K9F1G08U0D Nand芯片

使用三星公司的K9F1G08U0D芯片做文件系统，首先要对K9F1G08U0D Nand芯片比较熟悉，整个网络找遍了，都找不到完全相对应的文档，只能找到K9F1G08U0A的手册，看到网上人家说K9F1G08U0A与K9F1G08U0C、D是有区别的，实际也找不到C的手册，可以肯定的是D的程序跟C相同，但跟A不一样，主要在一个状态返回上，C、D表现为0x0C，而A表现为0x0E。

1、首先K9F1G08U0D的存储情况如下：

1 Block = 64 Page、 1 Page = （2048 + 64）Byte、一个芯片共有1024 Blocks

我相信上面一行比起文档里面一页的描述是来地简单的，主要要理解1Page里面怎么要2048+64，不直接用结果来表示，因为64字节是用于其它信息用的，比如保存坏块数等，从上面的空间得到有效存储区是128MByte = 1056Mbits。

2、接下来就是对K9F1G08U0D的读写操作了，其实对该芯片的操作可以参考8051 MCU的外部存储总线，原理图如下所示。

其实要比较注意的只有CLE、ALE、WE、RE、CE这几个管脚，另外8个I/O是数据、址址复用的，这里分别解说一下：

CLE：命令使能管脚，当该管脚为高电平时，I/O上的操作为命令的读写操作；

ALE：地址使能管脚，当该管脚为高电平时，I/O上的操作为地址的读写操作（读写分别是操作芯片里面相关地址里的存储数据）；

WE：写使能管脚，当该管脚为低电平时，I/O上为写操作；

RE：读使能管脚，当该管脚为低电平时，I/O上为读操作；

CE：是整个芯片的使能管脚，这里面接的是LPC1788的CS1，对应0x90000000地址。

需要注意的是CLE、ALE这两个管脚接到LPC1788的EMC的A24、A25是很巧妙的，这样子就有了以下宏定义：

#define EMC_NAND_BASE 0x90000000

#define EMC_ALE_ADDR    0x01000000

#define EMC_CLE_ADDR    0x02000000

#define EMC_DATA8 *((volatile U8 *)(EMC_NAND_BASE))                                  // 数据

#define EMC_ADDR8 *((volatile U8 *)(EMC_NAND_BASE + EMC_ALE_ADDR)) // 地址

#define EMC_CMD8 *((volatile U8 *)(EMC_NAND_BASE + EMC_CLE_ADDR)) // 命令

3、另外有个要注意的地方是芯片内部的地址。

从上图可以看到，Column Address、Row Address这两个概念，分别代表列地址、行地址。可以这样理解，Col地址是每个Page里面的详细字节位置；Row地址是整个芯片的Page绝对地址，这一句话是非常重要的，因为在写代码时，很多人就搞混乱了，包括NXP官网的例程。

4、另外读写里面数据就看芯片手册给的命令了。

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