高低温对Nand Flash原始误码率（RBER）及Operation time的影响

研究范畴：

仅仅研究不同的温度条件对Nand Flash原始误码率的影响，不考虑其他因素；

使用为随机数为测试pattern，每个page、每次写入都自动生成不同的为随机数。

作者观点：

任何理论研究都是从“点”开始，只有点的积累才有“面”的具体应用，本人喜欢技术探讨，但痛恨没有实际研究经验、从不分享自己成果、又看谁都不如自己、喜欢挑刺的、纯理论派的 “专家”，这类人的存在只会打击他人分享成果的积极性，“专家”请自重、慎言。

本文亦不含任何广告性质、销售性质、导流性质等内容，生性多疑者请立即关闭窗口离开。

欢迎就Nand Flash高低温测试的方式、方法、观点进行讨论和留言，有价值的方法、观点会有小小礼物赠送。

Nand Flash的在高温和低温环境下是否可以正常工作，是很多研发人员和用户关心的问题，受限于昂贵的专业闪存测试设备和高低温设备，多数人并没有条件对实物进行真实的测试，希望本文对闪存研究者有所帮助。

本文对2D Nand Flash的MLC（29F16B08CCME2）和SLC（29F32G08CAND2）分别做如下温度测试：

低温：

-40°C，-45°C，-50°C，-55°C，-60°C，-65°C

高温：

+85°C,+95°C，+100°C（+125°C时USB数据线融化，测试失败）

MLC高温测试结果汇总：

MLC低温测试结果汇总：

SLC高温测试结果汇总：

SLC低温测试结果汇总：

值得关注的是SLC在低温环境下Operation时间的变化：

-55°C

-65°C

而同等温度条件下，MLC则没有明显的变化（同步模式下与异步模式下表现相同）：

-55°C

-65°C

仅就本次测试芯片而言（不代表所有Nand Flash），结论如下：

MLC低温影响比高温影响更明显；
MLC在高温和低温条件下性能不会发生明显的变化；
SLC则相反，高温影响明显高于低温影响；
但是，在低温条件下，虽然误码率不明显，SLC的性能会变慢；

高低温对Nand Flash原始误码率（RBER）及Operation time的影响相关推荐

linux驱动之nand flash
1. Nand Flash一些名词的解释 1.1 (Bad) Block Management(坏)块管理 Nand Flash由于其物理特性,只有有限的擦写次数,超过那个次数,基本上就是坏了.在使用 ...
PXA270-基于ARM9内核Processor外部NAND FLASH的控制实现
于ARM9内核Processor外部NAND FLASH的控制实现夏涛 (上海交通大学微电子学院上海 200030) 1 NAND FLASH NAND写回速度快.芯片面积小,特别是大容量使其优 ...
NOR FLASH和NAND FLASH基本结构和特点
非易失性存储元件有很多种,如EPROM.EEPROM.NOR FLASH和NAND FLASH,前两者已经基本被淘汰了,因此我仅关注后两者,本文对FLASH的基本存储单元结构.写操作.擦除操作和读操作 ...
SPI NAND flash 简介
在嵌入式系统领域,做为存储设备的NOR flash和NAND flash,大家应该不陌生.早期NOR flash的接口是并行口的形式,也就是把数据线,地址线并排设置与IC的管脚中.但是由 ...
镁光256Gb NAND Flash芯片介绍
总体概述该芯片是一款典型的大容量NAND Flash存储颗粒,支持Open NAND Flash Interface (ONFI) 2.1的接口标准,采用ONFI NANDFlash的操作协议.该芯 ...
如何判别NOR FLASH 还是 NAND FLASH?
我们工作中,会经常用到flash对数据进行存储,但到底是什么类型的flash,一般都不太知道,下面来总结一下具体判别方法: 1.从地址线和数据线是否分开来判断分开(有地址线)为 NOR FLASH ...
NAND Flash 和 NOR Flash原理和差异对比
非易失性存储元件有很多种,如EPROM.EEPROM.NOR FLASH和NAND FLASH,前两者已经基本被淘汰了,因此我仅关注后两者,本文对FLASH的基本存储单元结构.写操作.擦除操作和读操作 ...
NAND Flash SSD 是如何生产出来的？
NAND Flash是一种非易失性随机访问存储介质,基于浮栅(Floating Gate)晶体管设计,通过浮栅来锁存电荷,电荷被储存在浮栅中,它们在无电源供应的情况下仍然可以保持.关于NAND Fla ...
NAND Flash是如何生产出来的？
NAND Flash是一种非易失性随机访问存储介质,基于浮栅(Floating Gate)晶体管设计,通过浮栅来锁存电荷,电荷被储存在浮栅中,它们在无电源供应的情况下仍然可以保持.关于NAND Fla ...

高低温对Nand Flash原始误码率（RBER）及Operation time的影响

高低温对Nand Flash原始误码率（RBER）及Operation time的影响相关推荐

最新文章

热门文章