注:由于门电路不在博主考试范围,故这一章暂时不再更新

门电路

  • 逻辑门电路基本概念
    • 获得高/低电平的基本原理
    • 半导体器件开关特性
      • 1. 二极管的开关特性
      • 2. 三极管的开关特性
      • 3. MOS管的开关特性
      • 总结:三种开关特性
    • 分立元件门电路
      • 1. 二极管与门电路
      • 2. 二极管或门电路
      • 3.三极管非门(反相器)
      • 4.待补充...
    • 集成电路的发展历史及现状

半导体器件在开关状态下的工作特性
COMS、TTL门电路
工作原理、逻辑功能、输入/输出特性


逻辑门电路基本概念

  • 门电路:实现基本运算、复合运算的单元电路,如与门、与非门、或门…
  • 门电路中以高/低电平表示二值逻辑状态的1/0
  • 正逻辑:高电平表示1;低电平表示0
    (反逻辑则相反)设计中采用的逻辑要统一
  • 电平信号(高/低电平)不代表一个电压值点,而是电压允许范围的一个阈值

获得高/低电平的基本原理

  • 断开开关,输出高电平(Vcc)
    闭合开关,输出低电平(接地)
  • 限流电阻:电阻过小不能限流;电阻过大带载能力差
  • 缺陷:静态功耗
    当Vo空载,开关闭合时,整个电路仍有电流,为Vcc/R
    只要开关闭合,就会有静态功耗,为Vcc²/R
    且当R比较小时,静态功耗会比较大

半导体器件开关特性

1. 二极管的开关特性

利用“单向导电性”
外加正向电压时导通,外加反向电压时截止
相当于一个受外加电压极性控制的开关

  • 恒压降模型特性曲线
    保留导通压降,不计二极管导通内阻
  • 二极管开关波形
    反向恢复时间:正向电压—>反向电压
    某一时刻,外加电压由高电平跳到低电平
    由于PN结处还聚集了一定量的电荷,所以会产生一个反向电流,再衰减到0

2. 三极管的开关特性

利用“截止区;饱和区”
双结反偏截止区;双结正偏饱和区

  • 三极管结构 与 特性曲线

  • 三极管的开关等效电路

    • 截止状态,双结反偏(都截止了)获得高电平
      输入Vi很小,发射结不导通,处于截止状态。bce相当于断路,Rc上无电流,Vo直接接Vcc
    • 饱和状态,双结正偏(都导通了)获得低电平
      输入Vi比较大,满足导通压降。调整Rb大小使 ib比较大,让三极管工作在饱和区。饱和区中ic很大,Uce很小,其等效于一个闭合开关,Vo直接接地
  • 输入为低电平——双结反偏——输出高电平
    输入为高电平——双结导通——输出低电平

  • 三极管动态开关波形

3. MOS管的开关特性

利用“截止区”,“可变电阻区”

  • MOS管结构 与 特性曲线

    • ①加Ugs形成的电场,排斥P型的空穴,吸引其中的电子,从而在ds间形成沟道(反型层),此时Ugs=Ugs(th)

    • ②加Uds,使聚集的电子流动,形成漏电流 iD

    • 截止区
      Ugs<Ugs(th),iD=0,MOS管相当于开关断开状态

    • 可变电阻区
      Ugs>Ugs(th),形成导电沟道
      随着Uds增加,iD呈线性增大,斜率为MOS管电阻导数

    • 恒流区
      Uds再增加,iD几乎无变化

  • MOS管的开关等效电路
    MOS管的截止电阻:R(OFF)>10^9Ω
    MOS管的导通内阻:R(ON)<10^3Ω

    • 截止区,Ugs<Ugs(th)
      当负载RD<<R(OFF),则输出高电平VDD
      DS间相当于一个断开的开关
    • 可变电阻区,vi满足开启电压,Ugs>Ugs(th),iD增加
      vi继续升高,R(ON)变小
      当负载RD>>R(ON),则输出低电平0
      DS间相当于一个闭合的开关
  • 输入为低电平——MOS管截止——输出高电平
    输入为高电平——MOS管导通——输出低电平

  • MOS管的四种类型

总结:三种开关特性


分立元件门电路

1. 二极管与门电路

电流永远走电势落差最大、阻抗最小的支路
通常二极管导通之后,如果其阴极电位是不变的,那么就把它的阳极电位固定在比阴极高0.7V的电位上;如果其阳极电位是不变的,那么就把它的阴极电位固定在比阳极低0.7V的电位上,人们把导通后二极管的这种作用叫做钳位。

根据二极管的单向导通性质,图中当输入高电平时,二极管截止,输入低电平时,二极管导通

①当A、B只要有一个输入为低电平(0V)时,其对应其中一个二极管导通(Vcc——>D),输出Y为二极管导通电压0.7V
②当A与B都输入低电平(0V)时,其对应二极管都导通,输出Y为二极管导通电压0.7V
③当A、B都输入高电平(3V)时,其对应的二极管都截止(Vcc——>Y),二极管阳极电压被钳位在3+0.7(加的0.7是由于二极管阴极输入低电平0V固定),所以输出电压Y为3.7V

缺陷:输入与输出的高低电平发生了偏移

2. 二极管或门电路


①当A、B只要有一个输入为高电平(3V)时,其对应其中一个二极管导通(Vi——>Y),输出电压Y被钳位在2.3V
②当A、B都输入低电平(0V)时,其对应的二极管都截止(地——>Y),所以输出电压Y为0V
③当A与B都输入高电平(3V)时,其对应二极管都导通,二极管阴极电压被钳位在3-0.7(减0.7是由于二极管阳极输入高电平不变)输出电压Y为2.3V

缺陷:输入与输出的高低电平发生了偏移

3.三极管非门(反相器)

4.待补充…

集成电路的发展历史及现状


非常抱歉,由于课时安排,这一单元被跳过了,所以暂时无法更新…

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