集成电路先进制造技术进展与趋势
摘 要
【目的】近年来随着摩尔定律逼近物理极限，传统的器件尺寸微缩变得越来越困难。尽管近年来人们开始尝试探索以碳基材料为代表的新材料、以量子计算为代表的新原理集成电路技术，但以传统硅基场效应晶体管为基础的CMOS电路仍将是集成电路发展的优选方案和主流趋势。为了持续提升集成电路性能和集成度，场效应晶体管器件技术出现了重大变革，并伴随着集成电路制造技术的不断革新。
【方法】基于场效应晶体管器件性能提升的原理，阐述了通过引入新材料、新结构、新工艺方法，实现器件性能提升和集成度增大的先进制造技术，其中主要包括以高介电常数介质/金属栅和FinFET/SOI/Nanosheet MOSFET结构为代表的器件电学性能提升技术、以空气侧墙和Co局部接触金属材料为代表的寄生效应抑制技术以及以先进光刻和Forksheet/CFET为代表的器件布局紧凑化技术。
【结果】基于这些新方法，集成电路制造技术近年来出现了诸多突破性进展，成功推进摩尔定律向更高水平延伸，也为集成电路技术在未来各应用场景下发挥关键作用奠定了基础。
【结论】集成电路先进制造为基础的重要技术革新将促进信息社会的进一步发展和融合。
关键词：集成电路；先进制造技术；电学性能；集成度
引 言
集成电路是电子产业和信息社会的支柱和硬件基础。金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是构成当前集成电路的最基本器件结构，当前的绝大多数集成电路都以互
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