高通推出两款8核芯片骁龙430/617，手机芯片市场硝烟再起---ESM

在“2015 Qualcomm 3G/LTE峰会”上，高通（Qualcomm）推出2款移动处理器平台骁龙430和骁龙617，主打中端平价高性能的移动市场，两颗芯片均为8核心采用ARM Cortex A53构架，同时支持下一代快速充电技术Qualcomm Quick Charge 3.0。高通表示，这两款芯片将为中端移动终端带来更强的多媒体能力和连接性能。

两款芯片已积极排片备产，据高通英文官网透露将由28纳米工艺制造。有猜测表示骁龙617可能交由中芯国际代工，而骁龙430交由台积电代工。采用骁龙430处理器的商用终端预计将于2016年第2季度上市，而骁龙617处理器预计将于2015年底前在商用终端中实现应用。

骁龙430具体参数：

1.X6 LTE调制解调器下行支持Cat 4，最高传输速度达150 Mbps，并且支持2x10 MHz载波聚合。通过首次在该层级处理器中支持64-QAM，上行支持Cat 5，最高传输速度达75 Mbps；

2.支持双摄像头配置和最高达2100万像素传感器的优质图像，并采用全新强大的Qualcomm Adreno 505 GPU，支持Open GL ES3.1、Android Extension Pack和 OpenCL 2.0等特性。

骁龙617具体参数：

1.包含此前6XX系列仅限于高端产品的特性，较骁龙430的连接性和各项能力有全面提升。

2.集成了X8 LTE调制解调器，利用双向2x20 MHz载波聚合支持Cat 7，下行速度最高达300 Mbps，上行速度最高达100 Mbps，满足全球对更快LTE数据速率的需求；

3.与骁龙620与618享有同样的软件提升、双ISP以及摄像头架构。此外，骁龙617、618和620能够运行相同的软件包，使OEM厂商可以快速高效地推出产品。

Qualcomm表示，骁龙617和430与面向全球载波聚合的全新成本优化型射频收发器WTR 2965相匹配，能实现最优射频性能。

此外，两款处理器都使用了高性能、低功率的Qualcomm Hexagon DSP，支持低功率传感器和先进的音频功能。骁龙430和骁龙617处理器还将快速追踪区域认证流程，以支持Qualcomm全球支持计划（Qualcomm Global Pass）认证项目。

高通骁龙820采用X12 LTE基带最高支持Cat 13

早前消息显示，骁龙820处理器是高通认知计算平台Zeroth的首款重量级产品，具备“人工智能”能力。会采用4核心64位架构——Qualcomm Kryo CPU，集成Adreno 530 GPU和Qualcomm Spectra ISP，以及全新的Hexagon 680 DSP。

高通表示，骁龙820将首次集成全新的X12 LTE调制解调器；支持Cat12 、Cat 13网络标准，理论上支持下行600Mbps、上行150Mbps。与前代产品相比，下载和上传速度分别提高了33%和200%。

值得一提的是，X12 LTE调制解调器支持下一代高清LTE语音（VoLTE）和LTE视频（ViLTE）通话服务，同时还能保证LTE和Wi-Fi间的通话连续性。

借助高通认知计算平台Zeroth的认知能力，X12 LTE调制解调器能够实时监测Wi-Fi连接质量，并决定是否及何时在LTE与Wi-Fi间切换通话。

此外，骁龙820处理器首次宣布支持LTE 4x4多输入多输出（MIMO）技术，可提高单LTE载波下载吞吐速度，并首次集成闭环天线调谐技术，可在实际网络条件

下动态地优化射频性能，尤其适用于高端手机采用的金属材质。减少通话掉线、改善小区边缘吞吐量，并且进一步降低功耗。

X12 LTE调制解调器还支持支持LTE、Wi-Fi之间的多种天线共享机制，帮助手机厂商更轻松的设计出支持LTE-U、4x4 LTE MIMO和双频Wi-Fi等技术的终端，同时保证具有吸引力的外观设计，并且对任一技术的性能影响降至最低。

据高通透露，搭载骁龙820的高端手机终端，将于2016年上半年正式发布。

高通在旗舰处理器骁龙820上放弃使用8核构架转向4核，更多的是意识到高端市场的威胁来自三星；此次中端系列产品全面提升为8核并且为LTE量身打造，3G芯片市场无利可图，乘MTK衰弱之际争取更多中国安卓手机厂商订单。芯片构架上的进步趋缓，手机芯片市场再起硝烟。

高通推出手机快充3.0兼容USB Type-C

高通子公司Qualcomm Technologies同时宣布推出下一代快速充电技术QualcommQuick Charge3.0。可实现比上一代效率最高提升38%，快速充电速度最高达27%，同时帮助保护电池寿命周期。

目前，运营商和OEM厂商将受益于既有的Quick Charge生态系统，包括20多家已支持Quick Charge 2.0技术的OEM厂商和90多种可用配件。

作为快速充电技术的第三代产品，Quick Charge 3.0在同类产品中首次采用最佳电压智能协商（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV）算法。该算法在帮助便携设备具备选定所需功率电平的能力，以在任意时刻实现最佳功率传输，且最大化效率。

据了解，Quick Charge 3.0能在大约35分钟内将一部典型的手机从零电量充电至80%，而不具备Quick Charge的传统移动终端通常需要大致一个半小时的时间。

此外，当与Qualcomm最新的、先进并联充电配置一起使用时，Quick Charge 3.0可以实现：

1、与Quick Charge 2.0相比，帮助提高快速充电速度最高达27%，或减少功率损耗最高达45%；

2、比Quick Charge 1.0快2倍的充电速度。

充电选项方面：Quick Charge 2.0提供5V、9V、12V和20V四档充电电压，Quick Charge 3.0则以200mV增量为一档，提供从3.6V到20V电压的灵活选择。这将允许手机获得恰到好处的电压，达到预期的充电电流，从而最小化电量损失、提高充电效率并改善热表现。

此外，Quick Charge 3.0能够与Quick Charge之前的版本及连接器（包括USB Type-C）前向和后向兼容，并且拥有同样的超快充电速度，以及独立电路，为OEM厂商提供更灵活的选择，此外还有帮助达到质量和安全标准的UL认证。

最后，Quick Charge 3.0将在部分Qualcomm骁龙处理器中以选配形式提供，包括骁龙820、620、618、617和430处理器；搭载这一技术的移动终端预计将于明年上市。

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