DRAM和SRAM的区别
文章目录
- 一、RAM
- 介绍
- DRAM和SRAM区别
- 1. 内部结构不同
- 2. 寻址方式不同
- 二、ROM
一、RAM
介绍
RAM,即随机存储器或者易失性存储器,因为断电后就失去保存的数据。
分为SRAM和DRAM:
DRAM,即动态随机存储器,一般用于内存,需要不断地刷新电路,否则数据就消失了。
SRAM,即静态随机存储器,一般用于CPU中的cache(高速缓冲存储器),不需要不停地刷新电路来保存数据。
特点如下:
下面详细阐述一下区别:
DRAM和SRAM区别
1. 内部结构不同
- SRAM是依靠触发器存储数据,每个存储元(存储1bit数据)需要花费6个晶体管才能存储1 bit 。所以SRAM的集成度低、占用面积大。
- SRAM在读数据时,就是相当于“查看”寄存器的状态,写数据就是改变寄存器的状态。
SRAM存储元结构,如下图:
- DRAM依靠电容存储,每个存储元只需要花1个电容和1个晶体管。DRAM的数据实际上是存在电容里。但是电容放久了,内部的电容就会越来越少,对外不能形成电位的变化。
- DRAM是通过检测是否有电流来确定存储的数据是1或0,有电流(有电荷存储)时为1,无电流为0。
DRAM存储元结构,如下图:
注意:
1.DRAM为什么要不断刷新电路?
当对DRAM进行读操作的时候需要将电容与外界形成回路,通过检测电流变化判断存储元存储的是1还是0(是1就有电荷流出产生电流,是0则没有)。在进行读操作时,如果原来的数据是1,读完之后电荷顺着电流探测电路流走了,就变成0 了,下次再读的时候就不是原来的数据了。所以在读操作结束后需要刷新电路,重新将数据写回DRAM中。
此外,电容上的电荷也只能保存2ms左右,所以即便没有发生读写读写操作,也会对DRAM刷新。
2.多久刷新一次?
因为,电容上的电荷也只能保存2ms左右,计算机一般每隔2ms也都会进行DRAM刷新。
3.每次刷新多少存储单元?
以行为单位,每次刷新一行存储单元。
4.如何刷新?
不需要CPU控制,有硬件支持,读出一行的信息后重新写入,占用1个读/写周期。
5.什么时候刷新?
2. 寻址方式不同
SRAM的存取速度很快,但是地址线需要更多,这是因为SRAM和DRAM的寻址方式不同:
- SRAM同时发送行地址和列地址,把行地址和列地址拼接起来作为一次读写访问的地址,然后放到地址线上;
- SRAM有可能并没有把行地址和列地址拆分成长度相等的两段,并且行地址线和列地址线都是单独存在;
- DRAM是把行地址和列地址分为长度相等的两段,然后分两次发送;
- DRAM可以地址线复用,也就使用同一跟地址线分别发送行地址和列地址,减少了地址线的使用
二、ROM
ROM,即只读存储器或者叫非易失性存储器,因为断电后数据依然能够保存。
分类如下:
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