以反相器为例。

Tool → Library manager

选中一个库

File → new → cell view

1. 原理图

新建一个库，向库中新建cell，新建cell后会自动弹出原理图绘制界面

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先画原理图：

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快捷键介绍：

(1)添加元器件：i，左键放置、右键旋转、Esc推出载入

(2)查看器件参数值：选中某元件后按q

(3)保存电路原理图：x

(4)撤销上次操作：u

(5)居中显示原理图：f

(6)缩小显示窗口：[

(7)放大显示窗口：]

(8)退出：Esc

(9)移动pin：选中后按键盘的shift+m，单击右键是旋转

注意：pin命名最好大写(因为有些工艺制程下进行LVS/DRC检测的时候，只认大写)

2. symbol

原理图画完之后，要建立symbol用于仿真：

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3. testbench

随后要基于建立的symbol，画testbench

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画testbench时需要对具体工作情景建模，然后选择相应的器件。

从芯片外部引入的电源和地，会存在封装上引线的电感，对于这个电感的模型是需要模拟出来的，在电路仿真中需要把这个电感的模型带入到testbench中，在这里要添加一个理想的电感。

对于常规的QFN\QFP的封装，1um bonding线(金线)等效的电感值在1nH左右、等效阻抗50mΩ，连在引脚上的电源的引线大概有2um左右，由于地线不是直接bonding到封装的管脚上，而是bounding到芯片背面大片的金属地上，这是个单bond、引线电感会小一些，一般在1mm以内，设为1nH，阻抗50mΩ

(10)引线命名：l(小写的L)

(11)进入下一层：e

(12)返回上一层：ctrl+e

(13)电感：ind，电容：cap，电压脉冲发生器：vpulse

对脉冲发生器的设置

观察输出波形，需要增加元器件电容，作为输出的负载。

小电容

4. 仿真

仿真：Tools → analog environment，这里进行了直流仿真和瞬态仿真

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Print直流工作点的方法：

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画图方法：

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有两种画图风格可供选择：

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inverter仿真；减小P管宽长比带来的影响(蓝色)，翻转阈值下降了(可以理解成PMOS需要更低的栅极电压才可以开启)

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5. 版图设计

基于原理图生成版图：

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LSW：版图设计时所有层的信息

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有源层

N阱 N-well

深阱，先进工艺中存在，用于衬底隔离

深N阱(DNW)可以理解为在P-sub上面隔离出来的一块独立区域，里边可以做需要的device，有与外界隔离的作用。于一般的PMOS而言，可以通过放在不同的NWELL里面来相互隔离；而对NMOS而言，它们的well(P-sub)会通过wafer的p-sub short在一起(因为都是P型)，相互串扰，互相影响。DNW里边的P-sub与外界的P-sub是隔离的，因此能削弱相互之间的影响。因为这个阱比一般的N well要深很多，所以称为deep N well。除了电位上的隔离，比如说有好几种地电位(0V、-3.3V、-6V等)，一般会把害怕被别的模块影响(reference电路、temperature sensor等)或者怕会去影响别的模块的IP(PLL、OSC等)放在DNW里面。

栅极层

N型注入，制造NMOS 或 二极管

P型注入，制造PMOS

金属层

本工艺下用到的是1P6M的配置，只用到了M1~M6，1层多晶硅，6层金属互连层，

过孔层

e.g.：

v1：M1到M2之间的过孔

v2：M2到M3之间的过孔

PSUB层，标识层

文字层

dummy层

顶层厚金属

(14)显示版图的所有层次：shift + f

(15)以框图显示版图：ctrl + f

打散Pcell：

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设置格点分辨率：

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显示连线关系：

options→display

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(16)连线快捷键：p(敲p后点击连接起始端，选择要连的层，再单击结束端，再回车结束)

(17)尺子：k

(18)清除尺子：shift + k

(19)画矩形：r

(20)逐步缩小版图：shift + z

(21)只看某一层：(例如只看M1)LSW窗口选中M1，点击NV，点击版图界面，敲f

(22)整体移动版图某区域，且相应线拉伸：先将selection mode(options→selection)由full改为partial，然后左键框选相应区域，敲s后拖动到相应位置后，左键取消选中

衬底接触环(N阱保护环)，guard ring

6. 版图验证(DRC/LVS)