松木ME50P06 P沟道 60V (D-S) MOSFET（替代）长电CJU50P06方案

P 沟道 60V (D-S) MOSFET

ME50P06 一般说明

ME50P06 是 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适合最大限度地减少导通电阻。这些设备特别适合对于低电压应用，如手机和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，需要在非常小的外形表面贴装封装中实现低在线功率损耗。

ME50P06 特征

● RDS(ON)≦17mΩ@VGS=-10V

● RDS(ON)≦20mΩ@VGS=-4.5V

● 超高密度电池设计，RDS(ON) 极低

● 出色的导通电阻和最大直流电流能力

ME50P06 应用

● 笔记本电源管理

● DC/DC 转换器

● 负载开关

● LCD 显示逆变器

CJU50P06一般说明

CJU50P06 采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的 RDS(on) 和低栅极电荷。它可用于多种应用。

CJU50P06特征

先进的沟槽工艺技术

可靠且坚固

用于超低导通电阻的高密度电池设计

CJU50P06应用

笔记本电脑的电源管理

便携式设备和电池供电系统

CJU50P06封装

TO-252-2L 塑封 MOSFET

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