silvaco器件仿真（一）-----宽禁带材料的雪崩击穿

仿真宽禁带材料（4H-SiC，Eg300=3.26ev）雪崩击穿的击穿，由于电流过小可以通过配置系统提高求解的浮点精度和仿真速度。

go atlas simflags="-P 4 -256"

si_sic10x：cathode负压0到-25，acathode接0，anode接大电阻1e20，（SiC暗态雪崩击穿）

击穿电压约：20.347v，击穿场强：2.8e6V/cm

si_sic0x1：cathode接0，acathode接大电阻1e20，anode负压0到-25，（SiC/Si异质结暗态雪崩击穿）

没能击穿，

原因：没有设置硅材料的相关击穿模型，以及如果模型中有两个材料要发生雪崩击穿，如何设置。

si_sicx10：cathode接大电阻1e20，acathode接0，anode负压0到-25，（Si基pn结暗态雪崩击穿）

仿真宽禁带雪崩击穿的内容

图一：n 1e19 p 1e17 击穿电压：21.37v 击穿场强：8e5v/cm 0.000874073

图二：n 2e19 p 1e15 击穿电压：174.84V 击穿场强：2.5e5v/cm 0.0156753

0.07um，碳化硅材料，Eg300=3.26 impact aniso sic4h0001 e.side 击穿电压为20.04V

雪崩击穿

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