STM32F767IGT6D的FLASH大小为1MB

文章目录

Flash

闪存模块

闪存的读取

闪存的编程和擦除

STM32F767的标准编程步骤

STM32F767的擦除

扇区擦除

整片擦除

附录

代码

Flash

闪存模块

模块组织表如上，可见STM32F767IGT6由：主存储器、系统存储器、OPT区域、选项字节4部分组成。
STM32F767的Flash访问路径有两条：AXIM和ICTM，一般使用AXIM接口访问Falsh，其其实地址为0X08000000
主存储器
存放代码和数据常量(const常量数据)。它可以分为1个Bank(默认)和2个Bank，可以通过选项字节nDBank位来设置。
在单Bank模式下，STM32F767的主存储器被分为8个扇区，前4个扇区为32kb大小，第五个山扇区为128kb大小，剩下的3个扇区都是256kb大小，共1MB
系统存储器
存放Bootloader代码，此代码是出厂时就固化的，用来给主存储器下载代码，当B0接3.3v时默认从系统存储器启动
OTP区域
一次性可编程区域，共1056byte，被划分为16个64字节的OTP数据块和1个16字节的OTP锁定块。锁定块决定了数据块是否可编程。
选项字节

闪存的读取

为了准确的读取Flash数据，需要根据CPU时钟(HCLK)的频率和器件电源电压设置FLSH的存取控制寄存器(FLASH_ACR)中的等待周期数(LATENCY)，CPU频率与FLASH等待周期数的对应关系如图：

等待周期通过FLASH_ACR寄存器的LATENCY[3:0]来设置，系统复位后，系统时钟为内部的16MRC振荡器，LATENCY默认是0(1个等待周期)。供电电压一般默认为3.3，所以在设置216Mhz频率作为CPU时钟之前，必须先设置LATENCY为7(8个CPU周期)，否则FLASH读写可能会出错导致死机。
STM23F7的 FLASH 读取是很简单的。例如，我们要从地址 addr ，读取一个字（一个字为32 位），可以通过如下的语句读取：
data=(vu32)addr;
将addr 强制转换为 vu32 指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了 addr 地址的值。
类似的，将上面的 vu32 改为 vu8 ，即可读取指定地址的一个字节。

闪存的编程和擦除

执行任何Flash的编程操作(擦除或编程)时，CPU时钟频率(HCLK)不能低于1Mhz。如果在Flash操作期间期间器件发生复位，无法保证Flash的内容。
在对Flash执行写入或擦除操作期间，任何读取Flash的尝试都会导致总线阻塞。只有在完成编程操作后才能正确处理读操作。

STM32F767的闪存编程由7个32位寄存器控制，如下

名称	缩写
Flash访问控制寄存器	FLASH_ACR
Flash密匙寄存器	FLASH_KEYR
Flash选项密匙寄存器	FLSAH_OPTKEYR
Flash状态寄存器	FLASH_SR
Flash控制寄存器	FLASH_CR
Flash选项控制寄存器	FLASH_OPTCR
Flash选项控制寄存器1	FLASH_OPTCR1

STM32F767复位后，Flash的编程操作是被保护的，不能写入FLASH_CR寄存器；通过写入特定的序列(0X45670123 和 0XCDEF89AB)到FLASH_KEYR寄存器才可解除写保护，只有在写保护被解除后，才能操作相关寄存器。
STM32F767的编程位数通过FLASH_CR的PSIZE字段配置，PSIZE的设置必须和电源电压匹配，见表，使用3.3v供电时，PSIZE必须设置为10，擦除护着编程都必须以32位为基础。
FLASH在编程的时候，也必须要求其写入地址的FLASH是被擦除了的(值必须是0XFFFFFFFF)，否则无法写入。

STM32F767的标准编程步骤

检查Flash_SR的BSY位，确定当前未执行任何Flash操作;
将Flash_CR寄存器中的PG位置1，激活Flash编程;
针对所需存储器地址(主存储器块或OTP区域内)执行数据写入操作(PSIZE需要已经设置)
等待BSY位清，完成一次编程。

以上四步操作就可以完成一次FLASH编程操作，需要注意几点：
1. 确保编程地址已擦除
2. 需要先解锁FLASH_CR，操作完后要上锁
3. 变成操作对OPT区域也一样

STM32F767的擦除

扇区擦除

检查FLASH_CR是否解锁，未解锁先解锁
检查FLASH_SR的BSY位，确保当前未执行任何FLASH操作
将FLASH_CR的SER位置1，并从主存储块的12个扇区中选择要擦除的扇区(SNB)
将FLASH_CR的STRT置1，触发擦除操作
等待BSY位清零

整片擦除

附录

代码

依赖于HAL库

#include "stmflash.h"
#include "delay.h"//读取指定地址的字(32位数据)
//faddr:读地址
//返回值:对应数据.
u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)
{return *(__IO uint32_t *)faddr;
}//获取某个地址所在的flash扇区
//addr:flash地址
//返回值:0~11,即addr所在的扇区
uint16_t STMFLASH_GetFlashSector(u32 addr)
{if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return FLASH_SECTOR_0;else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return FLASH_SECTOR_1;else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return FLASH_SECTOR_2;else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return FLASH_SECTOR_3;else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return FLASH_SECTOR_4;else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return FLASH_SECTOR_5;else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return FLASH_SECTOR_6;return FLASH_SECTOR_7;
}//从指定地址开始写入指定长度的数据
//特别注意:因为STM32F7的扇区实在太大,没办法本地保存扇区数据,所以本函数
//         写地址如果非0XFF,那么会先擦除整个扇区且不保存扇区数据.所以
//         写非0XFF的地址,将导致整个扇区数据丢失.建议写之前确保扇区里
//         没有重要数据,最好是整个扇区先擦除了,然后慢慢往后写.
//该函数对OTP区域也有效!可以用来写OTP区!
//OTP区域地址范围:0X1FF0F000~0X1FF0F41F
//WriteAddr:起始地址(此地址必须为4的倍数!!)
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:字(32位)数(就是要写入的32位数据的个数.)
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite)
{ FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;HAL_StatusTypeDef FlashStatus=HAL_OK;u32 SectorError=0;u32 addrx=0;u32 endaddr=0;    if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return;    //非法地址HAL_FLASH_Unlock();             //解锁addrx=WriteAddr;                //写入的起始地址endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4;    //写入的结束地址if(addrx<0X1FF00000){while(addrx<endaddr)        //扫清一切障碍.(对非FFFFFFFF的地方,先擦除){if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)//有非0XFFFFFFFF的地方,要擦除这个扇区{   FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS;       //擦除类型，扇区擦除 FlashEraseInit.Sector=STMFLASH_GetFlashSector(addrx);   //要擦除的扇区FlashEraseInit.NbSectors=1;                             //一次只擦除一个扇区FlashEraseInit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;      //电压范围，VCC=2.7~3.6V之间!!if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError)!=HAL_OK) {break;//发生错误了    }SCB_CleanInvalidateDCache();                            //清除无效的D-Cache}else addrx+=4;FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);                //等待上次操作完成}}FlashStatus=FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);            //等待上次操作完成if(FlashStatus==HAL_OK){while(WriteAddr<endaddr)//写数据{if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,WriteAddr,*pBuffer)!=HAL_OK)//写入数据{ break;    //写入异常}WriteAddr+=4;pBuffer++;} }HAL_FLASH_Lock();           //上锁
} //从指定地址开始读出指定长度的数据
//ReadAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToRead:字(32位)数
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead)
{u32 i;for(i=0;i<NumToRead;i++){pBuffer[i]=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取4个字节.ReadAddr+=4;//偏移4个字节.    }
}

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