前言

我们在模电中学习了MOS和BJT，进入数电的学习后，二者又重新出现在我们的视野之中，二者是怎样相互渗透的呢?

一、MOS是什么

全名绝缘栅型场效应管，栅极（以后就简称g–gate极了，方便好记）与源极（s–source)；g极与漏极（d–drain)之间均采用SIO2绝缘层隔离（解释了为啥g极没有电流、gs间电阻值极大，后面的关于mos的电路分析常常会用到这一点）。提前补充一下，在学习Mos器件的时候，要学会对称性来分析各极之间电压的关系，这样会更好理解。
其实，mos相当于有4个极，除了上面3个，还有一个衬底（b–base)
N沟道、P沟道、绝缘型、增强型（顾名思义，开启它的功能需要某些条件，后面会细说）–>4种类型的管子

二、图解Mos

1.增强型

看清楚，g和沟道之间有一个氧化物作为绝缘层的！！否则会和我一样产生“沟道打开了为啥ds间加了电压有电流但是gs间加了电压就没有呢”的疑惑。
这一层很薄，和b极相当于构成一个电容，容易被累计感应电荷产生的电压击穿，所以往往在gs间提供一个直流通路。
补充一点，衬底参杂浓度低，扩散工艺制成的沟道那边参杂浓度高！

2.耗尽型

这个与上面的不同之处是它的绝缘层参杂浓度特高，直接把沟道“撑开了”，所以不在gs加电压也有个道道来流电流！

三、工作原理

这里就讲讲增强型（n沟道）的工作原理，其他的的触类旁通。
1.gs间加电压，注意s和b之间导线相接，就相当于加之gb间，看成分析一个电容，加到一定程度（开启电压）,沟道就被撑开了，此后，ds间加个电压，电流就涓涓流淌在这个道道里面啦！
多嘴一句，这个沟道是如何形成的：加了电压之后就会产生一个向下的电场，那么他的衬底里面的正电荷就会顺着场强的方向远离n型参杂区，形成和参杂区同样性质的负电荷区，是不是就相当于把左右两个连起来了呢？

*这里的ugs可有讲究了，看看这个管子，是不是很对称，所以，后面要说的夹断时候的电压ugd也就是它！

2.*此时这一个沟道就可以看作是一个电阻值受电压Ugs控制的可变电阻了，由公式R=ρL/S ，这个电压加的越大，是不是沟道就越宽敞，那么它的电阻值就越小，反映在他的输出特性曲线中就是斜率越陡峭

3.现在开始要在d端加电压了。这个电压从0逐渐增加，显然沟道中的电流也会逐渐增加，Gd之间的电压差越来越小，至到达上文所提到的那个开启电压（别忘了对称性），那么Gd之间也就算夹断了，此时电子的移动就很吃力了，它们只能从夹断以后很小的缝中高速通过，所以说现在决定电流的不再是d端加的电压了，而是要看你当时撑开的那个沟道有多大，也就是要看你的gs之间的电压。其实这个从输出特性曲线簇可以较好的体现出来，沟道越宽，在可变电阻区的曲线就越陡，也就决定着你夹断之后进入横流区定型下来的电流只会更大
。

动态模型

现在和后面的动态模型串联一下

化简mos就是标出gsd三级！Gs之间就是一个单纯的电压信号，ds之间连一个受控电流源就行了。至于后面那个rds=△Uds/△Id,就是输出特性曲线进入横流区之后的那个几乎是平行的线的斜率啦，非常的大，如果负载电阻不是很大的话总是把他忽略的。

这个是不是看起来有点奇怪呀，明明G端是没有电流的,为啥要在那里连一个Rf呢。

交流的时候，看看这个等效通路，电容还是会有电抗的，那么为了达到一个理想的效果，也就是让这个电容尽量的分压少一些，那就要增大后面的电阻大小，加入一个r3刚刚好.
然后其他的求解嘛，就是用电路分析中的回路电压了，iD电流的公式记忆下，解题的时候可以用二式比值联立求解

小结

mos管和bjt相比起来还是更简单一些的，他们的相通之处也是很多的，比如说动态电路的化简；假设一个管子的状态，然后通过计算导出矛盾等等的解题方法都是相通的。

如果有什么不正确的地方，欢迎大家指正(毕竟是大一小朋友的第一篇文章)，后续将继续更新一些模电，数电方面的学习心得总结。欢迎继续追更哦！

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