硬件笔试面试---1
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有些题不完整,是做完题出来回忆记下来的。特别简单的题可以没记,部分题只记了考点。
一、汇顶科技,这个公司在深圳,待遇不错。
1、有源、无源滤波器的区别及各自的优缺点,并画出电路图,写出其传递函数,还要画出幅频响应、相频响应波特图。
2、一个单相桥式整流电路,分析其工作原理。
3、填空题,一个表达式求最后结果,主要考逻辑运算符的优先级。
4、BJT单管放大电路,求其输入输出电阻。(什么组态,忘了)
5、给出一个运算电路图,求输出表达式。(比较简单)
以上是部分题,前面的题都还比较简单,最后一题不好做。
6、设计题:设计一个信号源响应测试仪。已有信号源1Hz------20MHz,幅值1V正弦信号。输入到二端口网络,信号源扫频输入,在输出口测相应频率信号的幅值和相位。要求:幅值、相位精度分别为正负1%、正负10.可选的器件有:12V DC电源、电阻、电容、电感、二极管、三极管、运放、稳压芯片10bitDAC、12bitADC.
(1)\画出测量仪的系统模块框图,并说明每个模块的作用,连接关系。
(2)、画出幅值和相位检测电路,并说明各元件参数选择说明。
二、和利时,硬件笔试
1、电源模块设计中,电源调整率的定义及其计算公式。
2、24MHz的晶振,其温漂为正负100PPM,其正常工作温度为0到75摄氏度,设常温为25摄氏度,计算晶振输出频率范围。
3、RS485如何防护高频干扰,若通信速度较高,选择防护器件时,应注意什么参数。
4、现场总线技术的特点,种类、应用领域。
5、场效应管的特点。
三、烽火通信,硬件笔试
1、原题记不住了,大意是,在端到端时延和数据发送率一定的情况下,帧长,信道利用率和吞吐量的关系。
2、IP地址192.168.1.1属于______类IP地址。
3、UDP协议属于哪个层次的协议。
4、IPV6中,源地址或目的地址的长度为_________。
5、STM-1的信号速率为________Mbit/S。
6、拉曼光放大器中,被放大信号,波长为1550nm ,则泵浦光波长为 ______。
7、传输数字信号需要的带宽比模拟信号_______。
8、三网融合是指:_______________.
9、光纤通信发展的两个方向__________。
10、G652光纤在1310nm~~~~衰减系数________.(这个题记不清了,没学过光通信方面的,所以一点都不懂)
简答题
11、某网络的IP地址为180.6.0.0 子网掩码为255.255.252.0求(1)、子网地址、主机地址各占多少位(2)些网络最多能容纳主机总数(设子网和主机的全0、全1均不用)。
12、阐述交换机和路由器的区别。(当时在考试时,用手机上网抄了一点,结果面试的时候又被问了)
13、无源和有源滤波器的区别。
14、原题记不住了,给出了一个电容三点式谐振回路,计算其谐振频率。
这些题,有的是没学过,完全不会,有的是学过,但忘了或者一直没弄明白、没重视,还有一些非常简单的题没记下来。上面这些题,现在还有好多不会做,大家可以一起讨论。
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八、星网锐捷 硬件笔试
1、在双向总线设计时,当总线没有输出的时候,应该将总线赋值为()
A逻辑0 B逻辑1 C高阻 D不定态
2、如果一个多接口设计电平需要支持LVCMOS33、LVCMOS25和PCI33_3的电平标准,那么在CPLD造型的时候,应该选择芯片的BANK数应该大于等于()
A2 B1 C3 D4
3、CPLD的复位信号低电平有效,那么复位信号在约束处理合理的是()
A端接上拉约束 B端接下拉约束 C端接总线保持约束,外部下拉 D端接悬浮约束,外部下拉
4、能够实现“线与”功能的门电路是()
A与非门 B或非门 C三态输出门 D集电极开路门
5、
6、
7、组合逻辑电路消除竞争冒险的方法有()
A前级加电阻 B在输出端接入滤波电容 C后级加缓冲电路 D屏蔽输入信号的尖峰干扰
8、
9、
10、设计一个四位二进制码的奇偶位发生器(假定采用偶检验码),需要几个异或门()
A 2 B3 C4 D5
11、在计算机存储体系中,缓存的作用是()
A弥补主存的存取速度不足 B缩短主存的读写周期 C减少CPU访问存储次数 D弥补主存容量不足的缺陷
12、计算机系统中的虚拟存储器的地址应是()
A逻辑地址 B物理地址 C间接访问地址 D直接访问地址
13、计算机系统中的外围设备的编址方式有()
A统一编址和独立编址 B直接编址和间接编址 C程序编址和硬件编址 D可骗址和不可编址
14、
15、所谓中断查询,查询的是()
A中断请求信号 B中断标志位 C外中断触发方式控制位 D中断允许控制位
16、负反馈放大电路中,为保证电路不产生自激,需引入补偿技术,为保证经补偿后的放大电路不的带宽不降低,需引入()
A简单电容补偿 B密勒电容补偿 C超前相位补偿 D滞后相位补偿
17、
18、在下图所示的N沟道增强型MOS管的驱动过程中,当MOS管G级与S级之间的电压VGS进入密勒平台前是驱动电压给等效电容()充电的过程,电压VGS进入密勒平台后是驱动电压给等效()充电的过程。
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