4) sim/sim_tb_top.v: 在实例化ddr3_model模块部分，增加了实例化参数的赋值，参照“仿

真文件改动”目录下的sim_tb_top_modified_part.v的内容作对应的修改即可。

说明：example_top.v和sim_tb_top.v中，涉及到MIG核的所有配置参数，因此在源文件中

修改对应的部分；ddr3_model.v以及ddr3_model_parameters.vh可直接覆盖原来的文件。

图1 MIG核目录(左)和example_design目录(右)

3.ddr3_model.v初始化

3.1 数据组织方式

1) 单个ddr3_model.v的情况

MIG核的数据访存位宽不超过64bits时，只会实例化一个ddr3_model模块，从初始化数据文件中读取数据完成初始化，ddr3中的数据组织方式与初始化数据文件中的内容是一致的； 2) 多个ddr3_model.v的情况

MIG核的数据访存位宽超过64bits时，会实例化多个ddr3_model模块。如访存位宽为512bits时，会实例化8个ddr3_model模块。需要注意的是，ddr3中的访存数据并不是多个初始化数据文件的简单拼接。一个简单的例子如下：(从0到31)

ddr3访存数据：0x0000000100020003000400050006000700080009000a…001c001d001e001f 初始化文件应为： 文件名 Mem7 Mem6 Mem5 Mem4 Mem3 Mem2 Mem1 Mem0 说明：初始化数据可以参照memory_init_example.m程序。在该示例中，初始化地址采用了25位二进制，位宽取决于ddr3_model.v中MAX_BITS=(BA_BITS+ROW_BITS+COL_BITS-BL_BITS)的具体值；另，在仿真过程中，ddr3_model模块中memory的前五行数据会被写入数据，因此初始化数据时前八行填充无效数据，避免有效数据被覆盖的情况；初始化数据的格式可为浮点或定点，示例中展示了写入double类型数据的过程。

ddr3_model编号 文件内容 ddr3_model7 0x0000000000000000 64bits ddr3_model6 ddr3_model5 ddr3_model4 ddr3_model3 ddr3_model2 ddr3_model1 ddr3_model0 0x0004080c1014181c 0x0000000000000000 0x0105090d1115191d 0x0000000000000000 0x02060a0e12161a1e 0x0000000000000000 0x03070b0f13171b1f 3.2 字节地址& burst地址& memory地址

字节地址：以字节为计量单位，与实际的物理地址对应。如一个容量为2GB的SODIMM条，其地址空间为0x0000_0000 – 0x7fff_ffff，这里的地址空间对应的就是字节地址；

Burst地址：以Burst为计量单位，在DDR3中，一个burst的长度为64bits，即8个字节。MIG核用户接口中的地址是以Burst地址作为计量单位的。访存数据位宽为64bits时，连续访存时地址每次增加1；访存数据位宽为512bits时，连续访存地址每次增加8。如果地址没有对齐，读出的数据会发生错乱。 Memory地址：memory地址以行作为计量单位，一行对应着初始化数据文件中的一行数据，用在初始化地址文件中。ddr3_model.v中，addr = {bank, row, col} / BL_MAX, 其中{bank, row, col}对应的是burst地址，访存数据位宽为64bits时，BL_MAX=1；访存数据位宽为512bits时，BL_MAX=8。

在初始化数据时，一般会根据所选的SODIMM条的容量，进行数据的地址划分。如访存数据位宽为512bits时的一个数据划分的例子： 数据 无效 A B 起始地址 终止地址 起始地址 终止地址 起始地址 终止地址 字节地址(Dec) 0 511 512 6655 12800 25599 Burst地址(Dec) 0 56 64 824 1600 3192 Memory地址(Dec) 0 7 8 103 200 399 4. PHY_DDR.v接口说明

出于两个方面的考虑，PHY_DDR模块在MIG核的应用接口上做了一层封装：一是时钟分离，PHY_DDR模块中的异步时钟FIFO实现了将用户工作时钟与ddr3工作时钟分隔开；二是简化接口，并支持批量的数据访存。(MIG核访存位宽为512bits，其它位宽的需求可参照修改)。

MIGclk_ddrclk_ddrapp_rdyapp_enapp_cmd[2:0]app_addr[31:0]app_rd_data_validapp_rd_data[511:0]app_rd_data_endapp_wdf_rdyapp_wdf_wrenapp_wdf_data[511:0]app_wdf_mask[63:0]app_wdf_endfifo_cmdDDR3内部逻辑DDR3应用接口fifo_rdfusr_clkpe_en pe_cmdpe_addr[31:0]pe_sizepe_rdy_recvpe_wdf_datape_wdf_validpe_rdype_rd_data_validpe_rd_datafifo_wdf

图2 PHY_DDR接口

PHY_DDR模块的端口说明：

? usr_clk: 用户逻辑工作时钟；

? pe_en: 命令使能，用户逻辑提交读或写命令时须将该使能信号置高； ? pe_cmd: 命令内容，沿用了MIG核中的规定，3’b000表示写数据，3’b001表示读数据； ? pe_addr: 读写命令的起始地址，并且是burst地址；

? pe_size: 连续读写的数据个数，一个数据的大小为512bits

? pe_rdy_recv: 用户逻辑准备好了接收读取的数据，只有在该信号拉高的情况下，

PHY_DDR才会向用户逻辑发送读回的数据及对应的有效信号；该信号实现了反压机制，避免出现用户逻辑处理速度慢造成的数据覆盖或者溢出的情况。 ? pe_wdf_data: 用户逻辑提交的写回DDR3的数据；

? pe_wdf_valid: : 用户逻辑提交的写回DDR3的数据的有效标志，拉高表示数据有效； ? pe_rdy: 该信号表示PHY_DDR接口准备好了接收来自用户逻辑提交的命令或者写回数

据，对应的是fifo_cmd和fifo_wdf未满的情况。只有该信号拉高时，用户逻辑才允许提交访存命令或者写回数据；

? pe_rd_data_valid: 从DDR3读回的数据的有效标志，拉高表示该数据有效； ? pe_rd_data: 从DDR3读回的数据。

图3 DDR3访存性能曲线

DDR3在做连续的地址访存时能够更好的发挥带宽性能。图3展示利用该PHY_DDR接口做连续地址访存时的性能曲线，当连续读取32个数据时，平均带宽为6.11GB/s，带宽利用率为41%；连续读取256个数据时，平均带宽达到11.96GB/s，带宽利用率为80%。在实际的应用中，要结合访存特性和带宽需求，选择合适的pe_size.

5. 仿真

sim_tb_top.v为顶层文件，可利用Vivado自带的Simulator进行仿真或者链接到modelsim进行仿真。仿真的过程中，会有较长的初始化时间(50-60us)，init_calib_complete置高表示初始化工作完成，仿真时该信号可用作用户工作逻辑的启动信号。