比较器Comparator
Comparator
- 绪论
- 差分比较器
- 迟滞比较器
- Cross-Pair结构
- 单端比较器
- 电源电压检测电路
绪论
之前研究的运放都是小信号和线性系统,比较器研究的是大信号和非线性系统
分类:{差分比较器迟滞比较器\begin{cases}差分比较器\\迟滞比较器\end{cases}{差分比较器迟滞比较器
用途:{状态检测DetectorADC(把Vin与不同的基准电压比较,量化编码)\begin{cases}状态检测Detector\\ADC(把V_{in}与不同的基准电压比较,量化编码)\end{cases}{状态检测DetectorADC(把Vin与不同的基准电压比较,量化编码)
核心指标:{翻转电平Vref分辨率(让输出翻转的最小∣Vin−Vref∣)传输时延\begin{cases}翻转电平V_{ref}\\分辨率(让输出翻转的最小\mid V_{in}-V_{ref}\mid)\\传输时延\end{cases}⎩⎪⎨⎪⎧翻转电平Vref分辨率(让输出翻转的最小∣Vin−Vref∣)传输时延
举例说明状态检测:
图1. 状态检测
利用二极管的温度特性,监测温度,超出范围输出状态改变,发出预警
假设常温VBE=0.6VV_{BE}=0.6VVBE=0.6V,温度系数为−2mV/∘C-2mV/^{\circ}C−2mV/∘C
常温下,比较器参考电压Vref=0.5VV_{ref}=0.5VVref=0.5V,输出为高
随着温度升高,如果温度升高100∘C100^{\circ}C100∘C,VBEV_{BE}VBE降低0.2V0.2V0.2V
此时VBE′=0.4V<VrefV_{BE}^{'}=0.4V<V_{ref}VBE′=0.4V<Vref,输出为低,状态改变,进行预警
差分比较器
常见差分比较器结构
图1. 全差分比较器
五管差放+CS+多级倒相器
比较器不需要考虑小信号,可以多级联放大器增加分辨率,但是会影响传输时延
开环应用,要啥自行车
并且整体比较器的同相端和反相端要看净极性
迟滞比较器
由于电路噪声的影响,如果噪声叠加在输入信号上,在与参考电压比较时,如果波动的噪声大于分辨率,会导致输出端产生无用的脉冲,干扰正常判断,所以迟滞比较器的引入似乎就成了必然。
我们把反向扫描(VDD→0V_{DD}\rightarrow0VDD→0)的翻转电压往后推,把正向扫描(0→VDD0\rightarrow V_{DD}0→VDD)的翻转电压往后拉
图2. 迟滞比较器传输特性
正向扫描时,初始输出为0,Vid=0V_{id}=0Vid=0时是普通比较器的翻转电平,迟滞比较器需要输入越过Vref+V_{ref+}Vref+,输出才会翻转为1
同样,反向扫描时,输出为1,输入需要越过Vref−V_{ref-}Vref−输出才会翻转为0
一个信号只要越过Vref+V_{ref+}Vref+了,输出就变1,要是还想让输出变回0,不好意思,中间商赚差价,你需要跨越Vref+−Vref−V_{ref+}-V_{ref-}Vref+−Vref−的电压才能让输出变为0,很困难了
同样的,一个信号越过Vref−V_{ref-}Vref−了,输出变0,要是想让输出回1,需要再越过Vref+V_{ref+}Vref+才能回去
怎么做出来图示的传输属性呢?
三种方法{通过反馈改变Vref通过反馈控制MOS开关破坏差分对的对称性,产生失调,作为迟滞范围\begin{cases}通过反馈改变V_{ref}\\通过反馈控制MOS开关\\破坏差分对的对称性,产生失调,作为迟滞范围\end{cases}⎩⎪⎨⎪⎧通过反馈改变Vref通过反馈控制MOS开关破坏差分对的对称性,产生失调,作为迟滞范围
方法1:反馈改变VrefV_{ref}Vref
图3. 反馈法
Vp=VrefR1+VoR2R1+R2V_{p}=\frac{V_{ref}R_{1}+V_{o}R_{2}}{R_{1}+R_{2}}Vp=R1+R2VrefR1+VoR2
在 VoV_{o}Vo有不同输出时, VpV_{p}Vp是不同的,也就是参考电压变了
Vref+=VrefR1+VoHR2R1+R2V_{ref+}=\frac{V_{ref}R_{1}+V_{oH}R_{2}}{R_{1}+R_{2}}Vref+=R1+R2VrefR1+VoHR2
Vref−=VrefR1+VoLR2R1+R2V_{ref-}=\frac{V_{ref}R_{1}+V_{oL}R_{2}}{R_{1}+R_{2}}Vref−=R1+R2VrefR1+VoLR2
滞回区间为Vref+−Vref−=R2(VoH−VoL)R1+R2=R2VDDR1+R2V_{ref+}-V_{ref-}=\frac{R_{2}(V_{oH}-V_{oL})}{R_{1}+R_{2}}=\frac{R_{2}V_{DD}}{R_{1}+R_{2}}Vref+−Vref−=R1+R2R2(VoH−VoL)=R1+R2R2VDD
方法2:反馈控制MOS开关
图4. 开关法
左图:
Vref+=R2R2+R3VDDV_{ref+}=\frac{R_{2}}{R_{2}+R_{3}}V_{DD}Vref+=R2+R3R2VDD,输出高,NMOS导通, R1R_{1}R1短路
Vref−=R1+R2R1+R2+R3VDDV_{ref-}=\frac{R_{1}+R_{2}}{R_{1}+R_{2}+R_{3}}V_{DD}Vref−=R1+R2+R3R1+R2VDD,输出低,NMOS截止, R1R_{1}R1起作用
优点:MOS开关易控制
缺点:分压比难定
右图:
Vref+=R1R1+R2VrefV_{ref+}=\frac{R_{1}}{R_{1}+R_{2}}V_{ref}Vref+=R1+R2R1Vref,输出低,PMOS导通, R3R_{3}R3短路
Vref−=R1R1+R2+R3VrefV_{ref-}=\frac{R_{1}}{R_{1}+R_{2}+R_{3}}V_{ref}Vref−=R1+R2+R3R1Vref,输出高,PMOS截止, R3R_{3}R3起作用
优点: VrefV_{ref}Vref不受 VDDV_{DD}VDD控制
缺点: VrefV_{ref}Vref小的时候,PMOS可能打不开
方法3:破坏差分对称性,下文单列
\
Cross-Pair结构
图5. 破坏对称法-Cross-Pair结构
作用:{小信号M5、M6正反馈,提高输出阻抗大信号改变电路对称性,产生失调电压,构成滞回区间\begin{cases}小信号 & M5、M6正反馈,提高输出阻抗\\大信号 & 改变电路对称性,产生失调电压,构成滞回区间\end{cases}{小信号大信号M5、M6正反馈,提高输出阻抗改变电路对称性,产生失调电压,构成滞回区间
小信号:
Va↑V_{a}\uparrowVa↑,M5是CS,Vb↓V_{b}\downarrowVb↓
VaVbV_{a}V_{b}VaVb分别是M6的漏栅电压
栅极控制电流能力强,所以Δ(ids)<0\Delta(ids)<0Δ(ids)<0,但是Δ(vds)>0\Delta(vds)>0Δ(vds)>0
所以,对于a节点来说,R6=Δ(vds)Δ(ids)<0R_{6}=\frac{\Delta(vds)}{\Delta(ids)}<0R6=Δ(ids)Δ(vds)<0,等效跨导也小于零
a点的输出阻抗为:roa=1g3+g6r_{oa}=\frac{1}{g_{3}+g_{6}}roa=g3+g61,g6<0g_{6}<0g6<0,a点阻抗增大,增益也相应提高
但是要保证g3+g6>0g_{3}+g_{6}>0g3+g6>0,不然等效阻抗是负阻,会出现RHP极点,系统不稳定
所以(W/L)5,6(W/L)_{5,6}(W/L)5,6要小,这样阻抗会大,跨导小,不至于总体出现正反馈
大信号:
之前讲的比较器,都在Vin−Vref+=0V_{in}-V_{ref+}=0Vin−Vref+=0或者Vin−Vref−=0V_{in}-V_{ref-}=0Vin−Vref−=0的时候翻转,总有Vid=0V_{id}=0Vid=0
如果差放内部有失调,那么Vid=0V_{id}=0Vid=0就不再是翻转点,如果随着输出的不同,失调也不同,那么内部的失调就能体现为迟滞比较器了
把(W/L)5,6(W/L)_{5,6}(W/L)5,6做的大大的且不相同,对称性结构被完全破坏
在Vid=0V_{id}=0Vid=0时,两边增益不一样,Va≠VbV_{a}\neq V_{b}Va=Vb,不对称的后果
由于正反馈,M1电流全部从M6流过而不从M3流过
Vid=0V_{id}=0Vid=0,IM1=IM2I_{M1}=I_{M2}IM1=IM2,那么IM4=IM6I_{M4}=I_{M6}IM4=IM6,(W/L)6>(W/L)4(W/L)_{6}>(W/L)_{4}(W/L)6>(W/L)4,VG4=VG6V_{G4}=V_{G6}VG4=VG6
所以VDS6<VDS4→Va<VbV_{DS6}<V_{DS4}\rightarrow V_{a}<V_{b}VDS6<VDS4→Va<Vb,不翻转
所以VaV_{a}Va需要继续提高才能翻转
怎么提高,IM1I_{M1}IM1增大,即Vin1↓V_{in1}\downarrowVin1↓(PMOS)
所以,Vin1V_{in1}Vin1与Vin2V_{in2}Vin2有差值才能翻转,挺好
单端比较器
图6. 倒相器
这次可不是Push-Pull了
大信号应用,这是数集里面的倒相器,也可以做比较器,入1出0,入0出1
优点:电路简单
缺点:翻转电平不准
利用电流连续列方程:Ids1=Ids2I_{ds1}=I_{ds2}Ids1=Ids2
12kn(Vi−VTN)2(1+λnVo)=12kp(Vi−VDD−VTP)2(1+λp(VDD−Vo))\frac{1}{2}k_{n}(V_{i}-V_{TN})^{2}(1+\lambda_{n} V_{o})=\frac{1}{2}k_{p}(V_{i}-V_{DD}-V_{TP})^{2}(1+\lambda_{p} (V_{DD}-V_{o}))21kn(Vi−VTN)2(1+λnVo)=21kp(Vi−VDD−VTP)2(1+λp(VDD−Vo))
这个方程解出的ViV_{i}Vi含VoV_{o}Vo,不行
我们假设MOS管理想λn=λp=0\lambda_{n}=\lambda_{p}=0λn=λp=0
12kn(Vi−VTN)2=12kp(Vi−VDD−VTP)2\frac{1}{2}k_{n}(V_{i}-V_{TN})^{2}=\frac{1}{2}k_{p}(V_{i}-V_{DD}-V_{TP})^{2}21kn(Vi−VTN)2=21kp(Vi−VDD−VTP)2
Vi=VDD+VTP+VTNknkp1+knkp(VTP<0)V_{i}=\frac{V_{DD}+V_{TP}+V_{TN}\sqrt{\frac{k_{n}}{k_{p}}}}{1+\sqrt{\frac{k_{n}}{k_{p}}}}(V_{TP}<0)Vi=1+kpknVDD+VTP+VTNkpkn(VTP<0)
输入范围:VTN<Vi<VDD+VTPV_{TN}<V_{i}<V_{DD}+V_{TP}VTN<Vi<VDD+VTP
输出范围:{VDSN>VGSN−VTNVDSP<VGSP−VTP⇒{Vo>Vi−VTNVo−VDD<Vi−VDD−VTP\begin{cases}V_{DSN}>V_{GSN}-V_{TN}\\V_{DSP}<V_{GSP}-V_{TP}\end{cases}\Rightarrow\begin{cases}V_{o}>V_{i}-V_{TN}\\V_{o}-V_{DD}<V_{i}-V_{DD}-V_{TP}\end{cases}{VDSN>VGSN−VTNVDSP<VGSP−VTP⇒{Vo>Vi−VTNVo−VDD<Vi−VDD−VTP
所以:
Vi−VTN<Vo<Vi−VTPV_{i}-V_{TN}<V_{o}<V_{i}-V_{TP}Vi−VTN<Vo<Vi−VTP
输出范围:VTN−VTP≈1.5VV_{TN}-V_{TP}\approx1.5VVTN−VTP≈1.5V
电路增益有个十几二十倍,输入范围也就0.1V0.1V0.1V左右
所以翻转点VrefV_{ref}Vref在VDD2\frac{V_{DD}}{2}2VDD前后0.1V0.1V0.1V
输入比VDD2高0.1V以上,出0\color{blue}输入比\frac{V_{DD}}{2}高0.1V以上,出0输入比2VDD高0.1V以上,出0
输入比VDD2低0.1V以上,出1\color{blue}输入比\frac{V_{DD}}{2}低0.1V以上,出1输入比2VDD低0.1V以上,出1
这种结构可以做出来迟滞比较器吗?
如下:
图7. 迟滞倒相器
PM0、PM1构成一个PMOS,NM0、NM1构成一个NMOS,它们组成反相器
输出通过NM2和PM2反馈到反相器,产生迟滞效果
正向扫描(0→VDD0\rightarrow V_{DD}0→VDD)时,输出开始时为1,PM2关断,NM2导通
ViV_{i}Vi很小时,NM0、NM1都不导通,随着Vi↑V_{i}\uparrowVi↑,NM0导通
Vx=rn0rn0+rn1VDDV_{x}=\frac{r_{n0}}{r_{n0}+r_{n1}}V_{DD}Vx=rn0+rn1rn0VDD
把(W/L)NM0(W/L)_{NM0}(W/L)NM0做的小小的,把(W/L)NM2(W/L)_{NM2}(W/L)NM2做的大大的→Vx↑\rightarrow V_{x}\uparrow→Vx↑
这样NM1的开启电压就会增大,导致翻转点提高
反向扫描(VDD→0V_{DD}\rightarrow0VDD→0)时,输出开始时为0,PM2导通,NM2关断
ViV_{i}Vi很大时,PM0、PM1都不导通,随着Vi↓V_{i}\downarrowVi↓,PM0导通
Vy=rp2rp2+rp0VDDV_{y}=\frac{r_{p2}}{r_{p2}+r_{p0}}V_{DD}Vy=rp2+rp0rp2VDD
把(W/L)PM0(W/L)_{PM0}(W/L)PM0做的小小的,把(W/L)PM2(W/L)_{PM2}(W/L)PM2做的大大的→Vy↓\rightarrow V_{y}\downarrow→Vy↓
这样PM1的开启电压就会降低,导致翻转点降低
电源电压检测电路
图8. 电源电压检测
M6的作用是通过M3和M6的钳位,使M4的漏端输出不至于太高,因为差分管增益挺大
M7、M9、M10是开关使能管,工作在在使能信号VenV_{en}Ven的控制下
并且M10与M7、M9工作状态互斥,用于辅助控制电路
Vref<VG2V_{ref}<V_{G2}Vref<VG2,VoV_{o}Vo为低,正常
Vref>VG2V_{ref}>V_{G2}Vref>VG2,VoV_{o}Vo为高,不正常
因为功耗的原因,我们一般使用动态比较器,图示比较器功耗太大了
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