EMMC内存芯片和NAND区别

eMMC全称为embeded MultiMedia Card。eMMC为MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格，主要是针对手机和移动嵌入式产品为主。

而且eMMC目前是最当红的移动设备本地存储解决方案，目的在于简化手机存储器的设计。

使用emmc的好处是，除了得到大容量的空间（这一点，只用NAND FLASH多堆叠也可以做到），还有就是emmc可以管理NAND（坏块处理，ECC)等。

NAND Flash 是一种存储介质，要在上面读写数据，外部要加主控和电路设计。

而早期NAND Flash应用以SLC(Single-Level Cell)技术为主，即1bit/cell，读写速度快，寿命长，约10万次读写寿命。 SLC芯片虽然质量好，但成本价格都较高，价格是MLC三倍以上，因此应用范围不广泛。

NAND Flash的存储单元从最初的SLC（ Single Layer Cell）, 到2003年开始兴起MLC (Multi-Layer Cell), 发展至今，SLC已经淡出主流市场，主流存储单元正在从MLC向TLC（Triple Layer Cell）迈进。纳米制程工艺和存储单元的发展，使得同样大小的芯片有更高密度和更多的存储单元，Flash得以在容量迅速增加的同时，还大幅降低了单位存储容量的成本。

但其弊端也轻易显现，从原来的1bit/cell发展到后来3bit/cell, 计算更为复杂，出错率不免更高，读写次数和寿命也会更短。在这种情况下现有MLC 和 TLC Flash 都需要搭配一颗高性能的控制芯片来提供EDC和ECC、平均擦写等Flash管理。

所以就目前的技术来看，EMMC内存芯片要好上很多，而且也更方便厂家对于嵌入式设备的管理，以上就是EMMC内存芯片和NAND区别，也可以理解为emmc=nand + 读写控制ic。

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笔记：

1、SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格贵（约MLC的3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。

2、MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000—10000次擦写寿命。

3、TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。

固态硬盘的存储介质分为两种，一种是采用闪存（FLASH芯片）作为存储介质，另外一种是采用DRAM作为存储介质。

采用FLASH芯片作为存储介质，这也是我们通常所说的SSD。存储单元又分为两类：SLC（Single Layer Cell 单层单元）和MLC（Multi-Level Cell多层单元）。

基于DRAM的固态硬盘：采用DRAM作为存储介质，使用寿命很长，美中不足的是需要独立电源来保护数据安全。

三星嵌入式闪存:https://www.samsung.com/semiconductor/cn/estorage/eufs/

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