Nor 和NAND Flash 比较

Nor 和NAND Flash区别

1、操作速度

在写数据和擦除大量数据时，由于NAND flash 支持整块操作，因此NAND比NOR快得多，两者相差近千倍；但是数据量小的时候，比如几个字节，Nor Flash比NAND flash 擦写速度快，因为对NAND flash的读写操作，虽然只是几个字节的操作，也需要重写整个数据块；

由于NOR地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据线上。读取数据时，NOR比NAND快，NOR以字或字节为单位进行读取，NAND要先向芯片发送地址信息进行寻址，才能开始读数据。

2、容量和成本对比

在面积和工艺相同的情况下，NAND FLASH容量比NOR要大得多，生产成本低，也更容易生产大容量的芯片，因此加个相对比较便宜；
NOR型FLASH每个存储单元与位线相连，增加了芯片内位线的数量，不利于存储密度的提高。

3、易用性

NAND FLASH的I/O端口采用复用的数据线和地址线，必须先通过寄存器串行地进行数据存取，各个产品或厂商对信号的定义不同，增加了应用的难度。NandFlash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，8个引脚用来传送控制、地址和数据信息，操作时序比较复杂；

NOR FLASH有专门的地址引脚来寻址，较容易与其他芯片进行连接，另外还支持本地执行，应用程序可以直接在FLASH内部运行，可以简化产品设计。

4、耐久性

一般NAND擦写次数100万次，NOR擦写10万次。但是NOR的可靠性要高于NAND，这主要是因为NOR型的接口简单，数据操作少，位交换操作少，因此可靠性高，极少出现坏区块，因而一般用在对可靠性要求高的地方。相反的，NAND型接口和操作均相对复杂，位交换操作也很多，关键性数据更是需安错误探测/错误更正〔EDC/ECC)算法来确保数据的完整性，因此出现问题的几率要大得多，坏区块也是不可避免的，而且由于坏区块是随机分布的，连纠错也无法做到。

Nor 和NAND Flash共性

NAND和NOR芯片的共性首先表现在向芯片中写数据必须先将芯片中对应的内容清空，然后再写入，也就是通常说的“先擦后写”。只不过NOR芯片只用擦写一个字，而NAND需要擦写整个块。其次，闪存擦写的次数都是有限的.当闪存的使用接近使用寿命的时候，经常会出现写操作失败；到达使用寿命时，闪存内部存放的数据虽然可以读，但是不能再进行写操作了所以为了防止上面问题的发生，不能对某个特定的区域反复进行写操作。通常NAND的可擦写次数高于NOR芯片，但是由于NAND通常是整块擦写，块内的页面中如果有一位失效整个块就会失效，而且由于擦写过程复杂，失败的概率相对较高，所以从整体上来说NOR的寿命较长。
另一个共性是闪存的读写操作不仅仅是一个物理操作，实际上在闪存上存放数据必须使用算法实现，这个模块一般在驱动程序的MTD’ (Memory Technology Drivers)模块中或者在FTLZ (Flash Translation Layer)层内实现，具体算法和芯片的生产厂商以及芯片型号有关系。

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