绝缘栅型n沟道场管_N沟道P沟道绝缘栅耗尽型.ppt
N沟道P沟道绝缘栅耗尽型
* §2.3 MOS场效应晶体管 场效应管 结型场效应三极管JFET 绝缘栅型场效应三极管IGFET Junction type Field Effect Transistor Insulated Gate Field Effect Transistor 分类 N沟道 P沟道 金属氧化物半导体三极管 MOSFET- Metal Oxide Semiconductor FET 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 MOS管结构 动画2-3 以 N 沟道增强型MOS管 为 例 G-栅极(基极) S-源极(发射极) D-漏极(集电极) B-衬底 N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构,它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层,然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区,从N型区引出电极 MOS管工作原理 以N沟道增强型MOS管为例 正常放大时外加偏置电压的要求 问题:如果是P沟道,直流偏置应如何加? 栅源电压VGS对iD的控制作用 VGS0,使形成漏电流iD。 栅源电压对沟道的控制作用 (动画2-9) 当VGS=0时,在漏、源之间加有一定电压时,在漏源间将形成多子的漂移运动,产生漏极电流。 当VGS<0时,PN结反偏,形成耗尽层,漏源间的沟道将变窄,ID将减小。 VGS继续减小,沟道继续变窄,ID继续减小直至为0。当漏极电流为零时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP。 漏源电压对沟道的控制作用 当VGS=0,VDS=0时,漏电流ID=0 当VGS=0,VDS增大时,漏电流ID也增大。此时由于存在沟道电阻,将使沟道内电位分布不均匀,其中d端与栅极间的反压最高,沿着沟道向下逐渐降低,源端最低,从而使耗尽层成楔形分布。 当VDS继续增大到使VGS-VDS=VP时,d端附近的沟道被夹断,这称为“预夹断”。 出现预夹断后,当VDS继续增大时,夹断长度会自上向下延伸,但从源极到夹断处
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