20N10-ASEMI中小功率MOS管20N10

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20N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款中小功率MOS管。20N10的脉冲正向电流ISM为60A，连续漏极电流(ID)为20A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N10的功耗(PD)为105W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.12Ω。20N10的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.4V，关断延迟时间(td(off))为40nS，输出电容(Coss)为500pF，其中有3条引线。

20N10参数描述

型号：20N10

封装：TO-220AB

特性：中小功率MOS管

电性参数：20A 100V

栅极阈值电压VGS(TH)：4V

连续漏极电流(ID)：20A

功耗(PD)：105W

二极管正向电压(VSD)：1.4V

静态漏源导通电阻(RDS(ON))：0.12Ω

脉冲正向电流ISM：60A

关断延迟时间(td(off))：40nS

输出电容(Coss)：500pF

贮存温度：-55~+150℃

引线数量：3

20N10属于TO-220AB封装系列。它的本体长度为15.87mm，加引脚长度为28.8mm，宽度为10.16mm，高度为4.7mm，脚间距为2.54mm。

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