MTK DDR进行ETT之后的压力测试--进行压力测试

在进行这个步骤之前，请先按照https://blog.csdn.net/jinron10/article/details/86507851搭建主机端环境，以及https://blog.csdn.net/jinron10/article/details/86508369调整并编译出对应HV(高温60度)、NV(常温25度)、LV(低温-30度)对应的preloader.bin和boot.img文件，测试HV就使用Flashtool工具格式化下载HV对应的preloader.bin和boot.img，其它img不变，NV和LV一样。

1、测试前的准备工作，到MTK网站上的MOL下载MTK_MVG_TOOLs.rar, 包含必要脚本文件，我们这边是MTxxx_ETT_and_stress_test__Tool_exe_V1.0.rar(下载地址：https://pan.baidu.com/s/1gxJjmwBN7VbXXd-2s9Vkqw 密码：ouzk)，然后解压，如下：

我们项目使用DRAM_Stree_test_MT6373.rar这个包，将期减压到C:\，如下：

其中C:\DRAM_Stress_test_MT6737\benchmark_apk\目录中已经包含Nenamark2.apk，所以不需要再找该文件。

2、将benchmark_apk文件安装到要测试(HV或LV或NV)的机器上，并获取机器的LCD分辨率

在win10机器上点击Windows+R→输入cmd→回车，启动cmd运行终端，在终端中运行install_nenamark2.bat文件，将install_nenamark2.bat文件拖到cmd终端中回车即可运行。注意：需要修改install_nenamark2.bat文件执行脚本调用文件的路径，否则会提示找不到，并且在运行install_nenamark2.bat文件之前先执行adb root命令，否则会报错误。如下：

install_nenamark2.bat文件修改：

echo === install NenaMark ===
adb install -r C:\DRAM_Stress_test_MT6737\benchmark_apk\NenaMark2.apk  ###修改路径
ping 127.0.0.1 -n 5 -w 1000 > nul
adb install -r C:\DRAM_Stress_test_MT6737\benchmark_apk\NenaMark2.apk ###修改路径
echo === gen start for x,y to press run ===
monkeyrunner.bat C:\DRAM_Stress_test_MT6737\get_xy.py  ###修改路径

3、将一些测试用的脚本push到测试(HV或LV或NV)的机器上，直接将push.bat文件拖入cmd终端回车运行即可

注意：需要修改push.bat中执行push文件的路径，否则会提示找不到。不存在的问题不需要修改脚本。如下：

echo === remount ===
adb root
adb remount
ping 127.0.0.1 -n 5 -w 1000 > nulecho === push run.sh, start, back ===
adb push C:\DRAM_Stress_test_MT6737\run.sh /data/run.sh ###修改run.sh文件路径
adb shell chmod 777 /data/run.sh
adb push C:\DRAM_Stress_test_MT6737\start /data/start ###修改start文件路径
adb push C:\DRAM_Stress_test_MT6737\back /data/back   ###修改back文件路径###修改NV_vcorefs.sh文件路径
adb push C:\DRAM_Stress_test_MT6737\NV_vcorefs.sh /data/NV_vcorefs.sh
###修改HV_vcorefs.sh文件路径
adb push C:\DRAM_Stress_test_MT6737\HV_vcorefs.sh /data/HV_vcorefs.sh
###修改LV_vcorefs.sh文件路径
adb push C:\DRAM_Stress_test_MT6737\LV_vcorefs.sh /data/LV_vcorefs.sh
adb shell chmod 777 /data/HV_vcorefs.sh
adb shell chmod 777 /data/NV_vcorefs.sh
adb shell chmod 777 /data/LV_vcorefs.shadb shell syncecho === install end ===
pause

4、根据测试条件选择运行run_HV_FH.bat/run_NV_FH.bat/run_LV_FH.bat

即可如果测试HV，那么首先格式化下载前面编译出来的HV(高温)代码修改的image，然后将run_HV_FH.bat拖到cmd终端中运行即可，如果正常运行，那么出现以下画面，连续测试8个小时，cmd终端中run_HV_FH.bat或run_NV_FH.bat或run_LV_FH.bat运行不出现Failed情况即正常，同时在cmd终端中run_HV_FH.bat或run_NV_FH.bat或run_LV_FH.bat运行之前将串口链接到我们的机器上，抓取UART log信息。在出现Failed时候，将UART log信息和cmd终端信息抓出来进行分析，如果实在分析不了可以找MTK帮忙。我这边的项目测试了三项内容，没出现失败的情况。

5、读写测试

解压L_mmc_rw_test_8.rar和M_mmc_rw_test_8.rar或直接使用MTxxx_ETT_and_stress_test__Tool_exe_V1.0.rar中的mmc_rw_test_8进行即可。

修改push mmc_rw_test.bat文件涉及到的文件路径，如下：

@echo on
:slz
@adb root
@adb wait-for-device@echo.
@echo pushing...@adb push C:\DRAM_Stress_test_MT6737\mmc_rw_test_8\mmc_rw_test0 /data/
@adb shell chmod 777 /data/mmc_rw_test0@adb push C:\DRAM_Stress_test_MT6737\mmc_rw_test_8\mmc_rw_test1 /data/
@adb shell chmod 777 /data/mmc_rw_test1@adb push C:\DRAM_Stress_test_MT6737\mmc_rw_test_8\mmc_rw_test2 /data/
@adb shell chmod 777 /data/mmc_rw_test2@adb push C:\DRAM_Stress_test_MT6737\mmc_rw_test_8\mmc_rw_test3 /data/
@adb shell chmod 777 /data/mmc_rw_test3@adb push C:\DRAM_Stress_test_MT6737\mmc_rw_test_8\mmc_rw_test4 /data/
@adb shell chmod 777 /data/mmc_rw_test4@adb push C:\DRAM_Stress_test_MT6737\mmc_rw_test_8\mmc_rw_test5 /data/
@adb shell chmod 777 /data/mmc_rw_test5@adb push C:\DRAM_Stress_test_MT6737\mmc_rw_test_8\mmc_rw_test6 /data/
@adb shell chmod 777 /data/mmc_rw_test6@adb push C:\DRAM_Stress_test_MT6737\mmc_rw_test_8\mmc_rw_test7 /data/
@adb shell chmod 777 /data/mmc_rw_test7@adb push C:\DRAM_Stress_test_MT6737\mmc_rw_test_8\mmc_rw_test.sh /data/
@adb shell chmod 777 /data/mmc_rw_test.sh@rem @adb shell "./data/mmc_rw_test0 &"
@rem @adb shell "./data/mmc_rw_test1 &"
@rem @adb shell "./data/mmc_rw_test2 &"
@rem @adb shell "./data/mmc_rw_test3 &"
@rem @adb shell "./data/mmc_rw_test4 &"
@rem @adb shell "./data/mmc_rw_test5 &"
@rem @adb shell "./data/mmc_rw_test6 &"
@rem @adb shell "./data/mmc_rw_test7 &"@pause

将push mmc_rw_test.bat拖到cdm终端中回车执行，等3D和emmc rw test运行起来后拔掉USB

注意：mmc_rw_test这个要针对HV/NV/LV进行三个组合的测试，需要分别对HV、NV、LV进行测试，测试时FlashTool格式化下载HV编译image、NV编译的image、LV编译的image。

其它具体请参考MTK文档：MTxxxx ETT & stress test reference V0.1.pdf

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