国鼎IGBT-TRW(E/G)5065NH1是50A，650V高可靠性IGBT，具有高速开关特性、及低导通损耗和开关损耗等特点

主要特征

50A ，650V , VCE(sat)=1.8V @IC=50A

饱和压降为正温度系数，易于并联使用

低开关损耗

内置快恢复二极管

高速开关特性

高可靠性及热稳定性，良好的参数一致性

极限参数

除非另有说明 , TA = 25ºC

符号	参数	参数范围	单位
VCE	集电极—发射极电压	650	V
VCE	栅极-发射极电压	±20	V
IC	集电极电流 (TC=25℃ )	80	A
IC	集电极电流 (TC=100℃ )	50	A
ICpulse	集电极脉冲电流	150	A
IF	二极管正向电流(TC=25℃ )	10	A
IF	二极管正向电流(TC=100℃ )	5	A
IFpulse	二极管脉冲电流	15	A
Ptot	耗散功率 (TC=25℃ ) (TO-247）	216	W
	耗散功率 (TC=100℃ ) (TO-247）	86	W
	耗散功率 (TC=25℃ ) (TO-3PF）	68	W
	耗散功率 (TC=100℃ ) (TO-3PF）	27	W

参数	VCE	VCE(sat)	VF	Tj,Max	Eon	Eoff
值	650V	1.8V	1.5V	150°C	1.2mJ	1.4mJ

典型应用:逆变器/UPS电源等领域

封装外形图-索样加V：532615634

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