配置DS18B20温度传感器

配置初始化函数

DS18B20的通信协议为单总线通信协议

首先由主机发送一个复位脉冲约480-960us；然后总线被拉高；在15-60us之后传感器向单片机发送一个约60-240us的存在脉冲，然后总线被拉高。

uint8_t DS18B20_Rst(void)
{DS18B20_GPIO_Config ();DS18B20_DQ_1;DS18B20_Mode_Out_PP();DS18B20_DQ_0;Delay_us(750);DS18B20_DQ_1;DS18B20_Mode_IPU();Delay_us(70);if(DS18B20_DQ_IN() == 0){Delay_us(240);if(DS18B20_DQ_IN() == 1)return 0;}else return 1;
}

配置写函数

当主机将数据线从高逻辑级别拉到低逻辑级别时，将启动写入时隙。有两种类型的写时槽：写1时槽和写0时槽。所有写入时隙的持续时间必须至少为60µs，且每个写入周期之间的恢复时间至少为1µs以上。在DQ线下降后，DS18B20在15µs到60µs的窗口中对DQ线进行采样。

如果DQ为高，则会出现Write1。如果DQ为低低，则会出现Write0。

要使主机生成写1时隙，必须将数据线拉到逻辑低级别，然后释放，允许数据线在写时隙开始后的15µs内拉到高级别。
要使主机生成写0时隙，必须将数据线拉到逻辑低级别，并在低级别保持60µs。

void Write_Byte(uint8_t dat)
{uint8_t tem = 0,i = 0;DS18B20_Mode_Out_PP();for(i = 0; i < 8;i++){tem = dat & 0x01;dat = dat >> 1;if(tem == 0){DS18B20_DQ_0;Delay_us(70);DS18B20_DQ_1;Delay_us(5);}if(tem == 1){DS18B20_DQ_0;Delay_us(5);DS18B20_DQ_1;Delay_us(60);}}
}

配置读函数

当要从DS18B20读取数据时，主机生成读取时隙。当主机将数据线从逻辑高级级别到逻辑低级别时，启动读取时隙。数据线必须保持在低逻辑级别至少1µs；来自DS18B20的输出数据在读取时隙边缘下降后15µs有效。因此，主机必须将DQ引脚拉低，以便从读取槽的开始读取其15µs的状态。在读取时隙结束时，DQ引脚将通过外部上拉电阻重新拉高。所有读取时间槽的持续时间必须至少为60µs，每个读取时间槽之间的恢复时间至少为1-µs。

uint8_t Read_Byte(void)
{uint8_t dat = 0,num = 0,i = 0;for(i = 0; i < 8;i++){uint8_t num = 0;DS18B20_Mode_Out_PP();DS18B20_DQ_0;Delay_us(15);DS18B20_Mode_IPU();if(DS18B20_DQ_IN() == 0)num = 0;elsenum = 1;Delay_us(50);dat = (num << i) | dat;}return dat;
}

供电配置

要搭配硬件电路使用

void Power_Select(uint8_t value)
{DS18B20_WriteByte(0xB4);if(value == 1)DS18B20_WriteByte(1);if(value == 0)DS18B20_WriteByte(0);
}

读取芯片ID

void DS18B20_ReadId ( uint8_t * ds18b20_id )
{uint8_t uc;DS18B20_WriteByte(0x33);    //发送读取ID的命令for ( uc = 0; uc < 8; uc ++ )ds18b20_id [ uc ] = DS18B20_ReadByte();
}

跳过匹配ROM

static void DS18B20_SkipRom ( void )
{DS18B20_Rst();      DS18B20_WriteByte(0XCC);
}

匹配ROM

static void DS18B20_MatchRom ( void )
{DS18B20_Rst();    DS18B20_WriteByte(0X55);
}

读取温度的两种模式

匹配ROM的情况下

float DS18B20_GetTemp_MatchRom ( uint8_t * ds18b20_id )
{uint8_t tem_h, tem_l, i;short s_tem;float f_tem;//匹配ROMDS18B20_Rst();     DS18B20_WriteByte(0X55);for(i=0;i<8;i++)DS18B20_WriteByte ( ds18b20_id [ i ] );    DS18B20_WriteByte(0X44);    //启动温度转换。//匹配ROMDS18B20_Rst();     DS18B20_WriteByte(0X55); for(i = 0; i < 8; i++)DS18B20_WriteByte ( ds18b20_id [ i ] ); DS18B20_WriteByte(0XBE);    //从暂存器中读取字节和CRC字节。  tem_l = DS18B20_ReadByte();    //tem_l接受低八位 tem_h = DS18B20_ReadByte(); //tem_h接受高八位s_tem = tem_h << 8;s_tem = s_tem | tem_l;     //s_tem存储温度的初始值//将温度转换为float型、摄氏度if( s_tem < 0 ) f_tem = (~s_tem+1) * 0.0625;  elsef_tem = s_tem * 0.0625;//返回温度的值return f_tem;
}

不匹配ROM的情况下

float DS18B20_GetTemp_SkipRom ( void )
{uint8_t tem_h, tem_l;short s_tem;float f_tem;DS18B20_SkipRom ();DS18B20_WriteByte(0X44);       //启动温度转换。DS18B20_SkipRom ();DS18B20_WriteByte(0XBE);        tem_l = DS18B20_ReadByte();         tem_h = DS18B20_ReadByte(); s_tem = tem_h << 8;s_tem = s_tem | tem_l;if( s_tem < 0 )       f_tem = (~s_tem + 1) * 0.0625;    elsef_tem = s_tem * 0.0625;return f_tem;
}

配置主函数

int main(void)
{   uint8_t uc, ucDs18b20Id [ 8 ];SysTick_Init();LED_GPIO_Config();DS18B20_GPIO_Config();USART_Config();while( DS18B20_Rst() == 1)    printf("\r\n DS18B20初始化成功 \r\n"); printf("\r\n DS18B20初始化失败 \r\n");DS18B20_ReadId ( ucDs18b20Id  );           //读取序列号printf("\r\n序列号为：0x");for ( uc = 0; uc < 8; uc ++ )             //打印序列号printf ( "%.2x", ucDs18b20Id [ uc ] );while(1){    printf ( "温度为： %.1f\r\n", DS18B20_GetTemp_MatchRom ( ucDs18b20Id ) );Delay_ms(1000);   }
}

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