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主页: 元存储的博客_CSDN博客

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固态存储已悄然出现在你的身边,也有很多朋友需要闪存知识,或是有志于进入存储行业的fresh man, 或是在存储行业的售前、售后、现场工程人员,或是存储系统平台的运维或开发人员,或是有趣的评测人员和有好奇心的用户。都可能是这个专栏的读者。

曾经很迷茫, 很少有固态存储的的书, 以至于我刚入门的时候, 啃完一本英文NAND协议, 再啃一本NVME协议等等。我还有幸有两位前辈带路,即时纠正我理解偏差的地方。有幸有一群小伙伴, 和我一起啃,一起碰撞仁者见仁智者见智的火花。

现在我依然迷茫,时至今日, 互联网已有很多零散的固态存储知识, 但都不成体系。我的院长曾和我说:知识点就像是一片片树叶, 只有打通任督二脉, 才能称为知识体系。这句话也成了我写这个专栏的动力。

帮助

这个专栏希望能有这些帮助:

  • 用比较少的时间, 进入固态存储世界,用我的时间换取读者的时间。
  • 理解闪存原理和特性
  • 理解闪存控制主流技术和固态存储器特性
  • 了解 PCIE/NVME 协议
  • 了解 SSD 固态存储常见故障和失效模式
  • 了解基于闪存的存储系统性能优化方向

目录

[SSD综述 1.1] 导论_SSD让开机击败99%的电脑_固态硬盘让开机跑进10s_元存储的博客-CSDN博SSD:Solid State Drive,固态硬盘,是电脑的硬盘。固态硬盘用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘,由控制单元和存储单元(FLASH芯片、DRAM芯片)组成。固态硬盘在接口的规范和定义、功能及使用方法上与传统硬盘的完全相同,在产品外形和尺寸上也完全与传统硬盘一致。和传统机械硬盘 (Hard Disk Drive,下面称HDD)不同,SSD以半导体存储数据,纯电子电路实现,没有任何机械设备,这就决定了它在性能、功耗、可靠性等方面和HDD有很大不同。SSD已经动了两家HDD巨无霸公司西数(WD)和希https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/129214568

[SSD综述1.2] 固态硬盘(SSD)和机械硬盘(HDD)区别对比介绍?_为什么固态硬盘比机械硬盘快_元存储的作为存储研发人员,从多个角度分析机械硬盘和固态硬盘与速度有关的差别, 深入浅出讲解这些差异为何带来速度的悬殊。拨开迷雾, 去伪存真,再也不担心被客服套路。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/126646072

[SSD综述1.3] SSD及固态存储技术30年简史_ssd发展_元存储的博客在我们今天看来,SSD已不再是个新鲜事物。这多亏了存储行业的前辈们却摸爬滚打了将近半个世纪,才有了SSD的繁荣, 可惜很多前辈都没有机会看到。所有重大的技术革新都是这样,需要长期的技术积累,一代一代的工程师们默默的投入,最终改变我们的生活。从当年的蒸汽机、电话到后来的集成电路、互联网,以及未来的量子计算机、人工智能,无一不是如此。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/129219686

[SSD综述 1.4] SSD固态硬盘的结构和原理导论_固态硬盘技术_元存储的博客-CSDN博SSD 和主控架构简介,SSD主要技术概述https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/128986172

[SSD综述1.5] SSD固态硬盘参数图文解析_选购固态硬盘就像买衣服?_读密集型ssd和写密集型_元存储的博客-CSDN博客选购固态硬盘就像买衣服?一件华丽的衣服, 靠的是什么? 好的布料和好的裁缝。布料是品质的基础,化学纤维的材质和纯棉的材质, 还是纯棉的材质舒服透气。好的裁缝制衣的收口、压线、款型的把握都是炉火纯青。当然再好的衣服, 还要看尺寸是否合身,版型是否符合你的形体, 和你的气质完美匹配。对于固态硬盘的“布料”是什么? 是闪存颗粒。 固态硬盘的“裁缝”是谁呢? 是主控。好的主控的背后还是一个品牌在给质量背书, 固态硬盘是搭载在电脑主板的, 所以要特别注意接口。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/129259315

[SSD综述1.6] 固态硬盘物理接口SATA、M.2、U.2、PCIe和BGA图文详解_SSD接口形态(Form Factor)_ssd物理接口_元存储的博客-CSDN博客在这场存储革命中,为了实现更快的速度、更多的使用环境、更好的体验,SSD的接口也在不断进化革新,像主流的SSD就有SATA接口、M.2接口、PCIe接口和mSATA接口等。这些常见的接口有什么不同?又适合什么样平台使用呢?https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/129326272

[SSD综述1.7] 固态存储市场发展分析与预测_固态存储技术发展方向(2022to2023)_ssd市场分析_元存储的博客-CSDN博客自2020年疫情爆发以来,远程办公、网上教育、流媒体等等应用引爆对消费电子及云服务的需求增长,全球数字化转型加速,带来了两年的闪存风光时刻。然而,进入2022年,在俄乌冲突、疫情重燃、通胀上升等一系列事件冲击下,全球经济下行风险加剧,对智能手机、PC等科技产品的需求正在快速下降,“低需求高库存”的困境不断发酵,导致供需关系迅速转变。闪存市场哭声一片,遍地哀嚎。很多原厂都断臂求生,裁员不断。中国闪存厂商除了经受市场的冰凉,还要承受美丽国的大棒,生存岌岌可危。存储市场风云突变,明天和意外, 到底哪一个会先来?https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/129338987

[SSD综述1.8] SSD固态硬盘系统架构与组成原理_固态硬盘技术_元存储的博客-CSDN博客那些真正搞闪存底层技术的专家们,学者们,无论是电子专业还是计算机专业,要精通计算机体系结构,操作系统,数据结构,嵌入式原理,要会C语言,C++语言,Linux命令,搞硬件的要会数电模电,会Verilog语言。PCI-E通道就好比高速公路,而SATA通道就是山路十八弯,接口的不同会引来不同的协议,基础的SATA的协议为AHCI , PCI-E的协议为NVMe,新型的OC SSD有自己专门的协议。好的固件开发出来需要让闪存以及主控达到完美的兼容,需要按照最新先进技术的主控还有闪存颗粒的更新而修改,维护。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/128635627

[闪存 1] Flash(闪存)存储器底层原理|闪存存储器重要参数_元存储的博客-CSDN博客存储器的原理概括成一句话就是,通过在浮栅上注入电子改变FET阈值电压 VT 来实现存储功能。我们已经为存储器注入了灵魂,现在来铸造其肌肉,也就是如何实现注入、擦出电子的过程。注入电子主要有两种过程原理,一种是热电子注入,另外一种是F-N 隧穿(Fowler-Nordheim隧穿)。NAND不能使用热电子注入的方式, NAND是F-N隧穿,NOR是热电子注入过程.一个存储器,我们看中什么?便宜,存储密度大,存储时间久,读写速度快,读写次数多https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/128856708

[闪存 2.1] 闪存芯片物理结构与_SLC/MLC/TLC/QLC_固态硬盘芯片_元存储的博客-CSDN博客闪存颗粒是固态硬盘中数据的真实存储地,就像机械硬盘的磁盘一样。闪存颗粒flash memory是一种存储介质,重要的区别于传统机械盘存储介质就是它是一种非易失性存储器,就是断电可以保存写入的数据,以固定大小的区块为单位,不是以单个的字节为单位。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/128909669

[闪存2.1.1] 固态硬盘存储介质闪存_闪存的物理结构_NAND_Flash工作原理_nand flash_元存储的博客-CSDN博客Flash属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),即使断电了,也不会丢失.对于NAND Flash的写入(编程),使得悬浮门存储的电荷够多,超过阈值Vth,就表示0。对于NAND Flash的擦除(Erase),就是对悬浮门放电,低于阀值Vth,就表示1。挑战主要在1.需要先擦除才能写入。2.损耗机制,有耐久度限制。3.读写时候造成的干扰会造成数据出错。4.数据的保存期。5.对初始和运行时候的坏块管理。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/127951555

[闪存2.1.3] 固态硬盘闪存的物理学原理_NAND Flash 的读、写、擦工作原理_元存储的博客-CSDN博客采用这种结构,使得存储单元具有了电荷保持能力,就像是装进瓶子里的水,当你倒入水后,水位就一直保持在那里,直到你再次倒入或倒出,所以闪存具有记忆能力。1957 年,受雇于索尼公司的江崎玲於奈(Leo Esaki,1940~)在改良高频 晶体管 2T7 的过程中发现,当增加 PN 结两端的电压时电流反而减少,江崎玲於奈将这种反常的负电阻现象解释为隧道效应。​以上就是从闪存中读取数据的原理,往复杂了说它涉及到MOS管等复杂的半导体知识,但是如果朝简单的方向理解,我们也能轻松理解闪存表达数据的原理。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/129373012

[闪存2.1.3] 固态硬盘闪存的物理学原理_NAND Flash 的读、写、擦工作原理_元存储的博客-CSDN博客采用这种结构,使得存储单元具有了电荷保持能力,就像是装进瓶子里的水,当你倒入水后,水位就一直保持在那里,直到你再次倒入或倒出,所以闪存具有记忆能力。1957 年,受雇于索尼公司的江崎玲於奈(Leo Esaki,1940~)在改良高频 晶体管 2T7 的过程中发现,当增加 PN 结两端的电压时电流反而减少,江崎玲於奈将这种反常的负电阻现象解释为隧道效应。​以上就是从闪存中读取数据的原理,往复杂了说它涉及到MOS管等复杂的半导体知识,但是如果朝简单的方向理解,我们也能轻松理解闪存表达数据的原理。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/129373012

[闪存2.1.4] 3D(三维)NAND图文详解_2D NAND 和 3D NAND 横向对比_VNAND 技术详解_元存储的博客-CSDN博客传统上,NAND 单元以 2D 方式排列,单元数越多,驱动容量就越大(每个芯片的内存增加)。但正如摩尔定律的消亡告诉我们的那样,可以缩小硅片的程度是有限的。因此,由于 2D 中没有单元格,我们开始将它们一个一个地堆叠起来,这称为 3D NAND。它不仅更便宜,而且速度更快,而且更节能。制造商通常将基于 TLC 和 QLC 的 SSD 与 3D 堆叠或 VNAND 配对,以进一步提高性价比,使驱动器更加实惠。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/127797256

[闪存2.1.5] NAND FLASH基本读操作及原理_NAND FLASH Read Operation源码实现_元存储的博客-CSDN博客上面是我使用的NAND FLASH的硬件原理图,面对这些引脚,很难明白他们是什么含义, 下面先来个热身:问1. 原理图上NAND FLASH只有数据线,怎么传输地址?答1.在DATA0~DATA7上既传输数据,又传输地址当ALE为高电平时传输的是地址,问2. 从NAND FLASH芯片手册可知,要操作NAND FLASH需要先发出命令,怎么传入命令?答2.在DATA0~DATA7上既传输数据,也传输命令当CLE为高电平时传输的是命令当ALE和CLE都为低电平时传输的才是数据。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/129413138

[闪存2.1.6] NAND FLASH 多平面读(Multi Plane Read)时序及原理_闪存交错读时序(Interleave Read)_元存储的博客-CSDN博客每个NAND Flash的逻辑单元LUN(图中Chip)都被划分为多个物理planes,以前常见的每个LUN有 2 plane, 现在常见的是 4 plane, 甚至还有 6 plane 的。每个plane都拥有独立于其他plane的一个cache寄存器和一个Cache寄存器(寄存器大小均为一页容量+OOB区的大小)。每个plane通过block地址的低阶地址(见下图Note 4 BA[7] 说明)寻址。flash地址分为column address和row address。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/129433159

[闪存2.1.7] NAND FLASH基本编程(写)操作及原理_NAND FLASH Program Operation 源码实现_元存储的博客-CSDN博客Nand Flash的另一个重要操作就是写操作在NAND Flash中写操作就是page的编程操作。Page页是编程的最小单元其操作时序可以描述如下在FTL软件中为了避免“写时块擦除”操作会引入类似于Log文件系统的方式对写入的逻辑page进行重映射即实现out-of-place的写入方式。在这种写入方式中如果用户写入的数据小于一个page页那么需要将无需更新的数据从old-page中拷贝出来然后和新数据合并写入新的page中。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/129462106

[闪存2.1.8] NAND FLASH Multi Plane Program(写)操作_multi plane 为何能提高闪存速度_元存储的博客-CSDN博客对单个plane 写, 按这样的话, 要先program plane 0 完成后, 再 program plane 1。 如果我偷偷告诉你, 两个 plane 可以一起 program, 你会不会很开心, 这样可以缩短program 时间。这便是本文介绍的 multi program 操作。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/129467081

怎么看时序图 | 从时序理解嵌入式 NAND Read 源码实现_元存储的博客-CSDN博客每次看到NAND 说明书都脑袋大, 时序图看了脑壳就疼。时序图怎么看呢?本文就和大家一起学习下。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/129633200

闪存系统性能优化方向?NAND Cache Read(闪存缓冲读) 原理与实战?_元存储的博客-CSDN博客NAND Flash凭借其高性能、以及低成本等特性大受欢迎,是最为广泛的非易失存储介质。为了满足业务性能要求,人们想了许多方法来提升基于NAND Flash的系统性能, 本节我们带大家探索一下其中从Cache Read 是如何提升性能, 提升大不大?https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/129602724

闪存系统性能优化方向?NAND Cache Program(闪存缓冲编程) 原理与实战?_元存储的博客-CSDN博客人们想了许多方法来提升基于NAND Flash的系统性能, 本节我们带大家探索一下其中从Cache Program 是如何提升性能, 提升大不大?https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/129630726

NAND VT Distribution 和失效模式_元存储的博客-CSDN博客阈值电压(Vt或Vth)的概念是从MOS管来的。MOS的工作原理就像一个水库,Gate就是闸,闸抬起来(VGate≥Vth)电流就可以流过沟道(Channel),闸放下去(VGatehttps://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/128887256

[SSD固态硬盘协议 1] 插槽接口(M.2 / mSATA / SATA )、总线(PCIE / SATA )、传输协议(NVME / AHCI) 图解_m2固态硬盘接口图解_元存储的博客-CSDN博客原本想单独讲插槽接口的, 但在网购平台搜索SSD, 发现很多厂商将通道和协议的概念也混在接口概念中,导致大家印象中,M.2 是接口,SATA 也是接口,PCIE 也是接口, NVME 也是接口。。。傻傻分不清。所以我这里一起讲清插槽接口、总线、传输协议,一站解决大家的疑惑。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/126861406

[SSD固态硬盘协议 2] PCIE 相对 SATA 的 4 大优势详解_pcie sata 固态硬盘_元存储的博客-CSDN博客在谈到固态硬盘的时候, 总会听说两种固态硬盘, SATA (AHCI 协议) 固态硬盘 和 PCIE(NVME 协议) 固态硬盘. NVME 相对 SATA 有哪些优势呢? 又是什么原因呢?https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/126772533

[SSD固态硬盘协议 3] 你懂 PCIE 和 NVME是如何相依相恋?_pcie nvme_元存储的博客-CSDN博客有了 PCIE 为啥还要有 NVME?大家 PCIE 和 NVME 的差别很好奇https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/126587505

[SSD固态硬盘协议 4] NVME 命令队列 SQ/CQ 的奥秘_sq和cq_元存储的博客-CSDN博客NVMe(over PCIE) 的速度远超 AHCI(over SATA), 其中一个重要的原因是 NVME 的队列个数远超 AHCI。作为NVME 重点中的重点,本文将浓墨重彩介绍命令队列SQ 和 CQ,这对我们理解host 和 SSD 的工作模式有很大帮助。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/126824184

[SSD固态硬盘协议 5] NVME Reset 详解_元存储的博客-CSDN博客NVME Reset 有很多种, 从影响范围分别是 NVME subsystem Level > Controller Level > Queue Level. Controller Level 细分为 5 种, 有的是硬复位, 有的软复位.如果选择正确的 NVME Reset 方式?https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/126986701

[SSD固态硬盘协议 6] NVME 2.0 新技术解决了什么痛点? 会带来哪些变革?_最新nvme协议_元存储的博客-CSDN博客“速度又快、延迟又低”的性能优势,让NVMe SSD 风光无限,在存储领域成为主角。最新的 NVME 2.0 带来了哪些新技术?这又会对存储领域带来什么样的变革。带着对 NVME 2.0 的好奇心,笔者带你们一起领略。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/126728315

[SSD固态硬盘协议 7] NVME 2.0 新技术 ZNS 自动分区:减少延迟,提高寿命_nvme zns_元存储的博客-CSDN博客前言NVME 2.0 引入新的核心技术 ZNS(Zoned Name Space),标志着 ZNS 技术正式成为了存储行业的标准技术。本文将分享ZNS 基础知识,思考 ZNS 技术如何管理? 探讨ZNS 会带来什么好处?ZNS 技术是什么?讲 ZNS 之前,先要了解下 Name Space 的概念。如果把闪存空间划分成若干个独立的逻辑空间,每个空间逻辑块的地址范围为0到N-1(N是逻辑空间大小),这样划分的每个逻辑空间叫做Name space(下文简称NS)。虽然分成了多个NS,但不同的NS 的使用https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/126800282

[SSD固态硬盘技术 1] SSD 分类(SLC/MLC/TLC/QLC/PLC)和优缺点_固态硬盘分类_元存储的博客-CSDN博客固态硬盘(SSD)依靠卓越的性能,闪电般的速度,成为时下电脑用户的宠儿。很多人听说过固态硬盘,但不知道固态硬盘错综复杂的分类是啥啥啥,本文深入浅出一一分解。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/126697220

[SSD4] 固态硬盘主控功能_SSD主控品牌_ssd主控是什么_元存储的博客-CSDN博客了解一颗固态硬盘首先要从主控入手,主控对于固态硬盘的影响丝毫不亚于闪存。那么主控芯片对于固态硬盘到底有多重要?下面我们一起来了解主控的地位、功能和运作模式。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/128908493

https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/128925542http://[SSD6] DRAM缓存技术详解

[SSD7] 固态硬盘主控核心设计|SSD性能研究_ssd设计_元存储的博客-CSDN博客摘要本文介绍了此类设计选择的分类,并使用跟踪驱动的模拟器和从实际系统中提取的工作负载跟踪分析各种配置的可能性能。我们发现SSD性能和生命周期对工作负载非常敏感,并且通常较高的复杂系统问题出现在存储堆栈中甚至在分布式系统中,与设备固件相关。SSD性能研究点:延长和带宽:读写可以多快随机写会慢永久行:最快多久可以代替传统硬盘Flash块受磨损影响IntroductionSSD设计中出现的许多问题似乎都模仿了以前在存储堆栈中出现的问题。在解决这些难题时,设计选择有相当大的自由度。我们表明以下系统问题与SSD性能有https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/128636292

[SSD8] 固件概述和固件升级_元存储的博客-CSDN博客固件英文叫Firmware,就是“固化在硬件中的软件”,不太恰当但是毕竟好理解的就是:固件就是硬盘的操作系统。固件Firmware是安装在硬盘的一个小记忆芯片上的,用于引导硬盘工作。其担任着一个系统最基础最底层的工作。对硬盘固件,可以这样来理解:假设硬盘是一台电脑主机,固件则相当于BIOS和操作系统程序,里面装的是用汇编语言编写的引导命令、控制语句和执行语句,协调和控制硬盘各个内部部件之间相互作用。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/128961480

[SSD9] 我们的数据是怎么找到的?神秘的FTL详解_ftl闪存转换层_元存储的博客-CSDN博客如果您仔细观察,您会在所有闪存介质上找到FTL。为了使闪存成为存储数据的友好介质,我们需要一种机制:1. 将更新的信息写入新的空页,然后将 所有后续读取请求转移到其新地址2. 确保新编程的页面均匀分布在所有可用闪存中,以便均匀磨损3. 保留所有旧的无效 页面的列表,以便在以后的某个时候可以将它们全部 回收以备重用这种机制称为 闪存转换层(FTL),https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/128978780

[SSD10] SLC缓存技术详解_元存储的博客-CSDN博客闪存单元既能用作模拟SLC,也能直接以TLC使用,在使用选择上也是有一定讲究的。主控通常会挑选那些健壮性指标较高的闪存单元用于模拟SLC写入,其中的原因跟下面将要提到的Copyback有关。好消息是闪存在SLC模式下写入的寿命要比TLC模式更持久。另外SSD会应用延缓释放算法,若SLC缓存内的数据后续又被删除,就免去了缓存释放产生的二次磨损。正常情况下,写入SSD的数据都先进入SLC缓存内,然后空闲时在主控管理下释放到闪存的TLC存储区域,相当于每次数据写入会对闪存造成两次磨损。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/128927552

[SSD11] Read 技术详解_元存储的博客-CSDN博客读取数据的性能和延迟更是固态硬盘中最重要的参数指标,是主控之间技术竞争的核心参数。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/128943063

[SSD12] CopyBack技术详解_元存储的博客-CSDN博客不过也因为未经主控纠错,数据移动过程发生的比特错误可能无法被立即发现和纠正,一旦累积到超过主控纠错引擎能力的水平,就会影响数据安全。在其他的测试中,我们还曾发现某些SSD在寿命末期出现SLC缓存彻底被禁用的情况,这些都是SSD闪存磨损达到一定程度之后为了保障安全而在性能端做出的牺牲。正常情况下要移动闪存内的数据,需要SSD从特定位置读出数据内容到主控,经过ECC纠错后写入到其他位置。如果闪存支持Copyback,就可以简化这一步骤:由主控发出指令,数据无需经过主控,直接在闪存内部完成位置移动。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/128927586

[SSD13] 不求同生,但求同死?闪存磨损均衡技术详解_元存储的博客-CSDN博客Wear Leveling磨损均衡:SSD主控管理的磨损均衡算法会平衡所有闪存单元的擦写循环次数,避免让个别闪存单元提早损坏。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/128622063

[SSD14] GC垃圾回收太重要了_元存储的博客-CSDN博客今天介绍臭名昭著的过程(或“GC”),maybe 这是对JAVA 工程师而言。当遇到GC导致速度降低时候, 他们真的想跳脚。我想到我的小孩打疫苗,哭的哇哇叫, 在他的眼里疫苗应该也是讨厌的吧, 但事实真的如此吗?但首先,让我们考虑一下如果根本没有 GC,闪存系统会发生什么情况。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/128979519[SSD15] FTL映射表的神秘面纱_元存储的博客-CSDN博客阐述了一下FTL中mapping的一些棘手问题和一些解决思路,抛砖引玉,揭开了神秘面纱,往里面瞅上了一眼。这一看其实会发现,FTL虽小,但是难度丝毫不比一个文件系统小。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/128983639[SSD16] 预读技术详解_ssd 预读_元存储的博客-CSDN博客固态硬盘预读: 在下一个读取请求前,可以在读取队列空闲时间期间预先获取该下一个数据并且将其存储在高速缓存缓存(DRAM)中,因此,该下一个数据可以从缓存(DRAM)而不是从非易失性存储器(闪存)的读取被返回给主机。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/128944813[SSD17] 缓存(DRAM)对性能的影响机制_固态硬盘dram缓存_元存储的博客-CSDN博客高端固态硬盘会把FTL映射表完整地放入DRAM缓存中。映射表用 4B 来记录一个 4KB 数据的在闪存颗粒中的位置,具体到闪存CE/Plane/Block/Page(听起来像省/市/区/街道详细地址)。固态硬盘容量和DRAM缓存,通常需要按照**1GB:1MB**的比例配置。如果缓存配的容量小了,起到的作用较小。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/127154160[SSD18] 谁“偷“走了固态硬盘的容量? 预留空间 (OP )图文全解_元存储的博客-CSDN博客当你买了一块SSD,有没有发现其实你得到的容量并不是SSD标称的容量。比如你买的是128GB的SSD,你的得到的可使用容量肯定小于128GB,一般在120GB,甚至更小。到底是谁“偷”走了本应该属于你的容量呢?经过不懈努力,警察蜀黍已经找到“真凶”,就是OP,全称Over-Provisioning,中文名字叫做“预留空间”。1. 预留空间OP是什么?因为SSD 使用的是NAND 闪存, NAND 闪存不能覆盖写, 必须先擦除整个块才能写入新的数据。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/129111109[SSD19] 谁是数据的守护神?盘内RAID1/RAID5图文详解_盘内数据冗余保护_raid1 raid5_元存储的博客-CSDN博客提到冗余保护,最容易想到的就是RAID(Redundant Arrays of Independent Disks) ,独立冗余磁盘阵列。该技术在服务器和存储阵列产品中广泛应用。近年来,随着固态硬盘的使用率上升,提升固态硬盘的性能和可靠性(包括寿命)一直是行业攻关的重点。RAID技术在固态硬盘内已经得到了广泛应用。关键数据多副本,可以看作是RAID1保护,用户数据更常见的则是使用性价比较高的RAID5。具体使用什么RAID级别,一般是根据实际情况进行选择。DapuStor的HaiShen系列产品就使用RAhttps://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/129192382为SSD编程(1):简介和目录_元存储的博客-CSDN博客我想为我的键值对存储项目弄一个固态硬盘(SSD)最佳存储解决方案。为此,我必须确保我完全了解SSD是如何工作的,这样就可以优化我的hash表实例来适合SSD的内部特征。网上有很多不完全和相悖的的信息,找到关于SSD的可靠信息并不简单。为了找到适当的文献和基准以说服自己,我必须要进行大量的阅读。如果我要为SSD编程,我需要知道我在做什么。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/129251820为SSD编程(2):SSD的架构和基准_元存储的博客-CSDN博客这是我在阅读了各种关于SSD的文档之后,为了分享我所学到的东西写的一系列文章。如果你没有时间慢慢看,你可以直接跳转到第六部分,这部分总结了所有其他部分的内容。在本部分,我将解释NAND闪存的基本知识、闪存单元类型、和基本SSD内部架构。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/129251887为SSD编程(3):页、块和闪存转换层https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/129251938

为SSD编程(4): 高级功能和内部并行_元存储的博客-CSDN博客但既然擦除操作比写入操作的延迟更久,或者说擦除要的时间比写入长,在持续的重随机写入工作负载下的SSD将会在垃圾回收有机会擦除之前用尽所有的空块。文件系统会报告所有的地方都是空的,尽管硬盘实际上还是满的,因为SSD主控没法知道逻辑数据是什么时候被主机删掉的。不可见的预留空间的块将无缝的替换可见空间上的已耗损殆尽的块。在另外一篇Luke Kenneth Casson Leighton写的关于电源故障的文章中显示出,测试的4个硬盘有3个最终都在不正确的状态,剩下的一个没有问题(是Intel的硬盘)https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/129251972

为SSD编程(5):访问模式和系统优化_元存储的博客-CSDN博客在接下来的部分,我打算从“顺序”或“随机”入手。如果I/O操作开始的逻辑块地址(LBA)直接跟着前一个I/O操作的最后LBA,则称值为顺序访问。如果不是这样,那这个I/O操作称为随机访问。这很一点重要,因为FTL执行动态映射,相邻的逻辑空间地址可能被应用于不相邻的物理空间地址上。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/129251992

为SSD编程(6):总结—每个程序员都应该了解的关于固态硬盘的知识_元存储的博客-CSDN博客这是为“SSD编程”系列文章的总结。我希望我用易于理解的方法表述了我在固态硬盘上的个人研究中学到的东西。如果你读了这个系列并想深入了解SSD,比较好的起步点是读一些我在第二部分和第五部分列出的引用文献和文章。另外一个很好的学习资源是FAST大会(the USENIX Conference on File and Storage Technologies,USENIX文件和存储技术大会)。会上每年都有大量出色的研究。我高度推荐他们的网站,FAST 2013视频和文献的集散地。https://blog.csdn.net/vagrant0407/article/details/129252013

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