芯片工艺中的7nm和5nm这两个数值，代表的是芯片晶体管导电沟道的长度，业内称之为“晶体管的栅极宽度”。

栅极宽度是芯片电路中最窄的线条，通常情况下，栅极宽度的数值越小，晶体管的尺寸就越小，芯片单位面积所能容纳的晶体管就越多，芯片的性能会随着晶体管数量的增多而变强，功耗也会随着晶体管尺寸的缩小而变小。

所以从理论上来说，同一单位面积下，5nm栅极宽度的芯片比7nm栅极宽度的芯片性能更强，功耗更低。

按照芯片制造工艺的技术角度来看，5nm制程工艺已经很接近极限了，但所谓的纳米级芯片制造工艺的数值，并不能真正的代表栅极宽度的数值。

拿台积电的7nm工艺为例，N7、N7+、N7P这些，所对应的晶体管密度是存在差距的，N7和N7P的密度为96.5MTr，而N7+的密度为113.9MTr，同为7nm工艺，N7+工艺下的芯片性能就会更强一些。

芯片所说的5nm和7nm这些，在当下只能算是一个名称，各芯片代工商对于芯片工艺的衡量标准不同，所以芯片的性能还是要以芯片的密度为参考标准更准确一些。

至于5nm芯片和7nm芯片的差别在哪里，除了工艺的技术难度不同，感知最强的差别就是性能了，拿5nm工艺的苹果A14和7nm工艺的苹果A13为例，A14有118亿个晶体管，A13有85亿个晶体管，A14相较于A13，CPU性能增幅大概16%，GPU性能增幅大概8.3。

虽说A14相较于A13的整体性能提升不大，但上文也说了，5nm工艺现在已经很接近极限了，A14芯片增加了5G基带的使用，对于芯片体积和兼容度要求大大提高，CPU和GPU能够提升到如此已经很难得了。

二个问题：CPU已经很小了，可以做大点吗？

智能手机是一种很精密的数码产品，内部空间可以说得上是“寸土寸金”，如果芯片的性能不再依靠工艺的突破而提升，而是依靠增大体积来增加性能，那手机内部可用的空间将会随之变小，无法容下更多的元器件，也就意味着手机的一些功能会随之丢失，这是智能手机该有的发展趋势吗？显然不是。

CPU作为芯片的重要组成部分，理论上来说，增大体积是可以增加晶体管数量的，性能也会随着芯片体积的增大而变强，试想一下，芯片制程工艺停滞不前，芯片性能全靠增大芯片体积来实现，未来的智能手机会不会变成“大哥大”那样尺寸的数码产品呢？这显然不是拥有“便携属性”的智能手机该有的样子。

所以，提升芯片的性能，可以通过提升芯片的尺寸来达成，但对于手机的发展、芯片的发展，乃至科技的发展，都是一个背道而驰的解决方案。

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