP型三极管导通（P型管低导通），VCC经过三极管到Ic，导通马达；开关断开，NPN型三极管不导通，PNP型三极管的基极为12V，PNP型三极管关断。

后续，电容C1要放电，不可能让其往后放影响控制，因此要让其向前放电：左侧再加一个PNP型三极管。（设计不断完善…）

• 三极管用作开关管时会可能会被问几个问题：

1. 上拉电阻下拉电阻的解释，以及需要牢记——不论N管P管的电阻都是加在BE之间的。
2. N型三极管可以放在上面吗 or P型三极管可以放在下面吗？
   答案是不可以！以P型管为例：P的e极为0.3V，出于放大区，有一个很大的压降，电流很小，不可能完全作为一个开关管使用。BE在0.7V，Ic没有完全导通，Ib也没有达到饱和区电流，三极管上压降也是有限的，马达电压压降有限，因此用在底下也是不合适的。
3. 既然NPN型三极管和PNP型三极管都可以作为开关管，那么在设计中选用哪个方案？
   根据电路的精简程度选择N管还是P管，可靠？安全？成本？上例中N型用了比较少的元器件，选N型。

电流放大（※）

三极管在模拟电路中，常用于放大，其中三极管放大电路一般分为三种：

• 共射极放大电路
• 共集电极放大电路
• 共基极放大电路

共射极放大电路

主要有以下四个特点：

1、输入信号和输出信号反相；

2、电流增益和电压增益均比其他两种大；

3、一般用作放大电路的中间级；

4、共射极放大器的集电极跟零电位点之间是输出端，接负载电阻。

• 题型一：计算类型——静态工作点、交流分析
  

直流静态工作点Q：
其中VBEQ硅管为0.7V，锗管为0.3V。
IBQ=(VG-VBEQ)/RB;
ICQ=βIBQ；
VCEQ=VG-ICQ*RC

交流分析的关系：
rbe =300+(1+β)（26mv/IE)；
Ri = RB//rbe;
Ro = RC;
Au = Uo/Ui=（RCIBβ）/ IB (RB//rbe)。

• 题型二：考察反向的相位关系
  
  A点与B点反向

• 题型三：询问各个器件的功能

三极管VT：实现电流放大。
集电极直流电源UCC :确保三极管工作在放大状态。
集电极负载电阻RC :将三极管集电极电流的变化转变为电压变化，以实现电压放大。
基极偏置电阻RB :为放大电路提供静态工作点。
耦合电容C1和C2 :隔直流通交流。

共集电极放大电路（电压跟随器）

共集电极放大电路特点是：

1、输入信号与输出信号同相。

2、无电压放大作用，电压增益小于1且接近于1，因此共集电极电路又有“电压跟随器”之称。

3、电流增益高，输入回路中的电流iB<<输出回路中的电流iE和iC。

4、有功率放大作用。

5、适用于作功率放大和阻抗匹配电路。

6、在多级放大器中常被用作缓冲级和输出级。

输入电阻高，可以减小入大电路对信号源（或前级）所取的信号电流。
输出电阻低，可以减小负载变动对电压放大倍数的影响。

共基极放大电路（电流缓冲器 Current Buffer）

共基极放大电路特性：
1、输入信号与输出信号同相；

2、电压增益高；

3、电流增益低（≤1）；

4、功率增益高；

5、适用于高频电路。

共基极放大电路的输入阻抗很小，会使输入信号严重衰减，不适合作为电压放大器。但它的频宽很大，因此通常用来做宽频或高频放大器。在某些场合，共基极放大电路也可以作为“电流缓冲器”（Current Buffer）使用。

高频发射机的典型应用——单管FM无线话筒，它发射的信号，可以在十几米内用FM收音机进行接收。

当对着话筒讲话或唱歌时，话筒MIC产生的音频信号经过R2\C1耦合到三极管VT等元件组成的高频震荡电路中，震荡形成如前面介绍：由于对高频而言。C2是短路的，电路是共基放大电路。从集电极输出的信号经电容C3,C4的分压，加到VT的发射极，由发射极和基极两端输入反馈信号进行放大，从而是震荡维持下去，这时音频信号的输入，使集电极的电压就会发生变化。由于三级管的集电结存在结电容，这个电压的变化，就引起结电容大小的变化，而结电容又是并联在由线圈L和电容C5组成的震荡回路中的，就使得震荡频率随音频信号的变化而变化，频率变化的高频信号再经过电容C6耦合到天线上，有天线向空中发射。

R1是话筒偏置电阻，R3为三极管的偏置电阻，R4为直流反馈电阻，用于稳定工作点。

L用直径0.5mm的漆包线在直径为5mm的圆柱上绕5圈再脱胎而成。

三种放大电路对比

提炼：
共射极放大电路可以放大电压，也可以放大电流；
共集极放大电路只能放大电流；
共基极放大电路只能放大电压。

稳压功能

稳压功能指的是三极管可以组成电源电路，替代稳压模块，降低成本。

12V接入直接会烧掉稳压管，因此需要一个电阻。R1为4K5，因此zener上大于2mA，稳压二极管工作5V6电压形成。

第一个回路通过电阻到稳压管到地；三极管bc两端不通，5V6通过be到负载为第二个回路。IB电流增大，IC电流增大，相当于RCE电阻减小，VCE减小，E极电压增高。当VE=5V，三极管正常导通，CE之间相当于短路。

若射极输出端的电压升高，Vbe压差减小，Ibe电流减小，Ice电流减小，射极输出端E极电压又下降，BE压差大，BE电流大，CE电流大，E极电压又升高。（周而复始，负反馈）

提问：位于三极管左侧的电容C1和右侧的电容C2有什么区别？为什么有的设计只放左端而没有右端？

分析：（如果板子没有太大面积或者走线很近，右边的电容可以不加）
有电源输入和输出端就有电容。一般情况下，Ib电流1mA，Ic电流100mA，三极管稳定。左侧的贴片电容加在了基极，滤波效果可以到达发射极，射极的电流是基极电流100倍。右边电流大，右边电容就大；左边电流小，需要滤波效果也就小，左边就可以变成102，左侧和右侧最终达到的滤波效果其实一样。右边可以不用加，因为左侧稳定了。控制住Ib基极电流很稳，Ic一定很稳。

逻辑设计（同MOS管相似）

三极管的参数

1. 电流放大系数（电流放大倍数）
   分直流和交流放大系数：
   直流也叫做静态电流放大系数，是在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用HFE或β表示。
   交流也叫动态电流放大系数，指在交流状态下的HFE或β；

2. 集电极最大允许耗散功率PCM
   晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。它与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系，晶体管使用时，其实际耗散功率不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。
   PCM小于1W的叫小功率晶体管，1W<PCM<5W的叫中功率晶体管，大于5W的是大功率晶体管。

3. 特征频率
   晶体管的放大系数和工作频率有关，如果超过了工作频率，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。
   晶体管的频率特性主要包括特征频率FT和最高振荡频率FM——
   特征频率：当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能。如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高，放大倍数会下降．fT也可以定义为β=1时的频率。
   小于或者等于3MHZ是低频管，大于或等于30MHZ是高频管，大于3MHZ小于30MHZ是中频管。
   最高振荡频率 FM，只晶体管的功率增益降为1时所对应的频率，通常高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率Fa，而特征频率FT则高于共基极截止频率Fa，低于共集电极截止频率Fβ。

4. 集电极最大电流Icm
   是晶体管集电极所允许通过的最大电流，当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的β值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至损坏。

5. 最大反向电压
   指晶体管在工作时允许施加的最高工作电压，它包括集电极-发射极反向击穿电压、集电极-基极反向击穿电压和发射极-基极反向击穿电压。
   集电极-发射极反向击穿电压指晶体管基极开路时，集电极与发射极之间的最大允许反向电压，是集电极与发射极反向击穿电压，表示临界饱和时的饱和电压，用VCEO或者BVCEO表示。
   集电极-基极反向击穿电压，是发射极开路时，集电极与基极之间的最大允许反向电压，用VCBO或BVCBO表示。
   发射极-基极反向击穿电压，指晶体管的集电极开路时，发射极与基极之间的最大允许反向电压，用VEBO或BVEBO表示。

6. 反向电流
   包括集电极-基极之间的反向电流ICBO和集电极-发射极之间的反向击穿电流ICEO。
   ICBO也叫集电结反向漏电流，是当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流，ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。
   ICEO是当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也叫穿透电流。此值越小，说明晶体管的性能越好。

封装类型

塑料封装是三极管的主流封装形式，其中“TO”（Transistor Outline）和“SOT”（Small Outline Transistor）形式封装最为常见。
对中大功率三极管，集电极明显较粗大甚至以大面积金属电极相连，多处于基极和发射极之间；

对贴片三极管，面向标识时，左为基极，右为发射极，集电极在另一边。

如何选用

通常要通过计算功率来确定采用什么型号的三极管。
也要考虑三极管的性能极限，按“2/3”安全原则选择合适的性能参数。

集极电流IC：
当 IC>ICM集电极最大允许电流时，三极管β值减小，失去放大功能。IC < 2 / 3 * ICM。

集极功率PW：当
PW > PCM 集电极最大允许功率，三极管将烧坏。PW < 2 / 3 * PCM

集-射反向电压UCE：
集/射极间电压UCE＞UBVCEO基极开路集-射反向击穿电压时，三极管产生很大的集电极电流击穿，造成永久性损坏。UCE < 2 / 3 * UBVCEO

工作频率ƒ：
随着工作频率的升高，三极管的放大能力将会下降，对应于β=1 时的频率ƒT叫作三极管的特征频率。ƒ = 15% * ƒT。

随着工作频率的升高，三极管的放大能力将会下降，对应于β=1 时的频率ƒT叫作三极管的特征频率。

体积成本：优先选用贴片式三极管。

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参考资料

1. 三极管符号大全
2. 三极管基础知识
3. 多图详解三极管
4. 三极管参数

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