电磁场与电磁波 复习(1-2)
文章目录
- 第一章 矢量分析
- 1.0 重点
- 1.3 标量场的梯度 (用于标量场)
- 1.4 矢量场通度与散度(用于矢量场)
- 1.5 矢量场环流与旋度(用于矢量场)
- 1.8 亥姆霍兹定理
- 第二章 电磁场的基本规律
- 2.0 重点
- 2.1 电荷守恒定律(电流连续性方程)
- 2.2 真空中电磁场的基本规律
- 2.4 媒质的电磁特性
- 2.4.1 极化
- 2.4.2 磁介质的磁化
- 2.4.3 媒质传导的特性
- 2.5 电磁感应定律与位移电流
- 2.6 麦克斯韦方程组
- 2.6.1 麦克斯韦方程组积分形式
- 2.6.2 麦克斯韦方程组微分形式
- 2.6.3 麦克斯韦方程组适用范围:一切宏观电磁现象
- 2.7 电磁场的边界条件
- 2.7.1 边界条件一般表达式:
- 2.7.2 两种常见情况
第一章 矢量分析
1.0 重点
- 梯度
- 散度
- 旋度
- 亥姆霍兹:知道就行
1.3 标量场的梯度 (用于标量场)
- 梯度定义:数值为方向导数最大值,方向为最大方向导数所指方向
方向导数:
- 标量场中一点MMM沿方向lll方向上场的变化率∂u∂l∣M0=limΔl→0u(M)−u(M0)Δl\left.\frac{\partial u}{\partial l}\right|_{M_0} = \lim\limits_{\Delta l \to 0}\frac{u(M)-u(M_0)}{\Delta l}∂l∂u∣∣∣∣M0=Δl→0limΔlu(M)−u(M0)
- 方向导数的计算公式 ∂u∂l=∂u∂xcosα+∂u∂ycosβ+∂u∂zcosγ\frac{\partial u}{\partial l} = \frac{\partial u}{\partial x}\cos\alpha + \frac{\partial u}{\partial y}\cos\beta + \frac{\partial u}{\partial z}\cos\gamma∂l∂u=∂x∂ucosα+∂y∂ucosβ+∂z∂ucosγ
- 表达式gradu=(ex∂∂x+ey∂∂x+ez∂∂x)u=ex∂u∂x+ey∂u∂x+ez∂u∂x=▽ugrad\;u = \left(e_x\frac{\partial}{\partial x} + e_y\frac{\partial}{\partial x} + e_z\frac{\partial}{\partial x}\right)u = e_x\frac{\partial u}{\partial x} + e_y\frac{\partial u}{\partial x} + e_z\frac{\partial u}{\partial x} = \triangledown ugradu=(ex∂x∂+ey∂x∂+ez∂x∂)u=ex∂x∂u+ey∂x∂u+ez∂x∂u=▽u
- 梯度运算基本公式
{▽C=0▽(Cu)=C▽u▽(u±v)=▽u±▽v▽(uv)=u▽v+v▽u▽f(u)=f′(u)▽u\left\{ \begin{array}{lr} \triangledown C = 0\\\triangledown(Cu) = C\triangledown u\\\triangledown(u\pm v)=\triangledown u \pm \triangledown v \\\triangledown(uv)=u\triangledown v+v\triangledown u\\\triangledown f(u)=f'(u)\triangledown u \end{array} \right. ⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎪⎪⎪⎪⎧▽C=0▽(Cu)=C▽u▽(u±v)=▽u±▽v▽(uv)=u▽v+v▽u▽f(u)=f′(u)▽u
1.4 矢量场通度与散度(用于矢量场)
- 散度定义:反应场域中每一点的通量特性
通量
- 定义:用于描述矢量场在一定的空间面积内,场的大小或一些性质Ψ=∫SF⋅dS=∫SF⋅endS\varPsi = \int_S F \cdot dS = \int_S F \cdot e_n dSΨ=∫SF⋅dS=∫SF⋅endS
若为闭合曲面则为:
Ψ=∮SF⋅dS=∮SF⋅endS\varPsi = \oint_S F \cdot dS = \oint_S F \cdot e_n dSΨ=∮SF⋅dS=∮SF⋅endS
散度图解:
计算式:divF=∂Fx∂x+∂Fy∂y+∂Fz∂z=(ex∂∂x+ey∂∂z+ez∂∂z)⋅(exFx+eyFy+ezFz)=▽⋅Fdiv\;F = \frac{\partial F_x}{\partial x} + \frac{\partial F_y}{\partial y} + \frac{\partial F_z}{\partial z} \\= \left(e_x\frac{\partial}{\partial x} + e_y\frac{\partial}{\partial z} + e_z\frac{\partial}{\partial z}\right)\cdot(e_xF_x + e_yF_y + e_zF_z) = \triangledown \cdot FdivF=∂x∂Fx+∂y∂Fy+∂z∂Fz=(ex∂x∂+ey∂z∂+ez∂z∂)⋅(exFx+eyFy+ezFz)=▽⋅F
散度定理:面积分和体积分的相互转化
∫V▽⋅FdV=∮SF⋅dS\int_V \triangledown \cdot F dV = \oint_S F \cdot dS∫V▽⋅FdV=∮SF⋅dS
散度的基本公式
{▽⋅C⃗=▽⋅C⃗=0(C为常矢量)▽⋅(C⃗f)=C⃗⋅▽f▽⋅(kF⃗)=f▽⋅F⃗(k为常量)▽⋅(fF⃗)=f▽⋅F⃗+F⃗⋅▽f▽⋅(F⃗±G⃗)=▽⋅F⃗±▽⋅G⃗\left\lbrace \begin{array}{lr} \triangledown \cdot \vec{C} = \triangledown \cdot \vec{C} = 0 \;(C为常矢量)\\ \triangledown \cdot (\vec{C}f) = \vec{C}\cdot \triangledown f\\ \triangledown \cdot (k\vec{F}) = f\triangledown \cdot \vec{F}\;(k为常量)\\ \triangledown \cdot (f\vec{F})=f\triangledown \cdot \vec{F}+\vec{F}\cdot\triangledown f\\ \triangledown\cdot(\vec{F}\pm\vec{G}) = \triangledown \cdot \vec{F}\pm\triangledown \cdot \vec{G} \end{array} \right. ⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎪⎪⎪⎪⎪⎧▽⋅C=▽⋅C=0(C为常矢量)▽⋅(Cf)=C⋅▽f▽⋅(kF)=f▽⋅F(k为常量)▽⋅(fF)=f▽⋅F+F⋅▽f▽⋅(F±G)=▽⋅F±▽⋅G
1.5 矢量场环流与旋度(用于矢量场)
- 旋度定义:其方向为MMM点旋度取最大值的面元法线方向,大小等于环流面密度最大值
环流(标量)
- 环流定义:矢量场F\;F\;F沿场中的一条闭合路径C\;C\;C的曲线积分
定义式:
Γ=∮CF⋅dl\Gamma = \oint_C F \cdot dlΓ=∮CF⋅dl- 漩涡源:环流不等于0,场中则有产生改矢量场的源,其既不发出又不汇聚矢量线
- 环流面密度(标量):用来分析每一点附近的环流状态(可以类比方向导数)
dS\;dS\;dS的法线en\;e_n\;en方向上的环流面密度为:
rotF=limΔS→0∮CF⋅dlΔSrot\; F = \lim\limits_{\Delta S \to 0}\frac{\oint_CF\cdot dl}{\Delta S}rotF=ΔS→0limΔS∮CF⋅dl
定义式:其中n\;n\;n即为en\;e_n\;en
rotF=nlimΔS→01ΔS∮CF⋅dl∣maxrot \; F = \left.n \; \lim\limits_{\Delta S \to 0}\frac{1}{\Delta S}\oint_CF\cdot dl\;\right|_{max}rotF=nΔS→0limΔS1∮CF⋅dl∣∣∣∣max旋度计算式:
rotF=(ex∂∂x+ey∂∂y+ez∂∂z)×(exFx+eyFy+ezFz)=▽×Frot\;F=\left(e_x\frac{\partial}{\partial x}+e_y\frac{\partial}{\partial y}+e_z\frac{\partial}{\partial z}\right)\times (e_x F_x + e_y F_y + e_z F_z) = \triangledown \times FrotF=(ex∂x∂+ey∂y∂+ez∂z∂)×(exFx+eyFy+ezFz)=▽×F
即:
∣exeyez∂∂x∂∂y∂∂zFxFxFx∣\left|\begin{array}{cccc} e_x & e_y & e_z \\ \frac{\partial}{\partial x} & \frac{\partial}{\partial y} & \frac{\partial}{\partial z}\\ F_x & F_x & F_x \end{array}\right| ∣∣∣∣∣∣ex∂x∂Fxey∂y∂Fxez∂z∂Fx∣∣∣∣∣∣斯托克斯定理(类比高斯定理):
∫S▽×F⋅dS=∮CF⋅dl\int_S \triangledown \times F \cdot dS = \oint_CF\cdot dl∫S▽×F⋅dS=∮CF⋅dl
旋度的有关公式
{▽×(⃗C)=0▽×(C⃗f)=▽f×C⃗▽(F⃗±G⃗)=f▽×F⃗±▽×G⃗△⋅(F⃗×G⃗)=G⃗⋅▽×F⃗−F⃗⋅▽×G⃗▽⋅(▽×F⃗)≡0矢量场的旋度的散度恒为零▽×(▽u)≡0标量场的旋度恒为零\left\{ \begin{array}{lr} \triangledown\times\vec(C)=0 \\ \triangledown\times(\vec{C}f) = \triangledown f\times\vec{C}\\ \triangledown(\vec{F}\pm\vec{G})=f\triangledown\times\vec{F}\pm \triangledown \times\vec{G}\\ \triangle\cdot(\vec{F}\times\vec{G})=\vec{G}\cdot\triangledown \times \vec{F}-\vec{F}\cdot\triangledown\times\vec{G}\\ \triangledown\cdot(\triangledown\times\vec{F})\equiv 0\;\;矢量场的旋度的散度恒为零\\ \triangledown\times(\triangledown u)\equiv 0\;\;标量场的旋度恒为零 \end{array} \right . ⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎧▽×(C)=0▽×(Cf)=▽f×C▽(F±G)=f▽×F±▽×G△⋅(F×G)=G⋅▽×F−F⋅▽×G▽⋅(▽×F)≡0矢量场的旋度的散度恒为零▽×(▽u)≡0标量场的旋度恒为零
1.8 亥姆霍兹定理
- 亥姆霍兹定理:在有限区域内,矢量场由它的散度散度、旋度、边界条件唯一的确定
亥姆霍兹定理说明:在无界空间区域,矢量场可以由其散度及旋度确定
第二章 电磁场的基本规律
2.0 重点
- 电荷守恒定理:内容知道
- 真空中经典场基本规律:电场强度计算
- 磁场计算:利用散度定理
- 媒质:电位移和电场之间的关系、磁场和磁感应强度的关系
- 系数的运用:介电常数、磁道率、电导率
- 感性电动势的计算
- 麦克斯韦方程:积分形式、微分形式
- 电磁场边界条件:知道边界形式、电磁场边界条件的一般形式
2.1 电荷守恒定律(电流连续性方程)
- 电荷守恒定律:
电荷既不能被创造,也不能被消灭,只能从物体的一部分转移到另一部分,或者从一个物体转移到另一个物体。
- 电流连续性方程:
(流出闭曲面SSS的电流等于体积VVV内单位所减少的电荷)积分形式∮SJ⃗⋅dS⃗=−dqdt=−d∫VρdVdt微分形式▽⋅J⃗=−∂ρ∂t积分形式\;\;\oint_S\vec{J}\cdot d\vec{S}=-\frac{dq}{dt} =-\frac{d\int_V\rho dV}{dt}\\ 微分形式\;\;\triangledown \cdot\vec{J}=-\frac{\partial \rho}{\partial t}积分形式∮SJ⋅dS=−dtdq=−dtd∫VρdV微分形式▽⋅J=−∂t∂ρ
- 恒定电流的连续性方程:
(恒定电流是无源场,电流线是连续的闭合曲线,既无起点也无终点)∂ρ∂t=0⇒▽⋅J⃗∮SJ⃗⋅dS⃗=0\frac{\partial \rho}{\partial t}=0\;\;\;\Rightarrow\triangledown\cdot\vec{J}\;\;\;\;\;\oint_S\vec{J}\cdot d\vec{S}=0∂t∂ρ=0⇒▽⋅J∮SJ⋅dS=0
2.2 真空中电磁场的基本规律
- 电荷分布
- 电荷体密度
q=∫VρV(r⃗)dVq =\int_V\rho_V(\vec{r})dV q=∫VρV(r)dV - 电荷面密度
q=∫SρS(r⃗)dSq=\int_S\rho_S(\vec{r})dS q=∫SρS(r)dS - 电荷线密度
q=∫Cρl(r⃗)dlq=\int_C\rho_l(\vec{r})dl q=∫Cρl(r)dl - 点电荷在空间中的密度
q(r⃗)=qδ(r⃗−r′⃗)q(\vec{r})=q\delta(\vec{r}-\vec{r'}) q(r)=qδ(r−r′)
- 电荷体密度
- 电流与电流密度
- 电流:
i=limΔt→0△q△t=dqdti=\lim\limits_{\Delta t \to 0}\frac{\triangle q}{\triangle t}=\frac{dq}{dt} i=Δt→0lim△t△q=dtdq - 电流密度:
- 电流:
en{e_n}en为正电荷流动的方向
J⃗=en⃗limΔS→0ΔiΔS=en⃗didS\vec{J}=\vec{e_n}\lim\limits_{\Delta S \to 0}\frac{\Delta i}{\Delta S}=\vec{e_n}\frac{di}{dS} J=enΔS→0limΔSΔi=endSdi
库伦定律:
真空中电荷q1\;q_1\;q1对电荷q2\;q_2\;q2的作用力
F12⃗=eR⃗q1q24πε0R122⃗=q1q2R12⃗4πε0R123⃗\vec{F_{12}}=\vec{e_R}\frac{q_1q_2}{4\pi\varepsilon_0\vec{R^2_{12}}}=\frac{q_1q_2\vec{R_{12}}}{4\pi\varepsilon_0\vec{R^3_{12}}} F12=eR4πε0R122q1q2=4πε0R123q1q2R12电场强度
- 真空中静电荷q\;q\;q激发的电场
E⃗(r⃗)=qR⃗4πε0R3⃗\vec{E}(\vec{r})=\frac{q\vec{R}}{4\pi\varepsilon_0\vec{R^3}} E(r)=4πε0R3qR - 体密度为ρ(r⃗)\;\rho(\vec{r})\;ρ(r)的体分布电荷的电场强度
E⃗(r⃗)=∑i=1ρ(ri′⃗)△ViRi⃗4πε0Ri3=14πε0∫Vρ(r′⃗)R⃗R3dV′\vec{E}(\vec{r})=\sum_{i=1}\frac{\rho(\vec{r'_i})\triangle V_i\vec{R_i}}{4\pi\varepsilon_0 R^3_i}\\ =\frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\int_V\frac{\rho(\vec{r'})\vec{R}}{R^3}dV' E(r)=i=1∑4πε0Ri3ρ(ri′)△ViRi=4πε01∫VR3ρ(r′)RdV′ - 面密度为ρS(r⃗)\;\rho_S(\vec{r})\;ρS(r)的面分布电荷的电场强度
E⃗(r⃗)=14πε0∫sρS(r′⃗)R⃗R3dS′\vec{E}(\vec{r})=\frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\int_s\frac{\rho_S(\vec{r'})\vec{R}}{R^3}dS' E(r)=4πε01∫sR3ρS(r′)RdS′ - 线密度为ρl(r⃗)\;\rho_l(\vec{r})\;ρl(r)的面分布电荷的电场强度
E⃗(r⃗)=14πε0∫sρl(r′⃗)R⃗R3dl′\vec{E}(\vec{r})=\frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\int_s\frac{\rho_l(\vec{r'})\vec{R}}{R^3}dl' E(r)=4πε01∫sR3ρl(r′)Rdl′ - 无限长直导线的电场强度
Eρ=ρl2πε0ρE_\rho=\frac{\rho_l}{2\pi\varepsilon_0\rho} Eρ=2πε0ρρl
- 真空中静电荷q\;q\;q激发的电场
静电场的散度和旋度
静电场散度与高斯定理
- 微分形式
▽⋅E⃗(r⃗)=ρ(r⃗)ε0\triangledown \cdot\vec{E}(\vec{r})=\frac{\rho(\vec{r})}{\varepsilon_0} ▽⋅E(r)=ε0ρ(r) - 积分形式
∮SE⃗(r⃗)⋅dS⃗=1ε0∫Vρ(r⃗)dV\oint_S\vec{E}(\vec{r})\cdot d\vec{S}=\frac{1}{\varepsilon_0}\int_V\rho(\vec{r})dV ∮SE(r)⋅dS=ε01∫Vρ(r)dV
高斯定理表明:静电场是有源场,电场线起始于正电荷,终止于负电荷
- 微分形式
静电场旋度与环路定理
- 微分形式
▽×E⃗(r⃗)=0\triangledown\times\vec{E}(\vec{r})=0 ▽×E(r)=0 - 积分形式
∮CE⃗(r⃗)⋅l⃗=0\oint_C\vec{E}(\vec{r})\cdot\vec{l}=0 ∮CE(r)⋅l=0
环路定理表明:静电场是无旋场,是保守场,电场力做工与路径无关
- 微分形式
真空中恒定磁场的基本规律
- 安培定律
F12⃗=μ04π∫C2∫C1I2dl2⃗×(I1dl1⃗×R12⃗)R123F12⃗=∮C2I2dl2⃗×(μ04π∮C1I1dl1⃗×R12R123)=∮C2I2dl2⃗×B1⃗(r2⃗)其中:B1⃗(r2⃗)=μ04π∮C1I1dl1⃗×R12⃗R123\vec{F_{12}}=\frac{\mu_0}{4\pi}\int_{C_2}\int_{C_1}\frac{I_2d\vec{l_2}\times(I_1d\vec{l_1}\times\vec{R_{12}})}{R^3_{12}}\\ \vec{F_{12}}=\oint_{C_2}I_2d\vec{l_2}\times(\frac{\mu_0}{4\pi}\oint_{C_1}\frac{I_1d\vec{l_1}\times{R_{12}}}{R^3_{12}}) \\ =\oint_{C_2}I_2d\vec{l_2}\times\vec{B_1}(\vec{r_2})\\ 其中: \vec{B_1}(\vec{r_2})=\frac{\mu_0}{4\pi}\oint_{C_1}\frac{I_1d\vec{l_1}\times\vec{R_{12}}}{R^3_{12}} F12=4πμ0∫C2∫C1R123I2dl2×(I1dl1×R12)F12=∮C2I2dl2×(4πμ0∮C1R123I1dl1×R12)=∮C2I2dl2×B1(r2)其中:B1(r2)=4πμ0∮C1R123I1dl1×R12
- 安培定律
电磁感性强度
- 任意回路C\;C\;C
B⃗(r⃗)=μ04π∮CIdl′⃗×(r⃗−r′⃗)∣r⃗−r′⃗∣3=μ04π∮CIdl′⃗×R⃗R3\vec{B}(\vec{r})=\frac{\mu_0}{4\pi}\oint_C\frac{Id\vec{l'}\times(\vec{r}-\vec{r'})}{\left|\vec{r}-\vec{r'}\right|^3}=\frac{\mu_0}{4\pi}\oint_C\frac{Id\vec{l'}\times\vec{R}}{R^3} B(r)=4πμ0∮C∣∣∣r−r′∣∣∣3Idl′×(r−r′)=4πμ0∮CR3Idl′×R - 体电流
B⃗(r⃗)=μ04π∮VJ⃗(r′⃗)×R⃗R3dV′\vec{B}(\vec{r})=\frac{\mu_0}{4\pi}\oint_V\frac{\vec{J}(\vec{r'})\times\vec{R}}{R^3}dV' B(r)=4πμ0∮VR3J(r′)×RdV′ - 面电流
B⃗(r⃗)=μ04π∮SJS⃗(r′⃗)×R⃗R3dS′\vec{B}(\vec{r})=\frac{\mu_0}{4\pi}\oint_S\frac{\vec{J_S}(\vec{r'})\times\vec{R}}{R^3}dS' B(r)=4πμ0∮SR3JS(r′)×RdS′ - 无限长直导线的电场强度
B⃗=eϕ⃗μ0I2πa\vec{B}=\vec{e_{\phi}}\frac{\mu_0I}{2\pi a} B=eϕ2πaμ0I
- 任意回路C\;C\;C
恒定磁场的散度和旋度
- 恒定磁场的散度和磁通连续性原理
- 微分形式
▽⋅B⃗(r⃗)=0\triangledown\cdot\vec{B}(\vec{r})=0 ▽⋅B(r)=0磁通连续性原理表明:恒定磁场是无源场,磁场线是无起点和终点的闭合曲线
- 积分形式
∮SB⃗(r⃗)⋅dS⃗=0\oint_S\vec{B}(\vec{r})\cdot d\vec{S}=0 ∮SB(r)⋅dS=0安培环路定理表明: 恒定磁场是有旋场,是非保守场、电流是磁场的旋涡源
- 微分形式
- 恒定磁场的散度和磁通连续性原理
2.4 媒质的电磁特性
- 媒介质对电磁场的响应可分为三种:极化、磁化、传导
分别对应的参数是:介电常数ε\;\varepsilon\;ε、磁道率μ\;\mu\;μ、导电率σ\;\sigma\;σ
2.4.1 极化
电介质的极化
- 定义:在电场作用下,介质中有极分子的束缚电荷发生位移,有极分子的固有电偶极矩的取向趋于电场方向。
- 图解:
通常有极分子叫取向极化,无极分子叫位移极化
极化强度矢量P⃗(C/m2)\;\vec{P}(C/m^2)\;P(C/m2)
- 物理意义:单位体积内分子电偶极矩的矢量和
- P⃗=χeε0E⃗\vec{P} = \chi_e\varepsilon_0\vec{E}P=χeε0E
χe\chi_e\;χe:电介质的电极化率
电位移矢量(介质中的高斯定理)
- 定义式:D⃗=εE⃗+P⃗\;\vec{D}=\varepsilon\vec{E}+\vec{P}\;D=εE+P
- 与电场强度E\;E\;E之间的关系:
D⃗=ε(1+χe)E⃗=εE⃗=εrε0E⃗\vec{D}=\varepsilon(1+\chi_e)\vec{E}=\varepsilon\vec{E}=\varepsilon_r\varepsilon_0\vec{E} D=ε(1+χe)E=εE=εrε0E
电介质中基本方程
{▽⋅D⃗=ρ▽×E⃗=0\left\{ \begin{array}{lr} \triangledown\cdot\vec{D}=\rho\\ \triangledown\times\vec{E}=0 \end{array} \right . {▽⋅D=ρ▽×E=0
2.4.2 磁介质的磁化
磁介质的磁化
- 定义:在外磁场作用下,分子磁矩定向排列,宏观上显示出磁性,这种现象称为磁介质的磁化
- 图解
磁化强度矢量M⃗\;\vec{M}\;M
- 定义:单位体积内的分子磁矩的矢量和
- 与磁场强度的关系:
M⃗=χmH⃗B⃗=μ0(1+χm)H⃗=μH⃗\vec{M}=\chi_m\vec{H}\\ \vec{B}=\mu_0(1+\chi_m)\vec{H}=\mu\vec{H} M=χmHB=μ0(1+χm)H=μH
2.4.3 媒质传导的特性
- 定义:存在可以自由移动带电例子的介质称为导电媒质。在外场作用下,导电媒质中将形成定向流动电流。
- 公式:J⃗=σE⃗\;\vec{J}=\sigma\vec{E}J=σE
2.5 电磁感应定律与位移电流
- 电磁感应定律 ➡️ 揭示时变磁场产生电场
- 位移电流 ➡️ 揭示时变电场产生磁场
重要结论:在时变情况下,电场与磁场相互激励,形成统一的电磁场
法拉第电磁感应定律
定义式:∮CEin⃗⋅dl⃗=−ddt∫SB⃗⋅dS⃗\oint_C\vec{E_{in}}\cdot d\vec{l}=-\frac{d}{dt}\int_S\vec{B}\cdot d\vec{S}∮CEin⋅dl=−dtd∫SB⋅dS
- 对于空间中任意回路都存在
- 感应电场为Ein⃗\;\vec{E_{in}}\;Ein
- Ein⃗\vec{E_{in}}\;Ein由感应电动势产生:εin=∮CEin⃗⋅dl⃗\;\varepsilon_{in}=\oint_C\vec{E_{in}}\cdot d\vec{l}\;εin=∮CEin⋅dl
- εin\varepsilon_{in}\;εin由变化的磁通量产生:
εin=−dΨdt\varepsilon_{in}=-\frac{d\varPsi}{dt}εin=−dtdΨ图解:
推广的法拉第电磁感应定律
- 空间中同时存在由电荷产生的电场Ec⃗\;\vec{E_c}\;Ec
总电场E⃗=Ein⃗+Ec⃗\;\vec{E}=\vec{E_{in}}+\vec{E_c}\;E=Ein+Ec
由于∮CEc⃗⋅dl⃗=0\;\oint_C\vec{E_c}\cdot d\vec{l}=0\;∮CEc⋅dl=0
故有
∮CE⃗⋅dl⃗=−ddt∫SB⃗⋅dS⃗\oint_C\vec{E}\cdot d\vec{l}=-\frac{d}{dt}\int_S\vec{B}\cdot d\vec{S}∮CE⋅dl=−dtd∫SB⋅dS
- 空间中同时存在由电荷产生的电场Ec⃗\;\vec{E_c}\;Ec
引起法拉第电磁感应定律的几种情况
回路不变,磁场随时间变化
- 积分形式:
∮CE⃗⋅dl⃗=−∫S∂B⃗∂t⋅dS⃗\oint_C\vec{E}\cdot d\vec{l}=-\int_S\frac{\partial\vec{B}}{\partial t}\cdot d\vec{S} ∮CE⋅dl=−∫S∂t∂B⋅dS - 微分形式(斯托克斯定理):
▽×E⃗=−∂B⃗∂t\triangledown\times\vec{E}=-\frac{\partial\vec{B}}{\partial t} ▽×E=−∂t∂B
- 积分形式:
导体回路在恒定磁场中运动
εin=∮CE⃗⋅dl⃗=∮C(v⃗×B⃗)⋅dl⃗\varepsilon_{in}=\oint_C\vec{E}\cdot d\vec{l}=\oint_C(\vec{v}\times\vec{B})\cdot d\vec{l} εin=∮CE⋅dl=∮C(v×B)⋅dl回路在时变磁场中运动
εin=∮C(v⃗×B⃗)⋅dl⃗−∫S∂B⃗∂t⋅dS⃗\varepsilon_{in}=\oint_C(\vec{v}\times\vec{B})\cdot d\vec{l}-\int_S\frac{\partial\vec{B}}{\partial t}\cdot d\vec{S} εin=∮C(v×B)⋅dl−∫S∂t∂B⋅dS相关例题:PPT第二章p71
2.6 麦克斯韦方程组
2.6.1 麦克斯韦方程组积分形式
{∮CH⃗⋅dl⃗=∮S(J⃗+∂D⃗∂t)⋅dS⃗∮CE⃗⋅dl⃗=−∫S∂B⃗∂t⋅dS⃗∮SB⃗⋅dS⃗=0∮SD⃗⋅dS⃗=∫Vρ\left\{ \begin{array}{lr} \oint_C\vec{H}\cdot d\vec{l}=\oint_S(\vec{J}+\frac{\partial\vec{D}}{\partial t})\cdot d\vec{S}\\ \oint_C\vec{E}\cdot d\vec{l}=-\int_S\frac{\partial\vec{B}}{\partial t}\cdot d\vec{S}\\ \oint_S\vec{B}\cdot d\vec{S}=0\\ \oint_S\vec{D}\cdot d\vec{S}= \int_V\rho \end{array} \right . ⎩⎪⎪⎪⎨⎪⎪⎪⎧∮CH⋅dl=∮S(J+∂t∂D)⋅dS∮CE⋅dl=−∫S∂t∂B⋅dS∮SB⋅dS=0∮SD⋅dS=∫Vρ
∮SJ⃗⋅dS⃗=−∫VρdV\oint_S\vec{J}\cdot d\vec{S}=-\int_V\rho dV∮SJ⋅dS=−∫VρdV
2.6.2 麦克斯韦方程组微分形式
- {▽×H⃗=J⃗+∂D⃗∂t▽×E⃗=−∂B⃗∂t▽⋅B⃗=0▽⋅D⃗=ρ\left\{ \begin{array}{lr} \triangledown \times\vec{H}=\vec{J}+\frac{\partial\vec{D}}{\partial t}\\ \triangledown \times\vec{E}=-\frac{\partial\vec{B}}{\partial t}\\ \triangledown\cdot \vec{B}=0\\ \triangledown\cdot\vec{D}=\rho \end{array} \right . ⎩⎪⎪⎪⎨⎪⎪⎪⎧▽×H=J+∂t∂D▽×E=−∂t∂B▽⋅B=0▽⋅D=ρ
2.6.3 麦克斯韦方程组适用范围:一切宏观电磁现象
相关例题:PPT第二章p87
2.7 电磁场的边界条件
2.7.1 边界条件一般表达式:
{en⃗×(H1⃗−H2⃗)=JS⃗en⃗×(E1⃗−E2⃗)=0en⃗⋅(B1⃗−B2⃗)=0en⃗⋅(D1⃗−D2⃗)=ρS\left\{ \begin{array}{lr} \vec{e_n}\times(\vec{H_1}-\vec{H_2})=\vec{J_S}\\ \vec{e_n}\times(\vec{E_1}-\vec{E_2})=0\\ \vec{e_n}\cdot(\vec{B_1}-\vec{B_2})=0\\ \vec{e_n}\cdot(\vec{D_1}-\vec{D_2})=\rho_S \end{array} \right . ⎩⎪⎪⎪⎨⎪⎪⎪⎧en×(H1−H2)=JSen×(E1−E2)=0en⋅(B1−B2)=0en⋅(D1−D2)=ρS
2.7.2 两种常见情况
- 在两种理想介质分界面上,通常没有电荷和电流分布,即JS=0ρS=0\;J_S=0\;\;\;\rho_S=0\;JS=0ρS=0,故
{en⃗×(H1⃗−H2⃗)=0en⃗×(E1⃗−E2⃗)=0en⃗⋅(B1⃗−B2⃗)=0en⃗⋅(D1⃗−D2⃗)=0\left\{ \begin{array}{lr} \vec{e_n}\times(\vec{H_1}-\vec{H_2})=0\\ \vec{e_n}\times(\vec{E_1}-\vec{E_2})=0\\ \vec{e_n}\cdot(\vec{B_1}-\vec{B_2})=0\\ \vec{e_n}\cdot(\vec{D_1}-\vec{D_2})=0 \end{array} \right . ⎩⎪⎪⎪⎨⎪⎪⎪⎧en×(H1−H2)=0en×(E1−E2)=0en⋅(B1−B2)=0en⋅(D1−D2)=0 - 理想导体表面上的边界条件
理想导体:电导率为无限大的导电媒质
特征:电磁场不可能进入理想导体内设媒质2为理想导体,则E2D2H2B2\;E_2\;\;D_2\;\;H_2\;\;B_2\;E2D2H2B2均为零,故
{en⃗×H⃗=JS⃗en⃗×E⃗=0en⃗⋅B⃗=0en⃗⋅D⃗=ρS\left\{ \begin{array}{lr} \vec{e_n}\times\vec{H}=\vec{J_S}\\ \vec{e_n}\times\vec{E}=0\\ \vec{e_n}\cdot\vec{B}=0\\ \vec{e_n}\cdot\vec{D}=\rho_S \end{array} \right . ⎩⎪⎪⎪⎨⎪⎪⎪⎧en×H=JSen×E=0en⋅B=0en⋅D=ρS相关例题:PPT第二章P96
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