ＯＯＢ：
是ｏｕｔ　ｏｆ　ｂａｎｋ，引入这个是因为ｎａｎｄ　ｆｌａｓｈ有１个缺陷（位反转），解决是在每写１页数据后将生成的校验码写入，可以找出并修正某个错误位。

1、K9F1208U0B NAND FLASH内部的物理结构

从下图可以知道，一块Nand Flash被分为若干Block,每个Block又被分为若干Page.
他们之间的关系是:
1Page = 512 Bytes Data Field  + 16 Bytes Spare Field
1 Block = 32 Pages
我们讨论的K9F1208U0B总共有4096个Blocks，故我们可以知道这块Flash的容量为
4096 * (32 * 528) = 69206016 Bytes = 66 MB
但事实上每个Page上的最后16Bytes是用于存储检验码用的，并不能存放实际的数据，所以实际上我们可以操作的芯片容量为:
4096 * (32 * 512) = 67108864 Bytes = 64 MB
2、 K9F2G08X0A NAND FLASH 内部物理结构
从下图可以知道，一块Nand Flash被分为2048 Block,每个Block又被分为64 Page.
他们之间的关系是:
1Page = 2K Bytes Data Field  + 64  Bytes Spare Field
1 Block = 64 Pages
我们讨论的K9F2G08X0A 总共有2048个Blocks，故我们可以知道这块Flash的容量为
2048 * 64 *(2K+64 )= 276824064 Bytes = 264MB
但事实上每个Page上的最后64Bytes是用于存储检验码用的，并不能存放实际的数据，所以实际上我们可以操作的芯片容量为:
 2048* 64 * 2K= 268435456 Bytes = 256 MB
注意：下面的2112Mbits换算成字节为2112/8，也就是264字节。

发出读命令给nand flash ,发出地址给它，nand flash会吧对应页的数据（包括oob）从存储体里拷贝到Page Register(相当于nand flash里面的一小块缓冲区)

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