场效应管的输出特性曲线及转移特性曲线记忆

记忆是学习的基础，如何记忆知识我们还是要研究的，场效应管一共有6种，其特性曲线还是很复杂的，要记忆也要花费很多精力，如下：

太多了，将它们画到一个图中吧：

*上2图为转载

这个要好多了，但是还是有些乱，我们要求能够1）根据曲线我们要能够判断管子的类型，或2）根据管子的类型我们能够画出其特性曲线的示意图。

一般我们要确定3个问题：

1）导电沟道的类型（P沟道，N沟道）？

2）增强型还是耗尽型？

3）结型还是MOS型（绝缘栅型）？

我们来归纳一下特点：

1.两个曲线都是关于原点对称的（意味着6种场效应管记忆一半即可）

2.上半部分都是N沟道的，下部分都是P沟道的(屁股在下面)

3.转移特性曲线中输入为0而输出不为0的是耗尽型的（结型也是耗尽型反之为增强型的），结型场效应管转移特性曲线只占一个象限。

无输入有输出为耗尽型（结型，耗尽型MOS管），反之为增强型

4.输出特性曲线中输入可正可负是耗尽型MOS管，在第1象限只为负（第3象限只为正）为结型的，在第1象限只为正（第3象限只为负）为增强型MOS管.

输入可为0的是耗尽型（结型，耗尽型MOS管），还可以为正为负的是耗尽型MOS管；只为正或负为增强型MOS管

现在轻松了些没？

PS：以下已加删除线，不要看

珠玉在前啊！看拉扎维的：

off区就是截止区

saturation就是饱和区，也就是我们常说的恒流区

triode的就是三极管区，也就是可变电阻区

ps：补一个东南大学吴金的：

佩服！

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N沟道的栅源电压一定要高于Ugs(th)---P沟道的栅极电压一定要小于Ugs(th)

栅源电压和箭头方法一般相反（耗尽型MOS可相同）

只有反向电压才可以控制PN结（耗尽区），影响导电效果

预夹断电压Uds_dr=Ugs-Ugs(th)

栅源之间一般加反向电压才有控制作用

认为反型层的自由电荷主要来自于源极可能更有利于理解和记忆

栅极在源漏中间

N沟道	Ugs>Ugs(off)	Ugd<Ugs(off)--->恒流区
		Ugd>Ugs(off)--->可变电阻区
	Ugs<Ugs(off)---->截止
P沟道	Ugs>Ugs(off)------>截止
	Ugs<Ugs(off)	Ugd<Ugs(off)--->可变电阻区
		Ugd>Ugs(off)--->恒流区

/************************************************/

上面还是有些扯淡！---主要还是研究增强型MOS管

恒流区相当于晶体管的放大区

可变电阻区相当于晶体管的饱和区

截止区相当于晶体管的截止区！

栅源反偏，栅漏正偏--恒流区（放大）

栅源反偏，栅漏反偏--可变电阻区

栅源正偏--截止区

/***************************************************************************./

还是看拉扎维的，这才是牛：

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