sentaurus光电器件仿真笔记（sde部分）（一）
2024-05-13 03:21:46
项目场景：
最近由于项目组做光电器件有流片机会，所以在找了个简单的器件进行仿真实现。
mesh网格策略：
一般的三维器件仿真模拟的网格策略为：
(sdedr:define-refinement-window “W.Global” “Cuboid”
(position -200 -200 0)
(position 200 200 0) ；这一句是限定一个三维的范围，在这个范围内，把器件装进去就可以了。
(sdedr:define-refinement-size "R.Global"3 3 0 0.01 0.01 0) ；这句表示，X和Y方向的最大值为3，最小值为0.01。
(sdedr:define-refinement-function “R.Global” “MaxLenInt” “SiliconCarbide” “SiliconCarbide” 0.01 1.5 “DoubleSide”)
(sdedr:define-refinement-function “R.Global” “MaxLenInt” “SiliconCarbide” “SiO2” 0.01 1.2 “DoubleSide”) ；在材料的交界处最好把网格定义的密一些，在边界处向两边以1.5倍的速率增加。在该次仿真中，使用的网格策略为：
(sdedr:define-refeval-window "RefEvalWin_1" "Rectangle" (position 0 0 0) (position L_sub 2 0) ) ;mesh in contact(sdedr:define-multibox-size "MultiboxDefinition_1" 0.2 0.2 0.05 0.05 1.2 1 )
(sdedr:define-multibox-placement "MultiboxPlacement_1" "MultiboxDefinition_1" "RefEvalWin_1" ) ；第一部分定义了n+以及P+接触区域的网格(sdedr:define-refeval-window "RefEvalWin_pn" "Rectangle" (position 3 4 0) (position (+ 5 L_Dnwell) (- W_all 2) 0.0 ))
(sdedr:define-refinement-size "pn_define" 0.2 0.2 0.05 0.05 )
(sdedr:define-refinement-placement "pn_refine" "pn_define" "RefEvalWin_pn" )
(sdedr:define-refinement-function "pn_define" "DopingConcentration" "MaxTransDiff" 1) ；第二部分定义了p阱以及深n阱位置的网格
当改变几个参数后
(sdedr:define-refeval-window "RefEvalWin_1" "Rectangle" (position 0 0 0) (position L_sub 2 0) ) ;mesh in contact(sdedr:define-multibox-size "MultiboxDefinition_1" 0.2 0.2 0.05 0.05 2 1.5 )
(sdedr:define-multibox-placement "MultiboxPlacement_1" "MultiboxDefinition_1" "RefEvalWin_1" ) ；第一部分定义了n+以及P+接触区域的网格(sdedr:define-refeval-window "RefEvalWin_pn" "Rectangle" (position 3 4 0) (position (+ 5 L_Dnwell) (- W_all 2) 0.0 ))
(sdedr:define-refinement-size "pn_define" 0.2 0.2 0.05 0.05 )
(sdedr:define-refinement-placement "pn_refine" "pn_define" "RefEvalWin_pn" )
(sdedr:define-refinement-function "pn_define" "DopingConcentration" "MaxTransDiff" 1) ；第二部分定义了p阱以及深n阱位置的网格得到如下网格策略，网格密度x方向以2倍的速度扩张，网格密度y方向以1.5倍的速度扩张。
一般的网格策略设置方案如下：
;;# rough meshing
(sdedr:define-refeval-window "Window.all" "Rectangle"(position devL 0 0) (position devR (- Hmax 10) 0))
(sdedr:define-refinement-size "Ref.all" 0.5 0.5 0.3 0.3)
(sdedr:define-refinement-function "Ref.all" "DopingConcentration" "MaxTransDiff" 0.5)
(sdedr:define-refinement-placement "RefPlace.all" "Ref.all" "Window.all")(sdedr:define-refeval-window "Window.suf" "Rectangle" (position devL 0 0) (position devR (+ XjWell 2) 0))
(sdedr:define-refinement-size "Ref.suf" 0.3 0.3 0.2 0.2 )
(sdedr:define-refinement-placement "RefPlace.suf" "Ref.suf" "Window.suf")(sdedr:define-refeval-window "Window.suf1" "Rectangle" (position -0.3 0 0) (position 0.3 (+ XjWell 2) 0))
(sdedr:define-refinement-size "Ref.suf1" 0.05 0.05 0.05 0.05 )
(sdedr:define-refinement-placement "RefPlace.suf1" "Ref.suf1" "Window.suf1")(sdedr:define-refeval-window "Window.suf2" "Rectangle" (position -0.3 (+ XjWell 1.7) 0) (position devR (+ XjWell 2.3) 0))
(sdedr:define-refinement-size "Ref.suf1" 0.05 0.05 0.05 0.05 )
(sdedr:define-refinement-placement "RefPlace.suf1" "Ref.suf1" "Window.suf1");#### reMesh ####
;# LDD
(sdedr:define-refinement-window "Window.lddL" "Rectangle"(position (- L1 0.5) 0 0) (position L0 (* XjLDD 2) 0))
(sdedr:define-refinement-window "Window.lddR" "Rectangle" (position (- R0 0.5) 0 0) (position R1 (* XjLDD 2) 0))
(sdedr:define-refinement-size "Ref.ldd" 0.05 0.05 0.05 0.05)
(sdedr:define-refinement-placement "RefPlace.lddL" "Ref.ldd" "Window.lddR")
(sdedr:define-refinement-placement "RefPlace.lddR" "Ref.ldd" "Window.lddR");# S/D(sdedr:define-refinement-window "Window.drain" "Rectangle"(position L2 0 0) (position R2 (* XjSD 2) 0))(sdedr:define-refinement-size "Ref.SD" 0.05 0.05 0.01 0.01)
(sdedr:define-refinement-placement "RefPlace.drain" "Ref.SD" "Window.drain" );# Gate Oxide
(sdedr:define-refinement-size "Ref.GOX" 0.05 0.01 0.05 0.01)
(sdedr:define-refinement-region "RefPlace.GOX" "Ref.GOX" "GOX")
首先，进行最初始的网格划分，可以按照重要程度划分区域。合理分配算力和计算时间。
其次再对重要区域进行网格细化。
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