内存DRAM,区分SDR和DDR
文章目录
- 一、存储介质
- 1.RAM:
- 2.ROM:
- 二、单说内存:
- 1.问题:内存条是sram还是dram?
- 2.内存:DRAM
- 3.SDR和DDR内存条?
- 4.How to区分SDR、DDRⅠ、DDRⅡ、DDRⅢ和DDRⅣ?
- 1.看外观:
- 2.看型号:
- 3.在CPU-Z、鲁大师等软件中查看:
一、存储介质
参考网址:https://blog.csdn.net/acs713/article/details/8139404
《常见存储器概念辨析:RAM,SRAM,SSRAM、DRAM,SDRAM,DDR SDRAM、ROM,PROM,EPROM,EEPROM,FLASH》
ROM:只读,断电信息保存
(U盘、固态硬盘:闪存会有擦除寿命的);
RAM:可读可写,断电信息丢失
(内存,cache);
(Random Access, 随机访问,
是指数据不是线性依次存储,而是由 指定地址进行数据读写。 )
磁性介质:(机械硬盘);
光学原理:(光盘);
1.RAM:
SRAM:利用双稳态触发器,来保存信息——只要不掉电,信息是不会丢失的。所以,特别特别快(CPU的一级缓冲,二级缓冲)、集成度低体积大、昂贵
DRAM:利用MOS(金属氧化物半导体)电容存储电荷,来储存信息——因此必须刷新充电维持信息。所以,便宜,集成度高,功耗低(内存)
SSRAM(Synchronous SRAM),同步静态随机存取存储器。同步时钟,所有访问都在时钟的上升/下降沿启动,地址、数据输入和其它控制信号均与时钟信号相关,而异步SRAM的访问独立于时钟,数据输入和输出都由地址的变化控制。
SDRAM:(Synchronous DRAM),同步动态随机存取存储器。同步时钟。
DDR SDRAM,(Double-Date-Rate SDRAM),也称DDR RAM,双倍速率同步动态随机存取存储器,它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。
2.ROM:
PROM:可编程的ROM,只能进行一次编程;
EPROM,可擦除可编程ROM,通过紫外光的照射擦出原先的程序。
EEPROM,可通过电子擦出,不需要借助于其它设备,价格很高,写入时间很长,写入很慢。
主板上的BIOS,ROM芯片大部分都采用EEPROM或闪存。
Flash ROM,即闪存,属于EEPROM的改进产品,存取速度提高,它的最大特点是必须按块(Block或Sector)擦除(每个区块的大小不定,不同厂家的产品有不同的规格), 而EEPROM则可以一次只擦除一个字节(Byte)。
Flash ROM结合了ROM和RAM的长处,可改写还可断电(U盘、MP3固态硬盘里用的就是这种存储器)。
辨析:NVRAMNVRAM( Non-Volatile Random Access Memory) ,是非易失性随机访问存储器,指断电后仍能保持数据的一种RAM。
因此有些解释中,说Flash是属于NVRAM,是不准确的。因为从严格意义上来说,Flash分有两种:nand flash和nor flash。其中的nor属于是可以随机访问的,而nand flash不是真正的随机访问,属于顺序访问(serial access)。
NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。
NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。
二、单说内存:
1.问题:内存条是sram还是dram?
答:内存条是dram,SRAM因为缺点是同容量相比DRAM需要非常多的晶体管,发热量也非常大,因此SRAM难以成为大容量的主存储器,通常只用在CPU、GPU中作为缓存。
2.内存:DRAM
DRAM,Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器,是最为常见的系统内存。DRAM使用电容存储, 只能将数据保持很短的时间,为了保持数据,DRAM必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)
3.SDR和DDR内存条?
SDR,SDRAM,即Synchronous DRAM(同步动态随机存储器),曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型,即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。
既然是“同步动态随机存储器”,那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。
SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格,而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作的系统总线的速度,比如PC100,那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。
与系统总线速度同步,也就是与系统时钟同步,这样就避免了不必要的等待周期,减少数据存储时间。同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用,因此数据可在脉冲上升期便开始传输。
SDRAM采用3.3伏工作电压,168Pin的DIMM接口,带宽为64位。SDRAM不仅应用在内存上,在显存上也较为常见。
DDR,DDR SDRAM:即Double Data Rate SDRAM,双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,仍然沿用SDRAM生产体系,因此对于内存厂商而言,只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进,即可实现DDR内存的生产,可有效的降低成本。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据,它是在时钟的上升期进行数据传输;而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据,它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据,因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比:DDR运用了更先进的同步电路,使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行,又保持与CPU完全同步;
DDR使用了DLL(Delay Locked Loop,延时锁定回路,提供一个数据滤波信号)技术,当数据有效时,存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据,每16次输出一次,并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据,因而其速度是标准SDRA的两倍。
从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大,他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚,比SDRAM多出了16个针脚,主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准,而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。
4.How to区分SDR、DDRⅠ、DDRⅡ、DDRⅢ和DDRⅣ?
参考网址:
百度文库:https://wenku.baidu.com/view/dd21b91b6bd97f192279e92c.html
百度经验:
https://jingyan.baidu.com/article/f3ad7d0fe3df0909c3345b97.html
百度经验:https://jingyan.baidu.com/article/8cdccae949ee38315413cd17.html
1.看外观:
PS:内存颗粒:这是港台地区对内存芯片的一种称呼(仅对内存),其他的芯片,港台则称为“晶片”,两者的意思是一样的。
笔记本的内存条,只需看“PC”这个字样就OK了。“PC”代表一代,“PC2”代表二代,“PC3”代表三代。为什么ddr400后面的频率是200MHZ呢,因为DDR是双倍速率的,实际速率还是400MHZ.
2.看型号:
3.在CPU-Z、鲁大师等软件中查看:
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