数字集成电路_4.MOS管寄生电容

MOS管中的电容：

曲线：

栅-源/漏耦合电容，与电压无关，主要与沟道宽度有关；
Xd 不能随着L缩小而减小，因此寄生电容随着特征尺寸的缩小而增大；

结电容：PN结电容，与有源区的周长成正比；
减小结电容的最佳方法为：减小漏区的面积与周长(参考下图)；

小结：

栅-沟道电容和pn结电容都是非线性电容，电容值与晶体管偏置电压有关；
栅-沟道电容和栅面积（W * L）成正比，耦合电容和W成正比；
pn结电容和扩散区的面积与周长成正比；
简单的讲，一般W越大，寄生电容越大；

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