TTL 与 CMOS 电平（转）

  TTL门电路的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比，是较大的，约为数十毫瓦（mw）而后者仅约为几十纳(10-9)瓦；在输出电位发生跳变时（由低到高或由高到低）,TTL和CMOS门电路都会产生数值较大的尖峰电流，引起较大的动态功耗。速度      通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响 TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。电阻数值越大，工作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称为“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指标，其值越小，表明器件的性能越 好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）。与TTL门电路的情况不同，影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部，即负载电容CL。CL是主要影响器件工作速度的原因。由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。

转载于:https://www.cnblogs.com/GUK0/p/4482257.html

TTL 与 CMOS 电平（转）相关推荐

基础篇 -- TTL与CMOS电平
感谢阅读本文,在接下来很长的一段时间里,我将陆续分享项目实战经验.从电源.单片机.晶体管.驱动电路.显示电路.有线通讯.无线通信.传感器.原理图设计.PCB设计.软件设计.上位机等,给新手综合学习的平 ...
详解TTL和CMOS电平(转)
来源-http://www.eepw.com.cn/article/274181.htm 建议读者阅读原文,确保获得完整的信息,侵权请联系删除. TTL电路 TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻 ...
CMOS器件与TTL器件CMOS电平与TTL电平
常用的数字芯片,按制造工艺主要分为TTL器件和CMOS器件. TTL器件是指其内部主要逻辑单元为双极性晶体管,CMOS器件是指其内部的主要逻辑单元为MOS管. 现在绝大部分数字芯片使用的工艺都是CMO ...
S5PV210开发 -- TTL和CMOS电平
接着 S5PV210开发 -- UART 详解来讲,里面提到 TTL和RS232电平. RS232 电平逻辑1:-3V~-15V 逻辑0:+3V~+15V TTL 电平逻辑1:+2V~+5V 逻 ...
CMOS器件与TTL器件 CMOS电平与TTL电平
常用的数字芯片,按制造工艺主要分为TTL器件和CMOS器件. TTL器件是指其内部主要逻辑单元为双极性晶体管,CMOS器件是指其内部的主要逻辑单元为MOS管. 现在绝大部分数字芯片使用的工艺都是CMO ...
TTL和CMOS电平
1,TTL电平: 输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V.在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V.最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平&l ...
TTL和CMOS电平比较
TTL & CMOS电平比较 – TTL(电流控制型) CMOS(电压控制型) 输出 L:<0.8V , H:>2.4V L: <0.1* Vcc, H:>0.9*Vc ...
「基础篇」TTL与CMOS电平的区别(电平转换)-学习笔记
一.TTL电平与CMOS电平的定义常用的逻辑电平逻辑电平:有TTL.CMOS.LVTTL.ECL.PECL.GTL:RS232.RS422.LVDS等. 其中TTL和CMOS的逻辑电平按典型电压可 ...
TTL和CMOS电平总结（转载）
1,TTL电平(什么是TTL电平): TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定,+5V等价于逻辑"1",0V等价于逻辑"0",这被称做TTL( ...

TTL 与 CMOS 电平（转）

TTL 与 CMOS 电平（转）相关推荐

最新文章

热门文章