TP5012KTS1是50A，1200V高可靠性IGBT模块，采用高速沟槽栅/场终止IGBT和发射极控制二极管。

主要特征

低VCE(sat)

低开关损耗

内置快恢复二极管

Tvj op=150°C

VCE(sat)带正温度系数

极限参数

(除非另有说明 , 否则TA = 25ºC )

IGBT,逆变器

符号	参数	参数范围	单位
VCES	集电极—发射极电压	1200	V
VGES	栅极-发射极电压	±20	V
IC	连续集电极电流 (TC=95℃ ),Tvj max=175°C	50	A
ICpulse	集电极脉冲电流 (tp=1ms)	100	A
Ptot	耗散功率 (TC=25℃ ) ,Tvj max=175°C	280	W

FRD,逆变器

符号	参数	参数范围	单位
VRRM	反向重复峰值电压	1200	V
IF	连续正向直流电流	50	A
IFRM	正向重复峰值电流 tp=1ms	100	A

二极管 ,整流器

符号	参数	参数范围	单位
VRRM	反向重复峰值电压	1600	V
IRMSM	最大正向均方根电流(每个芯片) Tc=80°C	70	A
IRMSM	最大正向均方根电流(每个芯片) Tc=80°C	80	A

参数	VCE	VCE(sat)	VF	Tj,Max	Eon	Eoff
值	1200V	1.9V	1.7V	175°C	3.5mJ	2.8mJ

典型应用

逆变器

电机传动

伺服驱动器

封装外形图

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