反激变压器的设计-电子研习社-陈庆彬
今天观看了电子研习社的直播,由陈庆彬博士主讲。2020年3月12日09:54:20

主要内容如下:
 反激变压器的基本原理
 反激变压器的电气参数设计
 反激变压器的一般设计方法
 反激变压器的杂散参数设计与控制
 反激变压器的损耗设计
 反激电源的EMI设计

反激变压器与传统变压器有明显区别。

反激电源的工作原理这里简略提一下。视频里讲述了反激电源的工作原理-CCM模式。副边二极管截止的时候,原边相当于一个电感,分析起来很简单。当开关管断开的时候,变压器储存的能量经过副边放电(磁场能量不能突变,磁势平衡:IPKNP=ISKNS)。

电压应力:开关管在断开的时候承担电压应力,不仅是输入电压,还要承担副边折算过来的电压(VDS VD=NP/NSVO+VI =(NP/NS)(VO/D))。二极管承受电压应力(VD=NS/NP*VI+VO)。

下图是反激电源的三种工作模式。其中在DCM模式中,因为二极管截止之后,副边折算到原边的电压为0,造成MOS两端电压下降到输入电压。

反激变压器的设计过程。如下图所示:

为什么要有气隙,如果没气隙,当原边没有电流、副边没有电流的情况下直接就饱和了。

变压器的匝比设计,如下图所示。首先确定最大占空比(一般可选0.45)限制,计算出匝比的最大值。
.

电感量设计。电感量会影响峰值电流大小。确定参数电流纹波系数(纹波相对于输入电流的比例)。在DCM模式时,跟功率有关。

反激变压器磁芯的磁通特点,如下图所示:满足两个条件,Bm不能太大,detB不能太大。

磁芯材料的选择。关注的是能量传输能力。如下图。f*B可以看做为磁材料性能因子。

变压器磁芯的设计,如下图所示。求得最小的Ae。然后要计算能够绕的下线。

绕组的匝数计算。如下图所示。跟detB有关。

气隙的计算,如下图所示。与电感量的大小有关。

绕组线规的设计。之前计算的是直流情况,在交流情况下要考虑集肤效应和邻近效应。
后面还要进行磁芯窗口利用率验算和损耗验算、温升验算等。

反激变压器的杂散参数。下图所示为等效模型图。将副边开路,测原边电感为漏感和励磁电感之和。将原边开路,测副边可以得到LSO。将副边短路,可以测量原边漏感。

气隙对电感量的影响。当气隙较小的时候与计算基本一致,但是当气隙较大的时候,有几种效应会影响计算:气隙扩散效应、绕组涡流去磁效应、窗口高度影响等。

气隙对漏感本身值的大小影响不大。气隙影响漏感与励磁电感的比值,影响耦合系数,当气隙越大,励磁电感就会小,然后导致比值变化。

绕组分布电容的测量,当频率高的时候,LC发生并联谐振,可以通过扫频测量阻抗的方式进行测量。如下图所示。会有一个并联寄生电容Cp。绕制方式不一样也会影响等效电容。

变压器的分布参数效应,如下图所示。漏感上面有电流,当mos关断的时候需要续流,导致Vds尖峰。当开关管闭合的瞬间会导致电流尖峰噪声。

反激电路的损耗和EMI特性。如下图所示。损耗有绕组损耗和磁芯损耗,要寻找一个合适的点,对匝数进行优化设计。

变压器绕组损耗优化:绕组结构优化。如下图所示有3种结构。

电感器损耗:分布气隙、气隙避让、多股绞线。如下图所示。

EMI特性,变压器原副边有电容效应。原副边绕组的压差很大,导致有寄生电容存在,在开关的时候,这个寄生电容上有电流流动,造成共模噪声。如下图所示。

可以使用屏蔽层减小Cp。降低共模噪声。或者使原边和副边相互抵消。如下图的方法。

学到了很多东西,需要在实践中去进一步验证设计。

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