氮化镓的大面积光电化学蚀刻
摘要
本文介绍了一种利用氢氧化钾溶液和大面积汞灯照明对氮化镓进行光增强湿法化学刻蚀的工艺。讨论了n+氮化镓、非有意掺杂氮化镓和p-氮化镓样品的结果。
介绍
光电化学蚀刻是一种技术，其中材料中电子和空穴的光生增强了材料的化学蚀刻。本文已经对各种半导体材料进行了湿法PEC蚀刻研究，结果表明，湿法PEC蚀刻可以产生高蚀刻速率、良好的各向异性，以及不同掺杂和带隙材料之间的高选择性 。明斯基等人。最近已经证明了在He-Cd激光器(λ = 325nm)的照射下使用KOH和HCl溶液对GaN进行PEC蚀刻的可行性。他们展示了非有意掺杂(NID)氮化镓(n = 2–4×1017)的高蚀刻速率，使用退火(900℃)钛触点形成电触点和蚀刻掩模。在这封信中，我们报告了使用汞灯曝光和未退火的沉积钛金属接触在大面积上进行的n+、NID和p型掺杂的氮化镓样品的PEC蚀刻。
实验
氮化镓样品安装在电化学电池中，类似于前面描述的 。使用镀金镍垫圈将样品夹在聚四氟乙烯底座上。连接到垫圈的铂丝用作系统阴极。对于这些实验，在样品和铂阴极之间没有施加偏压。将细胞置于室温下充满0.04毫摩尔氢氧化钾溶液的培养皿中。曝光是在卡尔·苏斯·MJB-3型掩模对准器中进行的，使用的是未经过滤的汞灯源。分别在320、365和405纳米的波长下测量到6.4、7.4和13.2毫瓦/平方厘米的强度。24小时后，在Tencor阶梯轮廓仪的10纳米分辨率范围内，每个样品的“暗”蚀刻速率可以忽略不计。此外，对于没有施加金属接触的氮化镓样品，6h后没有观察到明显的蚀刻。明斯基等人。描述了使用高温退火在钛焊盘和下面的氮化镓之间获得良好的电接触 。这项工作中使用的沉积钛触点没有退火，表现出温和的整流特性 。然而，金属半导体界面代表用于将电子传导到阴极的正向偏置结，并且支持足够的电流以发生明显的蚀刻。
结果和讨论
研究表明，PEC蚀刻工艺对于氮化镓层的掺杂剂选择性蚀刻非常有用。已经进行了初步实验，其中p-n异质结构的垂直截面在浸入溶液中时暴露于紫外线辐射。如上所述，通过p型层上的镍接触垫与样品进行电连接。发生掩埋n型层的选择性蚀刻，产生顶部p型层的深底切。没有观察到p型材料的蚀刻。通过使用p型掺杂或更宽带隙材料的蚀刻停止层，选择性PEC蚀刻可能是实现平滑蚀刻表面的有效技术。此外，产生底切轮廓的能力对于器件制造是有用的，使用干法蚀刻技术不容易实现。
本文使用氢氧化钾溶液和宽面积汞灯照明对氮化镓层进行光增强湿蚀刻，n+和NID氮化镓层的蚀刻率为17-20nm/分钟，而p-GaN没有观察到蚀刻。样品被未退火的钛金属所掩盖，而钛金属很容易用高频蚀刻法去除。掺杂剂选择性蚀刻的初步实验已经成功，并表明该工艺可能作为一种低损伤蚀刻技术对氮化镓器件的制造具有有用的应用价值。
氮化镓的大面积光电化学蚀刻相关推荐
- 《炬丰科技-半导体工艺》不同电解质对多孔氮化镓的影响
书籍:<炬丰科技-半导体工艺> 文章:不同电解质对多孔氮化镓的影响 编号:JFKJ-21-825 作者:炬丰科技 关键词:电解质:光电化学蚀刻:多孔性 摘要 本文报道了氮化镓在使用四种不同 ...
- GaN的湿法化学蚀刻
摘要 我们展示了在c平面蓝宝石上使用磷酸.熔融氢氧化钾.氢氧化钾和乙二醇中的氢氧化钠生长的纤锌岩氮化镓的良好控制结晶蚀刻,蚀刻速率高达3.2mm/min.晶体学氮化镓蚀刻平面为0001%,1010%, ...
- 拆解报告：爱否开物1A2C 65W PD氮化镓充电器智融SW3516十分表现抢眼
我们不但卖芯片,还提供方案技术支持,解放您的工程师,缩短开发周期. 有需求的老板烦请百度:展嵘电子梁东 今年以来,市面上的氮化镓PD快充充电器如雨后春笋一样,瞬间变得多了起来.除了老前辈ANKER.R ...
- 拆解报告：爱否开物1A2C 65W PD氮化镓充电器智融SW3516多口快充协议芯片
深圳市展嵘电子方案设计及代理公司:代理品牌有:上海钰泰,珠海智融(SW),苏州赛芯(XB),冠禹(MOS),芯海科技等半导体原厂战略合作欢迎致电孔小姐 13410302586 我们不但卖芯片,还提供方 ...
- 小米捧红氮化镓快充？看完此文让你秒懂氮化镓！
2020年2月13日下午,小米通过线上直播发布会的形式,面向数百万观众,正式发布了小米10系列手机以及部分配件产品.其中,小米65W氮化镓充电器 成为本次发布会的一大亮点,据小米首席执行官雷军介绍,该 ...
- 《炬丰科技-半导体工艺》 碳化硅大功率高频电子器件上的薄氮化镓
书籍:<炬丰科技-半导体工艺> 文章: 碳化硅大功率高频电子器件上的薄氮化镓 编号:JFKJ-21-1162 作者:华林科纳 在碳化硅(SiC)上开发了更薄的III族氮化物结构,以期实现高 ...
- PRISEMI芯导科技推出PDG7115直驱型E-Mode氮化镓功率IC
PRISEMI芯导科技推出PDG7115直驱型E-Mode氮化镓功率IC 氮化镓以开关速度快,导阻低,低输入输出电荷的优势,应用在快充上逐渐取代了传统的高压硅MOS管.使用氮化镓取代硅MOS管,不仅降 ...
- 《炬丰科技-半导体工艺》氮化镓的制备与表征
书籍:<炬丰科技-半导体工艺> 文章:氮化镓的制备与表征 编号:JFKJ-21-303 作者:炬丰科技 摘要 为提升硅衬底氮化镓基 LED(发光二极管)器件的光电性能和出光效率,本文提出了 ...
- 《炬丰科技-半导体工艺》ICP刻蚀氮化镓基LED结构的研究
书籍:<炬丰科技-半导体工艺> 文章:ICP刻蚀氮化镓基LED结构的研究 编号:JFKJ-21-826 作者:炬丰科技 摘要 氮化镓作为一种宽带隙半导体,已被用于制造发光二极管和激光二极管 ...
最新文章
- WinCE 和Win Mobile的关系
- python好找工作吗2017-2017学什么编程语言好找工作？
- Oracle编程入门经典 第9章 掌握SQL*Plus
- nodejs——URL 基础API
- 在游戏设备上砸钱 其实小姐姐们更疯狂！
- 使用NPOI——C＃和WEB API导出到Excel
- 写给自己的23条好习惯
- Kubernetes-基于EFK进行统一的日志管理原理(kibana查询语法)
- 安防的未来五年 如何把握机遇深耕市场？
- python 概率分布_Python中的联合概率分布
- PID控制器开发笔记之十二：模糊PID控制器的实现
- JavaScript如何计算两个日期之间的时间差？
- word把选择答案弄到题目里_将Word解答中的答案项批量填入题干
- 【历史上的今天】4 月 18 日：第一款交互式电子游戏；IBM 率先研发兆位芯片；硬件公司 Roland 成立
- 关于百度SDK的返回错误-PERMISSION UNFINISHED
- redit mysql_【Voten】基于Laravel实现的类似Reddit的实时社交论坛系统
- 挥一挥衣袖，贝索斯宣布“退位”，去追寻“诗和远方”
- flash调用java_Flash加载swf后互相调用函数、变量
- 文本分类Keras RNN实践——应用腾讯和百度中文词向量
- nodejs文件服务器