圆锥形SiC纳米磨削单晶硅源代码
本文以圆锥形SiC磨粒磨削单晶Si为例,介绍纳米磨削模拟过程以及力的输出。
模拟流程:
(1)建模:单晶硅分为三个区域:边界区、恒温区、牛顿区。磨粒为圆锥形,材料为SiC。
(2)模拟初始化,固定边界原子,设置磨粒原子为刚性原子。
(3)能量最小化,对系统进行驰豫,使体系能量达到最低。
(4)设置恒温区温度为300K。
(5)设置系综,设置磨粒移动方向和速度
(6)输出轨迹文件、输出三个方向受力。
#建立初始条件dimension 3 boundary s p s units metal atom_style atomicneighbor 0.3 binneigh_modify delay 5
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