20N60-ASEMI高压N沟道MOS管20N60
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20N60-ASEMI高压N沟道MOS管20N60
型号:20N60
品牌:ASEMI
封装:TO-220
最大漏源电流:20A
漏源击穿电压:600V
RDS(ON)Max:0.42Ω
引脚数量:3
芯片个数:
沟道类型:N沟道MOS管、高压MOS管
漏电流:ua
特性:N沟道MOS管、场效应管
工作温度:-55℃~150℃
备受欢迎的20N60 MOS管
ASEMI品牌20N60是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了20N60的最大漏源电流20A,漏源击穿电压600V.
•细节体现差距
20N60,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。
20N60具体参数为:最大漏源电流:20A,漏源击穿电压:600V,反向恢复时间: ns,封装:TO-220
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