DHE1M-ASEMI高效恢复二极管DHE1M
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DHE1M在SOD-123封装里采用的1个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款高效恢复二极管。DHE1M的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。DHE1M采用GPP硅芯片材质,里面有1颗芯片组成。DHE1M的电性参数是:正向电流(Io)为1A,反向耐压为1000V,正向电压(VF)为1.7V,反向恢复时间(trr)为100NS,其中有2条引线。
DHE1M参数描述
型号:DHE1M
封装:SOD-123
特性:高效恢复二极管
电性参数:1A 1000V
芯片材质:GPP硅芯片
正向电流(Io):1A
芯片个数:1
正向电压(VF):1.7V
芯片尺寸:50MIL
浪涌电流Ifsm:30A
漏电流(Ir):10uA
反向恢复时间(trr):100NS
工作温度:-55~+150℃
引线数量:2
DHE1M贴片封装系列。它的本体长度为2.8mm,加引脚长度为3.7mm,宽度为1.8mm,高度为1.1mm,脚宽度为1.0mm。
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