自举电路电路图


初始化充电:

系统上电时自举电容电压为0V,或者当自举电容电压可能会降至欠压点以下时,需要对自举电容进行充电。一般情况下,可以通过开通所有N侧IGBT实现自举电容充电。

自举电容充电有两种方式,一种是通过单个长脉冲实现,另一种是通过多个短脉冲实现。

单个脉冲充电时的波形                                      多脉冲充电时的波形

初始化充电时间取决于自举电容的电容量,自举二极管正向压降和限流电阻阻值。粗略的充电时间常数可以通过自举电容值和限流电阻值计算得到。

举例:限流电阻(100Ω),自举电容值=22μF,VDD=15V,

要使充电达到饱和,需要5倍于时间常数的时间。T=5*100*22uF=11ms,由于充电路径中N侧IGBT (VCE(sat)) 和自举二极管(VF)产生的压降,建议初始化充电的电压值越高越好。

停止运行时,自举电容的电压会逐渐降低。下降速率可以通过自举电容值C和P侧驱动芯片的稳态电流估算得到。

电压降ΔV= IDB×t/C(t:未充电时间)

运行时充电

在PWM信号的逆变操作中,自举电容上的电荷将被电路电流(如:P侧IGBT驱动)消耗掉。P侧的IGBT关断后,在N侧IGBT的开通或N侧二极管续流期间,输出端(U,V,W)电位将降至GND附近。如果此时自举电容电压VDB低于控制电源电压(15V),自举电容会通过自举二极管再次充电。由于自举二极管的开通,实际上当VDB低于N侧控制电源电压(15V)0.6V时,充电就开始了。

充电状态

充电电流(考虑限流电阻)

自举电路设计注意事项:

1) 自举电容

自举电容主要采用电解电容器。近年来,大容量的陶瓷电容器也开始被采用。但应用于直流电压时,电解电容器的直流偏压特性与陶瓷电容器大不相同(特别是大容值产品)。在应用于直流15V电压时,有些陶瓷电容器的容量会在额定值的基础上下降30%。

2) 自举二极管

建议自举二极管的耐压值大于IGBT的集电极-发射极之间电压值(VCES)。其反向恢复时间trr应该小于100ns(快恢复型)。

3) 限流电阻

选择限流电阻时要注意电阻的额定功率和对浪涌电流(开关动作时可能有浪涌电流施加在电阻上)的耐受力等。

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