士兰mos管SVF4N65/7N65/10N65/12N65场效应管参数及mos管代理!
MOS管是一种金属—氧化物—半导体场效应晶体管,或称金属—绝缘体—半导体,具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点,是中小功率应用领域的主流开关器件,广泛应用于通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等。骊微电子低压MOSFET主要用于消费电子领域,中高压MOSFET则主要用于工业、通讯、电动车等领域。
4n65高压mos管参数
型号:SVF4N65F/M/MJ/D
电性参数:4A 650V
反向恢复时间(Trr):450ns
导通电阻RDS(on):(典型值)=2.3Ω@VGS=10V
封装:T0-220F-3L、T0-251J-3L、T0-251D-3L、T0-252-2L
7N65场效应管参数
型号:SVF7N65T/F/S
电性参数:7A 650V
恢复时间(Trr):499ns
导通电阻RDS(on):(典型值)=1.1Ω@VGS=10V
封装:T0-220F-3L、T0-263-2L、T0263-2L、T0-220-3L
场效应管10N65高压mos管参数
型号:SVF10N65T/F/K/S
电性参数:10A 650V
恢复时间(Trr):561ns
导通电阻RDS(on):(典型值)=0.8Ω@VGS=10V
封装:T0-220-3L、T0-220F-3L、T0-262-3L、T0263-2L、T0-263-2L
高压mos管12n65参数
型号:SVF12N65F/K/S
电性参数:12A 650V
恢复时间(Trr):562ns
导通电阻RDS(on):(典型值)=0.64Ω@VGS=10V
封装:T0-220F-3L、T0-262-3L、T0-263-2L、T0-263-2L
4N65/7N65/10N65/12N65/18N65等高压MOS管系列,大幅减少了应用中的导通损耗的,同时助力高功率密度的电源设计,拥有多种封装形式,能够满足不同的电路拓扑结构与终端使用需求,更多低压、高压及超结MOS器件替换及产品手册、参数等方案资料请向士兰微代理骊微电子申请。>>
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