半导体器件物理【13】载流子输运现象 —

前言

呀呀呀，天天写这个有点烦。心里不想写又不得不写，甚至写了这个后还有很多要写的，还有好几科没什么进展，更不用提自己喜欢的东西了。我讨厌这个世界。

半导体器件物理【13】载流子输运现象 —— 霍尔效应相关推荐

半导体器件物理【23】PN结 —— 结电容和势垒电容、扩散电容、三种击穿
前言半导体器件物理最后一个内容了吧. PN结在低频电压下整流效应很好,但是高频时因为电容特性整流效应变坏. 目录前言电容来源突变结P+N- 电荷分布电场E分布电势V分布势垒宽度线性缓变 ...
半导体器件物理-MOS电容部分
总是用到这些干脆就做了个汇总主要是半导体器件物理第五章
半导体器件物理【2】量子理论扫盲——从Schrödinger到扫描隧道显微镜
前言半导体器件物理中量子力学初步的下半部.从薛定谔方程到隧道显微镜. 目录前言 Schrödinger方程自由粒子的Schrödinger方程第一种推导方法第二种推导方法势场中运动粒子的S ...
【原版教材•中英对照】半导体器件物理——这本经典著作在半导体器件领域树立起了先进的学习和参考典范
Physics of Semiconductor Devices 半导体器件物理 Author: Massimo Rudan 原文地址:https://www.zhisci.com/pdfshow/1 ...
半导体器件物理【10】载流子输运现象 —— 电流密度、散射
前言似乎是把电子当做流体.气体?有点Drude模型的意思目录前言漂移运动漂移电流密度由欧姆定律推导J 由电流强度推导J 平均漂移速度电子空穴运动速度半导体中的总漂移电流密度 N型半导体 ...
半导体器件物理【11】载流子输运现象 —— 散射率Ρ、迁移率μ、电阻率ρ（电导率σ）、砷化镓
前言载流子输运就是求电流密度相关. 目录前言平均自由时间 & 散射概率平均自由时间 & 迁移率平均自由时间 & 电导率迁移率-温度关系电阻率-温度关系轻掺杂时 ...
半导体器件物理【12】载流子输运现象 ——扩散运动
前言大丰打更人里主角给杨千环这个二手逼王几句装逼的话,手握日月摘星辰,世间无我这般人. 目录前言扩散稳态扩散定律非稳态扩散定律一维稳态扩散方程(空穴) 扩散电流漂移电流平衡半导体无宏观 ...
半导体器件物理 2022.10.13
漂移电流由两部分组成扩散电流扩散电流+漂移电流就是总的电流,在实际问题中漂移电流远远大于扩散电流空间电荷限制电流,对于本征半导体和一些绝缘体里面的电流,我们的作业我们首先忽略我们的扩散电流,只 ...
半导体器件物理【21】PN结 —— 载流子分布、正偏反偏
前言目录前言 PN结载流子分布正偏 P+ N- 反偏 P- N+ 扩散区扩散区非平衡少数载流子分布扩散区非平衡少数载流子电流密度 \;\\\;\\\; PN结载流子分布假设P区为电势零点, ...

半导体器件物理【13】载流子输运现象 —— 霍尔效应

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