ENJ2010 IGBT便携式测试仪

系统概述：

IGBT作为目前主流的电力半导体开关器件，已广泛应用于电力电子相关行业，一台轻巧便携的测试仪就显得尤为重要。便携式IGBT测试仪，是一种全新的功率半导体器件参数测试仪器，可用于额定电流在2-100A的IGBT和MOS管主要静态参数的测试。仪器与配套电脑连接使用，通过友好人机界面操作，便于各测试参数的组合、数据结果以表格形式呈现，具有使用便捷、测试精度高等优点，适合于各测试器件使用现场及产线维护场合使用。

该测试系统具有如下特点：

该测试系统是一套综合参数测试系统，对设备自身的抗干扰能力要求较高，因此难度比较大；

该测试系统完全采用自动控制，测试可按测试员设定的程序进行自动测试；

该系统采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转化为 EXCEL 文件进行处理。

该测试系统主要由以下部分组成：

栅极-发射极漏电流测试单元

栅极-发射极阈值电压测试单元

集电极-发射极电压测试单元

集电极-发射极饱和电压测试单元

二极管压降测试单元

二极管反向击穿电压测试单元

  测试范围/Test range

栅极/Gate

发射极/Emitter

VGES：1-40V 分辨率/Resolving power 0.1V

IGES：0.1-10Ua 分辨率/Resolving power 0.01uA

Vce：0V

集电极/Collector
发射极/Emitter

Vces：100-3000V 分辨率/Resolving power 10V

Ices：100uA-5mA 分辨率/Resolving power 10uA

栅极发射极阈值电压

Grid emitter threshold voltage

Vge(th)：1-10V 分辨率/Resolving power 0.1V

集电极Collector/发射极Emitter

饱和电压/Saturation voltage

VCE(sat)：0.2-5V 分辨率/Resolving power 0.01V

ICE：10-100A 分辨率/Resolving power 1A

二极管/Diode
压降/Pressure drop

VF：0.01-5V 分辨率/Resolving power 0.01V

IF：1-100A 分辨率/Resolving power 1A

Vge：0V

二极管反向最大/Diode reversal maximum

可恢复直流电压/Recover dc voltage

Vces：100-3000V 分辨率/Resolving power 10V

Ices：100uA-5mA 分辨率/Resolving power 10uA

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