嵌入式分享合集146

一、红外遥控的原理

目前很多手机都集成了红外功能，这一功能在手机上主要用作遥控器使用。现在的硬件厂商都在搭建生态，比如智能家居。以手机作为智能终端，通过APP来控制所要接入的各种设备，如空调、电视、照明灯、音响等。而手机的红外功能就可以把手机当作一个遥控器来使用。

家用设备中，红外的普及是通过空调和电视来实现的。两者的遥控设备都是通过红外功能来实现的，这两种近距离场景是红外应用最广泛的地方。红外要实现遥控需要红外发送和红外接受等硬件的支持。在空调和电视端，集成的红外接收电路；在手机端集成的是红外发射电路。

1 红外发射电路

红外发射电路的核心元器件是红外发射探头，该探头的外形与直插LED非常类似，外表透明，在使用时也是按照LED的驱动电路来设计电路的。

当基极端的IR为低电平时红外电路处于关断状态；当基极端的IR为高电平时红外电路导通，发出外红光，被接收电路所接收。

2 红外接收电路

红外接收电路涉及到红外接收元器件电路以及解码电路。红外发射和接收是成对出现的，通用的红外接收元器件为黑色外壳，外形如LED。但是这种接收器件比较容易收到干扰。在设计电路时都使用专用的红外接收器件，如HS0038。

3 红外的通讯协议

有了发射电路、有了接收电路，那么数据是如何传输的呢？这就要设计到通讯协议了。手机的红外在适配不同型号的电视、空调时都一个学习的过程，这个学习的过程就是协议适配的过程。目前比较主流的通讯协议是NEC的。NEC规定了0和1的定义，定义了报文数据结构。0和1的定义如下图所示。

遥控器在按下的时候，红外发射部分会发送一串脉冲，该脉冲的编码是遵循NEC协议的，接收端对脉冲编码解析出用户按键的含义再执行相应的命令。

手机端的红外，是发送部分，APP中按下某一个键，红外就会发送出一串脉冲，接收电路对该脉冲进行解码，由此实现发送和接收的配合，实现遥控设备的目的。

但是，手机红外目前功能主要用来控制电视、空调等，当作遥控器来使用，应用场景比较受限，这主要由红外的通讯距离短、需要点对点匹配等约束的。

whaosoft aiot http://143ai.com

二、常用半导体中英对照表

01. 常用半导体中英对照表

离子注入机 ion implanter

LSS理论 Lindhand Scharff and Schiott theory，又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。

沟道效应 channeling effect

射程分布 range distribution

深度分布 depth distribution

投影射程 projected range

阻止距离 stopping distance

阻止本领 stopping power

标准阻止截面 standard stopping cross section

退火 annealing

激活能 activation energy

等温退火 isothermal annealing

激光退火 laser annealing

应力感生缺陷 stress-induced defect

择优取向 preferred orientation

制版工艺 mask-making technology

图形畸变 pattern distortion

初缩 first minification

精缩 final minification

母版 master mask

铬版 chromium plate

干版 dry plate

乳胶版 emulsion plate

透明版 see-through plate

高分辨率版 high resolution plate, HRP

超微粒干版 plate for ultra-microminiaturization

掩模 mask

掩模对准 mask alignment

对准精度 alignment precision

光刻胶 photoresist，又称“光致抗蚀剂”。

负性光刻胶 negative photoresist

正性光刻胶 positive photoresist

无机光刻胶 inorganic resist

多层光刻胶 multilevel resist

电子束光刻胶 electron beam resist

X射线光刻胶 X-ray resist

刷洗 scrubbing

甩胶 spinning

涂胶 photoresist coating

后烘 postbaking

光刻 photolithography

X射线光刻 X-ray lithography

电子束光刻 electron beam lithography

离子束光刻 ion beam lithography

深紫外光刻 deep-UV lithography

光刻机 mask aligner

投影光刻机 projection mask aligner

曝光 exposure

接触式曝光法 contact exposure method

接近式曝光法 proximity exposure method

光学投影曝光法 optical projection exposure method

电子束曝光系统 electron beam exposure system

分步重复系统 step-and-repeat system

显影 development

线宽 linewidth

去胶 stripping of photoresist

氧化去胶 removing of photoresist by oxidation

等离子［体］去胶 removing of photoresist by plasma

刻蚀 etching

干法刻蚀 dry etching

反应离子刻蚀 reactive ion etching, RIE

各向同性刻蚀 isotropic etching

各向异性刻蚀 anisotropic etching

反应溅射刻蚀 reactive sputter etching

离子铣 ion beam milling，又称“离子磨削”。

等离子［体］刻蚀 plasma etching

钻蚀 undercutting

剥离技术 lift-off technology，又称“浮脱工艺”。

终点监测 endpoint monitoring

金属化 metallization

互连 interconnection

多层金属化 multilevel metallization

电迁徙 electromigration

回流 reflow

磷硅玻璃 phosphorosilicate glass

硼磷硅玻璃 boron-phosphorosilicate glass

钝化工艺 passivation technology

多层介质钝化 multilayer dielectric passivation

划片 scribing

电子束切片 electron beam slicing

烧结 sintering

印压 indentation

热压焊 thermocompression bonding

热超声焊 thermosonic bonding

冷焊 cold welding

点焊 spot welding

球焊 ball bonding

楔焊 wedge bonding

内引线焊接 inner lead bonding

外引线焊接 outer lead bonding

梁式引线 beam lead

装架工艺 mounting technology

附着 adhesion

封装 packaging

金属封装 metallic packaging

陶瓷封装 ceramic packaging

扁平封装 flat packaging

塑封 plastic package

玻璃封装 glass packaging

微封装 micropackaging，又称“微组装”。

管壳 package

管芯 die

引线键合 lead bonding

引线框式键合 lead frame bonding

带式自动键合 tape automated bonding, TAB

激光键合 laser bonding

超声键合 ultrasonic bonding

红外键合 infrared bonding

02. 微电子辞典大集合

（按首字母顺序排序）

Abrupt junction 突变结
Accelerated testing 加速实验
Acceptor 受主
Acceptor atom 受主原子
Accumulation 积累、堆积
Accumulating contact 积累接触
Accumulation region 积累区
Accumulation layer 积累层
Active region 有源区
Active component 有源元
Active device 有源器件
Activation 激活
Activation energy 激活能
Active region 有源（放大）区
Admittance 导纳
Allowed band 允带
Alloy-junction device合金结器件

Aluminum(Aluminium) 铝
Aluminum – oxide 铝氧化物
Aluminum passivation 铝钝化
Ambipolar 双极的
Ambient temperature 环境温度
Amorphous 无定形的，非晶体的
Amplifier 功放扩音器放大器
Analogue(Analog) comparator 模拟比较器

Angstrom 埃

Anneal 退火
Anisotropic 各向异性的
Anode 阳极
Arsenic (AS) 砷
Auger 俄歇
Auger process 俄歇过程
Avalanche 雪崩
Avalanche breakdown 雪崩击穿
Avalanche excitation雪崩激发

Background carrier 本底载流子
Background doping 本底掺杂
Backward 反向
Backward bias 反向偏置
Ballasting resistor 整流电阻
Ball bond 球形键合
Band 能带
Band gap 能带间隙
Barrier 势垒
Barrier layer 势垒层
Barrier width 势垒宽度
Base 基极
Base contact 基区接触
Base stretching 基区扩展效应
Base transit time 基区渡越时间
Base transport efficiency基区输运系数
Base-width modulation基区宽度调制
Basis vector 基矢
Bias 偏置
Bilateral switch 双向开关
Binary code 二进制代码
Binary compound semiconductor 二元化合物半导体
Bipolar 双极性的
Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管
Bloch 布洛赫
Blocking band 阻挡能带
Blocking contact 阻挡接触
Body - centered 体心立方
Body-centred cubic structure 体立心结构
Boltzmann 波尔兹曼
Bond 键、键合
Bonding electron 价电子
Bonding pad 键合点
Bootstrap circuit 自举电路

Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器
Boron 硼
Borosilicate glass 硼硅玻璃
Boundary condition 边界条件
Bound electron 束缚电子
Breadboard 模拟板、实验板
Break down 击穿
Break over 转折
Brillouin 布里渊
Brillouin zone 布里渊区
Built-in 内建的
Build-in electric field 内建电场
Bulk 体/体内

Bulk absorption 体吸收

Bulk generation 体产生
Bulk recombination 体复合
Burn - in 老化
Burn out 烧毁
Buried channel 埋沟
Buried diffusion region 隐埋扩散区

Can 外壳
Capacitance 电容
Capture cross section 俘获截面
Capture carrier 俘获载流子
Carrier 载流子、载波
Carry bit 进位位
Carry-in bit 进位输入
Carry-out bit 进位输出
Cascade 级联
Case 管壳
Cathode 阴极
Center 中心
Ceramic 陶瓷（的）
Channel 沟道

Channel breakdown 沟道击穿
Channel current 沟道电流
Channel doping 沟道掺杂
Channel shortening 沟道缩短
Channel width 沟道宽度
Characteristic impedance 特征阻抗
Charge 电荷、充电
Charge-compensation effects 电荷补偿效应
Charge conservation 电荷守恒
Charge neutrality condition 电中性条件
Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储
Chemmical etching 化学腐蚀法
Chemically-Polish 化学抛光
Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光

Chip 芯片
Chip yield 芯片成品率
Clamped 箝位
Clamping diode 箝位二极管
Cleavage plane 解理面
Clock rate 时钟频率
Clock generator 时钟发生器
Clock flip-flop 时钟触发器
Close-packed structure 密堆积结构
Close-loop gain 闭环增益
Collector 集电极
Collision 碰撞
Compensated OP-AMP 补偿运放
Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接
Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接
Common-mode gain 共模增益
Common-mode input 共模输入
Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比
Compatibility 兼容性
Compensation 补偿
Compensated impurities 补偿杂质
Compensated semiconductor 补偿半导体
Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路
Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS)
互补金属氧化物半导体场效应晶体管
Complementary error function 余误差函数
Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制造
Compound Semiconductor 化合物半导体
Conductance 电导
Conduction band (edge) 导带(底)
Conduction level/state 导带态
Conductor 导体
Conductivity 电导率
Configuration 组态
Conlomb 库仑
Conpled Configuration Devices 结构组态
Constants 物理常数
Constant energy surface 等能面
Constant-source diffusion恒定源扩散
Contact 接触
Contamination 治污
Continuity equation 连续性方程
Contact hole 接触孔
Contact potential 接触电势
Continuity condition 连续性条件
Contra doping 反掺杂
Controlled 受控的
Converter 转换器
Conveyer 传输器
Copper interconnection system 铜互连系统
Couping 耦合
Covalent 共阶的
Crossover 跨交
Critical 临界的
Crossunder 穿交
Crucible坩埚
Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格
Current density 电流密度
Curvature 曲率
Cut off 截止
Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享
Current Sense 电流取样
Curvature 弯曲
Custom integrated circuit 定制集成电路
Cylindrical 柱面的
Czochralshicrystal 直立单晶
Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J）

Dangling bonds 悬挂键
Dark current 暗电流
Dead time 空载时间
Debye length 德拜长度
De.broglie 德布洛意
Decderate 减速
Decibel (dB) 分贝
Decode 译码
Deep acceptor level 深受主能级
Deep donor level 深施主能级
Deep impurity level 深度杂质能级
Deep trap 深陷阱
Defeat 缺陷
Degenerate semiconductor 简并半导体

Degeneracy 简并度
Degradation 退化
Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度
Delay 延迟 Density 密度
Density of states 态密度
Depletion 耗尽
Depletion approximation 耗尽近似
Depletion contact 耗尽接触
Depletion depth 耗尽深度
Depletion effect 耗尽效应
Depletion layer 耗尽层
Depletion MOS 耗尽MOS
Depletion region 耗尽区
Deposited film 淀积薄膜
Deposition process 淀积工艺
Design rules 设计规则
Die 芯片（复数dice）
Diode 二极管
Dielectric 介电的
Dielectric isolation 介质隔离
Difference-mode input 差模输入
Differential amplifier 差分放大器
Differential capacitance 微分电容
Diffused junction 扩散结
Diffusion 扩散
Diffusion coefficient 扩散系数
Diffusion constant 扩散常数
Diffusivity 扩散率
Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉
Digital circuit 数字电路
Dipole domain 偶极畴
Dipole layer 偶极层
Direct-coupling 直接耦合
Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体
Direct transition 直接跃迁
Discharge 放电
Discrete component 分立元件
Dissipation 耗散
Distribution 分布
Distributed capacitance 分布电容
Distributed model 分布模型
Displacement 位移

Dislocation 位错
Domain 畴 Donor 施主
Donor exhaustion 施主耗尽
Dopant 掺杂剂
Doped semiconductor 掺杂半导体
Doping concentration 掺杂浓度
Double-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS.
Drift 漂移

Drift field 漂移电场
Drift mobility 迁移率
Dry etching 干法腐蚀
Dry/wet oxidation 干/湿法氧化
Dose 剂量
Duty cycle 工作周期
Dual-in-line package （DIP）双列直插式封装
Dynamics 动态
Dynamic characteristics 动态属性
Dynamic impedance 动态阻抗

Early effect 厄利效应
Early failure 早期失效
Effective mass 有效质量
Einstein relation(ship) 爱因斯坦关系
Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 一次性电可擦除只读存储器
Electrode 电极
Electrominggratim 电迁移
Electron affinity 电子亲和势
Electronic -grade 电子能
Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电子束曝光
Electron gas 电子气
Electron-grade water 电子级纯水
Electron trapping center 电子俘获中心
Electron Volt (eV) 电子伏
Electrostatic 静电的
Element 元素/元件/配件
Elemental semiconductor 元素半导体
Ellipse 椭圆
Ellipsoid 椭球
Emitter 发射极
Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑
Emitter-coupled pair 发射极耦合对
Emitter follower 射随器
Empty band 空带
Emitter crowding effect 发射极集边（拥挤）效应
Endurance test =life test 寿命测试
Energy state 能态
Energy momentum diagram 能量-动量(E-K)图
Enhancement mode 增强型模式
Enhancement MOS 增强性
MOS Entefic (低)共溶的
Environmental test 环境测试
Epitaxial 外延的
Epitaxial layer 外延层
Epitaxial slice 外延片
Expitaxy 外延
Equivalent curcuit 等效电路
Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子
Erasable Programmable ROM (EPROM)可搽取（编程）存储器
Error function complement 余误差函数
Etch 刻蚀
Etchant 刻蚀剂
Etching mask 抗蚀剂掩模
Excess carrier 过剩载流子
Excitation energy 激发能
Excited state 激发态
Exciton 激子
Extrapolation 外推法
Extrinsic 非本征的
Extrinsic semiconductor 杂质半导体

Face - centered 面心立方
Fall time 下降时间
Fan-in 扇入
Fan-out 扇出
Fast recovery 快恢复
Fast surface states 快界面态
Feedback 反馈
Fermi level 费米能级
Fermi-Dirac Distribution 费米-狄拉克分布
Femi potential 费米势
Fick equation 菲克方程（扩散）
Field effect transistor 场效应晶体管
Field oxide 场氧化层
Filled band 满带
Film 薄膜
Flash memory 闪烁存储器
Flat band 平带
Flat pack 扁平封装
Flicker noise 闪烁（变）噪声
Flip-flop toggle 触发器翻转
Floating gate 浮栅
Fluoride etch 氟化氢刻蚀
Forbidden band 禁带
Forward bias 正向偏置
Forward blocking /conducting正向阻断/导通

Frequency deviation noise频率漂移噪声
Frequency response 频率响应
Function 函数

Gain 增益

Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化钾
Gamy ray r 射线
Gate 门、栅、控制极
Gate oxide 栅氧化层
Gauss（ian）高斯
Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布
Generation-recombination 产生-复合
Geometries 几何尺寸
Germanium(Ge) 锗
Graded 缓变的
Graded (gradual) channel 缓变沟道
Graded junction 缓变结
Grain 晶粒
Gradient 梯度
Grown junction 生长结
Guard ring 保护环
Gummel-Poom model 葛谋-潘模型
Gunn - effect 狄氏效应

Hardened device 辐射加固器件

Heat of formation 形成热
Heat sink 散热器、热沉
Heavy/light hole band 重/轻空穴带
Heavy saturation 重掺杂
Hell - effect 霍尔效应
Heterojunction 异质结
Heterojunction structure 异质结结构
Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）异质结双极型晶体
High field property 高场特性
High-performance MOS.( H-MOS)高性能
MOS. Hormalized 归一化
Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器

Hot carrior 热载流子
Hybrid integration 混合集成

Image - force 镜象力
Impact ionization 碰撞电离
Impedance 阻抗
Imperfect structure 不完整结构
Implantation dose 注入剂量
Implanted ion 注入离子
Impurity 杂质
Impurity scattering 杂志散射
Incremental resistance 电阻增量（微分电阻）

In-contact mask 接触式掩模
Indium tin oxide (ITO) 铟锡氧化物
Induced channel 感应沟道
Infrared 红外的
Injection 注入
Input offset voltage 输入失调电压
Insulator 绝缘体
Insulated Gate FET(IGFET)绝缘栅FET

Integrated injection logic集成注入逻辑
Integration 集成、积分
Interconnection 互连
Interconnection time delay 互连延时
Interdigitated structure 交互式结构
Interface 界面
Interference 干涉
International system of unions国际单位制
Internally scattering 谷间散射
Interpolation 内插法
Intrinsic 本征的
Intrinsic semiconductor 本征半导体
Inverse operation 反向工作
Inversion 反型
Inverter 倒相器
Ion 离子
Ion beam 离子束
Ion etching 离子刻蚀
Ion implantation 离子注入
Ionization 电离
Ionization energy 电离能
Irradiation 辐照
Isolation land 隔离岛
Isotropic 各向同性

Junction FET(JFET) 结型场效应管
Junction isolation 结隔离
Junction spacing 结间距
Junction side-wall 结侧壁

Latch up 闭锁
Lateral 横向的
Lattice 晶格
Layout 版图
Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟/晶格缺陷/晶格畸变
Leakage current （泄）漏电流
Level shifting 电平移动
Life time 寿命
linearity 线性度
Linked bond 共价键
Liquid Nitrogen 液氮
Liquid－phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术
Lithography 光刻
Light Emitting Diode(LED) 发光二极管
Load line or Variable 负载线
Locating and Wiring 布局布线
Longitudinal 纵向的
Logic swing 逻辑摆幅
Lorentz 洛沦兹
Lumped model 集总模型

Majority carrier 多数载流子
Mask 掩膜板，光刻板
Mask level 掩模序号
Mask set 掩模组
Mass - action law质量守恒定律
Master-slave D flip-flop主从D触发器
Matching 匹配
Maxwell 麦克斯韦
Mean free path 平均自由程
Meandered emitter junction梳状发射极结
Mean time before failure (MTBF) 平均工作时间
Megeto - resistance 磁阻
Mesa 台面
MESFET-Metal Semiconductor金属半导体FET
Metallization 金属化
Microelectronic technique 微电子技术
Microelectronics 微电子学
Millen indices 密勒指数
Minority carrier 少数载流子
Misfit 失配
Mismatching 失配
Mobile ions 可动离子
Mobility 迁移率
Module 模块
Modulate 调制
Molecular crystal分子晶体
Monolithic IC 单片IC

MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管
Mos. Transistor(MOST )MOS. 晶体管
Multiplication 倍增
Modulator 调制
Multi-chip IC 多芯片IC
Multi-chip module(MCM) 多芯片模块
Multiplication coefficient倍增因子

Naked chip 未封装的芯片（裸片）
Negative feedback 负反馈
Negative resistance 负阻
Nesting 套刻
Negative-temperature-coefficient 负温度系数
Noise margin 噪声容限
Nonequilibrium 非平衡
Nonrolatile 非挥发（易失）性
Normally off/on 常闭/开
Numerical analysis 数值分析

Occupied band 满带
Officienay 功率
Offset 偏移、失调
On standby 待命状态
Ohmic contact 欧姆接触
Open circuit 开路
Operating point 工作点
Operating bias 工作偏置
Operational amplifier (OPAMP)运算放大器
Optical photon =photon 光子
Optical quenching光猝灭
Optical transition 光跃迁
Optical-coupled isolator光耦合隔离器
Organic semiconductor有机半导体
Orientation 晶向、定向
Outline 外形
Out-of-contact mask非接触式掩模
Output characteristic 输出特性
Output voltage swing 输出电压摆幅
Overcompensation 过补偿
Over-current protection 过流保护
Over shoot 过冲
Over-voltage protection 过压保护
Overlap 交迭
Overload 过载
Oscillator 振荡器
Oxide 氧化物
Oxidation 氧化
Oxide passivation 氧化层钝化

Package 封装
Pad 压焊点
Parameter 参数
Parasitic effect 寄生效应
Parasitic oscillation 寄生振荡
Passination 钝化
Passive component 无源元件
Passive device 无源器件
Passive surface 钝化界面
Parasitic transistor 寄生晶体管
Peak-point voltage 峰点电压
Peak voltage 峰值电压
Permanent-storage circuit 永久存储电路
Period 周期
Periodic table 周期表
Permeable - base 可渗透基区
Phase-lock loop 锁相环
Phase drift 相移
Phonon spectra 声子谱
Photo conduction 光电导
Photo diode 光电二极管
Photoelectric cell 光电池
Photoelectric effect 光电效应
Photoenic devices 光子器件
Photolithographic process 光刻工艺
(photo) resist （光敏）抗腐蚀剂
Pin 管脚
Pinch off 夹断
Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎（效应）
Planar process 平面工艺
Planar transistor 平面晶体管
Plasma 等离子体
Plezoelectric effect 压电效应
Poisson equation 泊松方程
Point contact 点接触
Polarity 极性
Polycrystal 多晶
Polymer semiconductor聚合物半导体
Poly-silicon 多晶硅
Potential (电)势
Potential barrier 势垒
Potential well 势阱
Power dissipation 功耗
Power transistor 功率晶体管
Preamplifier 前置放大器
Primary flat 主平面
Principal axes 主轴
Print-circuit board(PCB) 印制电路板
Probability 几率
Probe 探针
Process 工艺
Propagation delay 传输延时
Pseudopotential method 膺势发
Punch through 穿通
Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制

Pulse Widen Modulator(PWM) 脉冲宽度调制

Punchthrough 穿通
Push-pull stage 推挽级

Quality factor 品质因子
Quantization 量子化
Quantum 量子
Quantum efficiency量子效应
Quantum mechanics 量子力学
Quasi – Fermi－level准费米能级
Quartz 石英

Radiation conductivity 辐射电导率

Radiation damage 辐射损伤
Radiation flux density 辐射通量密度
Radiation hardening 辐射加固
Radiation protection 辐射保护
Radiative - recombination辐照复合
Radioactive 放射性
Reach through 穿通
Reactive sputtering source 反应溅射源
Read diode 里德二极管
Recombination 复合
Recovery diode 恢复二极管
Reciprocal lattice 倒核子
Recovery time 恢复时间
Rectifier 整流器（管）
Rectifying contact 整流接触
Reference 基准点基准参考点
Refractive index 折射率
Register 寄存器
Registration 对准
Regulate 控制调整
Relaxation lifetime 驰豫时间
Reliability 可靠性
Resonance 谐振
Resistance 电阻
Resistor 电阻器
Resistivity 电阻率
Regulator 稳压管（器）
Relaxation 驰豫
Resonant frequency共射频率
Response time 响应时间
Reverse 反向的
Reverse bias 反向偏置

Sampling circuit 取样电路
Sapphire 蓝宝石（Al2O3）
Satellite valley 卫星谷
Saturated current range电流饱和区
Saturation region 饱和区
Saturation 饱和的
Scaled down 按比例缩小
Scattering 散射
Schockley diode 肖克莱二极管
Schottky 肖特基
Schottky barrier 肖特基势垒
Schottky contact 肖特基接触
Schrodingen 薛定厄
Scribing grid 划片格
Secondary flat 次平面
Seed crystal 籽晶
Segregation 分凝
Selectivity 选择性
Self aligned 自对准的
Self diffusion 自扩散
Semiconductor 半导体
Semiconductor-controlled rectifier 可控硅
Sendsitivity 灵敏度
Serial 串行/串联
Series inductance 串联电感
Settle time 建立时间
Sheet resistance 薄层电阻
Shield 屏蔽
Short circuit 短路
Shot noise 散粒噪声
Shunt 分流
Sidewall capacitance边墙电容

Signal 信号
Silica glass 石英玻璃
Silicon 硅
Silicon carbide 碳化硅
Silicon dioxide (SiO2) 二氧化硅
Silicon Nitride(Si3N4) 氮化硅
Silicon On Insulator 绝缘硅
Siliver whiskers 银须
Simple cubic 简立方
Single crystal 单晶
Sink 沉
Skin effect 趋肤效应
Snap time 急变时间
Sneak path 潜行通路
Sulethreshold 亚阈的
Solar battery/cell 太阳能电池
Solid circuit 固体电路
Solid Solubility 固溶度
Sonband 子带
Source 源极
Source follower 源随器
Space charge 空间电荷
Specific heat(PT) 热
Speed-power product 速度功耗乘积

Spherical 球面的
Spin 自旋 Split 分裂
Spontaneous emission 自发发射
Spreading resistance扩展电阻
Sputter 溅射

Stacking fault 层错
Static characteristic 静态特性
Stimulated emission 受激发射
Stimulated recombination 受激复合
Storage time 存储时间
Stress 应力
Straggle 偏差
Sublimation 升华
Substrate 衬底
Substitutional 替位式的
Superlattice 超晶格
Supply 电源

Surface 表面
Surge capacity 浪涌能力
Subscript 下标
Switching time 开关时间
Switch 开关

Tailing 扩展
Terminal 终端
Tensor 张量 Tensorial 张量的
Thermal activation 热激发
Thermal conductivity 热导率
Thermal equilibrium 热平衡
Thermal Oxidation 热氧化
Thermal resistance 热阻
Thermal sink 热沉
Thermal velocity 热运动
Thermoelectricpovoer 温差电动势率
Thick-film technique 厚膜技术
Thin-film hybrid IC薄膜混合集成电路
Thin-Film Transistor(TFT) 薄膜晶体
Threshlod 阈值
Thyistor 晶闸管
Transconductance 跨导
Transfer characteristic 转移特性
Transfer electron 转移电子
Transfer function 传输函数

Transient 瞬态的
Transistor aging(stress) 晶体管老化
Transit time 渡越时间
Transition 跃迁
Transition-metal silica 过度金属硅化物
Transition probability 跃迁几率
Transition region 过渡区
Transport 输运 Transverse 横向的
Trap 陷阱 Trapping 俘获
Trapped charge 陷阱电荷
Triangle generator 三角波发生器
Triboelectricity 摩擦电
Trigger 触发
Trim 调配调整
Triple diffusion 三重扩散
Truth table 真值表
Tolerahce 容差
Tunnel(ing) 隧道（穿）
Tunnel current 隧道电流
Turn over 转折
Turn - off time 关断时间

Ultraviolet 紫外的

Unijunction 单结的
Unipolar 单极的
Unit cell 原（元）胞
Unity-gain frequency 单位增益频率
Unilateral-switch单向开关

Vacancy 空位

Vacuum 真空
Valence(value) band 价带

Value band edge 价带顶
Valence bond 价键

Vapour phase 汽相
Varactor 变容管

Varistor 变阻器
Vibration 振动

Voltage 电压

Wafer 晶片
Wave equation 波动方程
Wave guide 波导
Wave number 波数
Wave-particle duality 波粒二相性
Wear-out 烧毁
Wire routing 布线
Work function 功函数
Worst-case device 最坏情况器件

Yield 成品率

Zener breakdown 齐纳击穿

Zone melting 区熔法

三、不同电平信号的MCU怎么通信

今天我们来讲讲，下面这个“电平转换”电路，理解后令人心情愉快。电路设计其实也可以很有趣。先说一说这个电路的用途：当两个MCU在不同的工作电压下工作（如MCU1 工作电压5V；MCU2 工作电压3.3V），那么MCU1 与MCU2之间怎样进行串口通信呢？很明显是不能将对应的TX、RX引脚直接相连的，否测可能造成较低工作电压的MCU烧毁！下面的“电平双向转换电路”就可以实现不同VDD（芯片工作电压）的MCU之间进行串口通信。

该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。他和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过比起三极管，MOS管有挺多优势，后面将会详细讲起。下图是MOS管实物3D图和电路图。简单的讲，要让他当做开关，只要让Vgs（导通电压）达到一定值，引脚D、S就会导通，Vgs没有达到这个值就截止。

那么如何将2N7002应用到上面电路中呢，又起着什么作用呢？下面我们来分析一下。

如果沿着a、b两条线，将电路切断。那么MCU1的TX引脚被上拉为5V，MCU2的RX引脚也被上拉为3.3V。2N7002的S、D引脚（对应图中的2、3引脚）截止就相当于a、b两条线，将电路切断。也就是说，此电路在2N7002截止的时候是可以做到，给两个MCU引脚输送对应的工作电压。

下面进一步分析：

数据传输方向MCU1-->MCU2。

1. MCU1 TX发送高电平（5V），MCU2 RX配置为串口接收引脚，此时2N7002的S、D引脚（对应图中的2、3引脚）截止，2N7002里面的二极管3-->2方向不通。那么MCU2 RX被VCC2上拉为3.3V。

2. MCU1 TX发送低电平（0V），此时2N7002的S、D引脚依然截止，但是2N7002里面的二极管2-->3方向通，即VCC2、R2、2N7002里的二极管、MCU1 TX组成一个回路。2N7002的2引脚被拉低，此时MCU2 RX为0V。该电路从MCU1到MCU2方向，数据传输，达到了电平转换的效果。

接下来分析

数据传输方向MCU2-->MCU1

1. MCU2 TX发送高电平（3.3V），此时Vgs（图中1、2引脚电压差）电压差约等于0，2N7002截止，2N7002里面的二极管3-->2方向不通，此时MCU1 RX引脚被VCC1上拉为5V。

2. MCU2 TX发送低电平（0V），此时Vgs（图中1、2引脚电压差）电压差约等于3.3V，2N7002导通，2N7002里面的二极管3-->2方向不通，VCC1、R1、2N7002里的二极管、MCU2 TX组成一个回路。2N7002的3引脚被拉低，此时MCU1 RX为0V。

该电路从MCU2到MCU1方向，数据传输，达到了电平转换的效果。

到此，该电路就分析完了，这是一个双向的串口电平转换电路。

MOS的优势：

1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图二所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。

2、场效应管是电压控制电流器件，由VGS控制ID，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体三极管是电流放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。

3、场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流；而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。

4、场效应管只有多数载流子参与导电；三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电，因少数载流子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好。

5、场效应管在源极未与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大，而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b 值将减小很多。

6、场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。

7、场效应管和普通晶体三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但是场效应管制造工艺简单，并且又具有普通晶体三极管不能比拟的优秀特性，在各种电路及应用中正逐步的取代普通晶体三极管，目前的大规模和超大规模集成电路中，已经广泛的采用场效应管。

8、输入阻抗高，驱动功率小：由于栅源之间是二氧化硅（SiO2）绝缘层，栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻，一般达100MΩ左右，交流输入阻抗基本上就是输入电容的容抗。由于输入阻抗高，对激励信号不会产生压降，有电压就可以驱动，所以驱动功率极小（灵敏度高）。一般的晶体三极管必需有基极电压Vb，再产生基极电流Ib，才能驱动集电极电流的产生。晶体三极管的驱动是需要功率的（Vb×Ib）。

9、开关速度快:MOSFET的开关速度和输入的容性特性的有很大关系，由于输入容性特性的存在，使开关的速度变慢，但是在作为开关运用时，可降低驱动电路内阻，加快开关速度（输入采用了后述的“灌流电路”驱动，加快了容性的充放电的时间）。MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上，普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应，使开关总有滞后现象，影响开关速度的提高（目前采用MOS管的开关电源其工作频率可以轻易的做到100K/S～150K/S,这对于普通的大功率晶体三极管来说是难以想象的）。

10、无二次击穿：由于普通的功率晶体三极管具有当温度上升就会导致集电极电流上升（正的温度～电流特性）的现象，而集电极电流的上升又会导致温度进一步的上升，温度进一步的上升，更进一步的导致集电极电流的上升这一恶性循环。而晶体三极管的耐压VCEO随管温度升高是逐步下降，这就形成了管温继续上升、耐压继续下降最终导致晶体三极管的击穿，这是一种导致电视机开关电源管和行输出管损坏率占95%的破环性的热电击穿现象，也称为二次击穿现象。MOS管具有和普通晶体三极管相反的温度～电流特性，即当管温度（或环境温度）上升时，沟道电流IDS反而下降。例如；一只IDS=10A的MOS FET开关管，当VGS控制电压不变时，在250C温度下IDS=3A，当芯片温度升高为1000C时，IDS降低到2A，这种因温度上升而导致沟道电流IDS下降的负温度电流特性，使之不会产生恶性循环而热击穿。也就是MOS管没有二次击穿现象，可见采用MOS管作为开关管，其开关管的损坏率大幅度的降低，近两年电视机开关电源采用MOS管代替过去的普通晶体三极管后，开关管损坏率大大降低也是一个极好的证明。

11、MOS管导通后其导通特性呈纯阻性：普通晶体三极管在饱和导通是，几乎是直通，有一个极低的压降，称为饱和压降，既然有一个压降，那么也就是；普通晶体三极管在饱和导通后等效是一个阻值极小的电阻，但是这个等效的电阻是一个非线性的电阻（电阻上的电压和流过的电流不能符合欧姆定律），而MOS管作为开关管应用，在饱和导通后也存在一个阻值极小的电阻，但是这个电阻等效一个线性电阻，其电阻的阻值和两端的电压降和流过的电流符合欧姆定律的关系，电流大压降就大，电流小压降就小，导通后既然等效是一个线性元件，线性元件就可以并联应用，当这样两个电阻并联在一起，就有一个自动电流平衡的作用，所以MOS管在一个管子功率不够的时候，可以多管并联应用，且不必另外增加平衡措施（非线性器件是不能直接并联应用的）。

四、阻容降压不为人知的秘密

很多人对阻容降压都比较了解，但是对阻容降压没有多少好感；

因为：

①设计参数通常和实际测试相差较远；（是因为思路不对，下面细讲）

②阻容降压因为输入输出没有隔离而比较危险。（其实绝缘和接地做好了也是非常安全的）

但是在小功率方面的优点是非常突出的：设计简单、成本低、体积小、广泛应用于小家电。

阻容降压其实可以做到很精确的计算，正是因为它的输入市电电压会发生变化（220V±10%），所以更要精确计算，使电路工作在最佳的设计参数下，保证质量可靠。

如图1为3W的LE照明灯，其电路采用阻容降压驱动。下面以该实物讲解正确的计算方法。

阻容降压利用电容在交流频率下产生的容抗限制最大电流达到降压目的。如图2为LED照明灯的阻容降压驱动电路。

如果去掉图2中的R2、R3、C1，那么该电路就是一个简单的整流电路。其中R2的作用是在外电源断开后给C1放电的，防止电击伤人；该电阻是必须的。

根据图2原理图给定的参数计算C1电容容抗（C1为CBB电容），于是计算如图3所示。

f：市电交流频率50Hz

C：824表示0.82μF

重点来了，图2原理图Udc是整流滤波后的直流电压（也是交流电的峰值电压），所以Udc必须除以根号2换算成交流的有效值才能计算；

整流桥一个半波周期经过了两个二极管，所以还要减去两个二极管的压降2Ud=1.4V；

根据设计要求，Udc的电压为200V左右才可以驱动4个LED灯珠，同时忽略电阻R3的压降，于是计算如图4所示。

经过以上两个公式，于是可以计算出流过电容的电流，如图5所示。

给LED照明灯接入市电测试，如图6所示，实测市电交流电压为220V左右。

图6：实测市电交流电压

如图7所示，把万用表串入火线（L）输入端，测得流过降压电容C1的电流为20.2mA。图7：实测电流

如图8所示，用万用表测量C2滤波电容的电压（Udc）为192V左右，设计参数为200V，两个数值非常接近。

图8：实测整流电压

总结，实测值和设计参数都非常接近，该计算方法不能把交流和直流混在一起计算，需要有效值的折算过程，其他文章都忽略了这一点，恐怕连作者自己都不会知道。

要点：

①电容降压电流输出能力<100mA；

②负载为阻性负载，负载动态变化要小；

③需要稳定的整流电压（Udc）可以加一个稳压二极管，稳压二极管的稳压值要稍低于整流电压值；

④降压电容为无极性电容，通常采用CBB电容，耐压值400V以上；

⑤阻容降压采用半波整流，输出电流是全波整流的一半。