【dsPIC33E】内部Flash读写

基于某些安全考虑或者降成本，我们不希望使用外部存储器件，但有时我们由需要记录一下参数，确保断电不丢失，这时，富余的内部代码存储Flash就派上用场了。

不同于外部存储器，几乎所有的内部Flash读写都十分麻烦，甚至需要使用到汇编。

下面我们将讲述dsPIC33E如何读写内部Flash，此处以dsPIC33EP256GP506为例。

示例代码下载：https://download.csdn.net/download/u010875635/10821230

在操作Flash之前，我们有必要下了解一下Flash的结构，注意以下几点：

1、dsPIC33E/PIC24E闪存程序存储器被分段为页和行，每页1024个指令字，每行128个指令字，部分器件不支持行

2、dsPIC33E/PIC24E闪存程序存储器支持128/2个保持寄存器以一次对存储器的一行/双指令字进行编程

3、dsPIC33E/PIC24E每个指令字为24位，占2个16为，最高8位为虚字节

4、 dsPIC33E/PIC24E每个指令字占2个地址，例如0x000000和0x000001都是表示第一个指令字

5、对于大多数应用，24位中的高8位不用于存储数据，建议便成为NOP指令或者非法操作码值

6、地址总是偶数呈现，读取奇数地址获取到的与前一个偶数时一致的，所以读取奇数地址没有意义

dsPIC33E/PIC24E操作Flash相关的几个寄存器。

1、TBLPAG：表地址页位，8位表地址页位与W寄存器组组合形成23位有效程序存储器地址加上一个字节选择位

2、每个地址数据由2个字合并而成，由以下四个寄存器操作

TBLRDL：表读低位字

TBLWTL：表写低位字

TBLRDH：表读高位字

TBLWTH：表写高位字

程序存储器分为很多个表页，表页地址为TBLPAG，占据地址高8位（共24位），表页不同于Flash的擦除页。表页内部地址为16位的有效地址，占据低16位，所以一个表页大小为0x010000

表操作地址生成，有TBLPAG和来自Wn的16位组合成24位的有效地址，7-->0 15------>0

读相关操作较为简单，只需要写入TBLPAB和TBLRDL或TBLRDH然后读取即可

写相关操作较为复杂，允许一次擦除1页(8行)，运行一次编程1行，或者编程2个指令字字。

注意擦除和编程都是边沿对齐的，从存储器起始开始，分别以1024指令字和128或2指令字作为边界，即，擦除的地址单位长度为0x400，例如擦除0-0x0003ff，0x000400-0x0007ff；编程的地址单位长度为0x80或者0x04，例如，编程0-0x00007f，0x000080-0x0000ff或者0x000080-0x000083

在程序存储器的最后一页上执行页擦除操作会清零闪存配置字，从而使能代码保护。因此，用户应避免在程序存储器的最后一页上执行页擦除操作。

要执行编程操作，必须先将其对应的整页(1024个指令字)全部擦除，然后重新编程，所以一般操作流程如下：
1、读取闪存程序存储器的一页，并将其作为数据镜像存储到RAM中，RAM镜像必须从1024字程序存储器的偶地址边界读取
2、用新的数据更新RAM中的数据镜像
3、擦除闪存存储器页
a)设置NVMCON寄存器以擦除一页
b)禁止中断
c)将要擦除页的地址写入NVMADRU和NVMADR寄存器（可以是该页任意地址）
d)将秘钥序列吸入NVMKEY寄存器，以使能擦除
e)将NVMCON<15>的WR位置1，启动擦除周期
f)擦除周期结束时WR位清零
g)允许中断
4、用表写操作将128或者2个指令字的一行或双指令字从RAM装入写锁存器
5、对一行或者2个指令字进行编程
a)设置NVMCON以编程一行
b)禁止中断
c)将要编程行或第一个字的地址写入NVMADRU和NVMADR寄存器
d)将秘钥序列吸入NVMKEY寄存器，以使能编程周期
e)将NVMCON<15>的WR位置1，启动编程周期
f)编程周期结束时WR位清零
g)允许中断
6、重复4-6步骤，对多个数据进行编程，直到一页编程完成
7、根据需要，重复1-6，对多页进行编程

关联寄存器如下：
NVMCON：主控制寄存器，选择执行擦出还是编程操作
NVMKEY：只写寄存器，防止闪存被误写或者误擦除，编程或擦除前必须执行解锁序列，解锁期间禁止中断，①将0x55写入NVMKEY；②将0xAA写入NVMKEY；③执行2条NOP指令④一个周期中写入NVMCON寄存器

写锁存器长度与器件有关，要参考对应器件的Datasheet。

dsPIC33E通用flash存储结构如下：

dsPIC33EP256GP506存储结构如下：

所有可用的flash操作。

dsPIC33EP256GP506可用操作。

汇编级读写Flash底层代码，dsPICflash.s

.include "xc.inc";C Called Function
.global _MemRead
.global _MemReadHigh
.global _MemReadLow
.global _MemEraseOnePage
.global _MemWriteDoubleInstructionWords.section .text;************************
; Function _MemRead:
; W0 = TBLPAG value
; W1 = Table Offset
; Return: Data in W1:W0
;************************
_MemRead:MOV W0, TBLPAGNOPTBLRDL [W1], W0TBLRDH [W1], W1RETURN;************************
; Function _MemRead:
; W0 = TBLPAG value
; W1 = Table Offset
; Return: Data in W0
;************************
_MemReadHigh:MOV W0, TBLPAGNOPTBLRDH [W1], W0RETURN;************************
; Function _MemRead:
; W0 = TBLPAG value
; W1 = Table Offset
; Return: Data in W0
;************************
_MemReadLow:MOV W0, TBLPAGNOPTBLRDL [W1], W0RETURN;************************
; Function _MemErasePage:
; W0 = TBLPAG value
; W1 = Table Offset
;************************
_MemEraseOnePage:MOV W0,NVMADRUMOV W1,NVMADR;TBLWTL w2,[w1]; Setup NVMCON to erase one page of Program MemoryMOV #0x4003,W0MOV W0,NVMCON; Disable interrupts while the KEY sequence is writtenPUSH SR;MOV #0x00E0,W0;IOR SR; Write the KEY SequenceMOV #0x55,W0MOV W0,NVMKEYMOV #0xAA,W0MOV W0,NVMKEY; Start the erase operationBSET NVMCON,#15; Insert two NOPs after the erase cycle (required)NOPNOP;Re-enable interrupts, if neededPOP SRRETURN; ************************
; Error , no use
; Function _MemWriteDoubleInstructionWords:
; All PIC device support Double Instructions program
; Write four 16-bit data to Double Instructions to Flash
; W0 = TBLPAG value
; W1 = Table Offset
; W2 = data
;************************
_MemWriteDoubleInstructionWords_Error:; Load the destination address to be writtenMOV W0,NVMADRUMOV W1,NVMADR; Load the two words into the latches; W2 points to the address of the data to write to the latches ; Set up a pointer to the first latch location to be written MOV #0xFA,W0MOV W0,TBLPAGMOV #0,W1; Perform the TBLWT instructions to write the latchesTBLWTL [W2++],[W1]TBLWTH [W2++],[W1++]TBLWTL [W2++],[W1]TBLWTH [W2++],[W1++]; Setup NVMCON for word programmingMOV #0x4001,W0MOV W0,NVMCON; Disable interrupts < priority 7 for next 5 instructions; Assumes no level 7 peripheral interrupts;DISI #06PUSH SR; Write the key sequenceMOV #0x55,W0MOV W0,NVMKEYMOV #0xAA,W0MOV W0,NVMKEY; Start the write cycleBSET NVMCON,#15NOPNOPPOP SRNOPNOPRETURN;************************
; Function _MemWriteDoubleInstructionWords:
; All PIC device support Double Instructions program
; Write four 16-bit data to Double Instructions to Flash
; W0 = TBLPAG value
; W1 = Table Offset
; W2 = data
;************************
_MemWriteDoubleInstructionWords:; Define the address from where the programming has to start;.equ PROG_ADDR, 0x01800;; Load the destination address to be written;MOV #tblpage(PROG_ADDR),W9;MOV #tbloffset(PROG_ADDR),W8MOV W0,NVMADRUMOV W1,NVMADR;MOV W9,NVMADRU;MOV W8,NVMADR;; Load the two words into the latches; W2 points to the address of the data to write to the latches; Set up a pointer to the first latch location to be writtenMOV #0xFA,W0MOV W0,TBLPAGMOV #0,W1; Perform the TBLWT instructions to write the latchesTBLWTL [W2++],[W1]TBLWTH [W2++],[W1++]TBLWTL [W2++],[W1]TBLWTH [W2++],[W1++]; Setup NVMCON for word programmingMOV #0x4001,W0MOV W0,NVMCON; Disable interrupts < priority 7 for next 5 instructions; Assumes no level 7 peripheral interruptsDISI #06; Write the key sequenceMOV #0x55,W0MOV W0,NVMKEYMOV #0xAA,W0MOV W0,NVMKEY; Start the write cycleBSET NVMCON,#15NOPNOPreturn

C语言封装一层为InnerFlash：

InnerFlash.h

#ifndef _MCU_DRIVERS_INNERFLASH_H_
#define _MCU_DRIVERS_INNERFLASH_H_//一个指令占2个16位，其中高16位的高8位为虚字节
typedef union OneInstruction {uint32_t UINT32;struct {uint16_t LowWord;  //低16位uint16_t HighWord; //高16位} HighLowUINT16s;
} OneInstruction_t;//一个地址占2个16位，其中高16位为Flash大页面
typedef union FlashAddr {uint32_t Uint32Addr;struct {uint16_t LowAddr;  //低16位uint16_t HighAddr; //高16位} Uint16Addr;
} FlashAddr_t;//读取一个指令字
OneInstruction_t InnerFlash_ReadOneInstruction(FlashAddr_t flashAddr);//读取低16位
unsigned int InnerFlash_ReadInstructionLow(FlashAddr_t flashAddr);//读取高16位，仅低8位有效，高8位始终为0
unsigned int InnerFlash_ReadInstructionHigh(FlashAddr_t flashAddr);//擦除0x000800倍数起始的1024个字(2048个地址，一页)
unsigned int InnerFlash_EraseFlashPage(FlashAddr_t flashAddr);//需要先擦除，再写入
//写入Flash，2个指令字为一组,若为奇数，最后一个填充为0xFFFFFF
//每个指令字的低16位存储一个数据，即2个地址存储1个16位数据
//例如 data[2]={0xaa05,0xaa06};，存入0x004000，即0x004000存入0x00aa05,0x004002存入0x00aa06
void InnerFlash_WriteInstructionsToFlash(volatile FlashAddr_t source_addr,volatile OneInstruction_t *data,volatile uint16_t dataLength);#endif

InnerFlash.c


#include <xc.h>
#include <stdarg.h>
#include <stdlib.h>
#include <string.h>#include "InnerFlash.h"extern unsigned int MemReadHigh (unsigned int TablePage, unsigned int TableOffset);
extern unsigned int MemReadLow (unsigned int TablePage, unsigned int TableOffset);
extern unsigned int MemEraseOnePage (unsigned int TablePage, unsigned int TableOffset);//写入2个指令字，即4个16bits，注意奇数位为高，仅8bits
//data[0]为第一个指令字的低16位，data[1]的低8位为第一个指令字的高8位，一个指令字宽度为32，最高8位为虚拟字节，所以实际宽度为24
extern void MemWriteDoubleInstructionWords(volatile unsigned int TablePage,volatile unsigned int TableOffset, volatile OneInstruction_t *temp);//每个指令字占2个地址，例如0x000000和0x000001都是表示第一个指令字
//flash分为多个表页，每一表页有0x10000/2个指令字，例如地址0x004000，为第0x00页，页内地址为:0x4000
//每个偶数地址包含2个16位数据，但实际上只有24位，高8位数据是虚拟的，此函数读取低八位
//可通过Mplab的PIC存储器视图->程序，查看hex文件对应地址的数据，然后使用下面方法读取测试比对
//读取一个指令字
OneInstruction_t InnerFlash_ReadOneInstruction(FlashAddr_t flashAddr)
{unsigned int Data1;OneInstruction_t Data;//方法一//TBLPAG = TablePage;//Data1 = __builtin_tblrdl(TableOffset);//方法二Data1 = MemReadLow (flashAddr.Uint16Addr.HighAddr, flashAddr.Uint16Addr.LowAddr);Data.HighLowUINT16s.LowWord = Data1;Data1 = MemReadHigh (flashAddr.Uint16Addr.HighAddr, flashAddr.Uint16Addr.LowAddr);Data.HighLowUINT16s.HighWord = Data1;return Data;
}//每个指令字占2个地址，例如0x000000和0x000001都是表示第一个指令字
//flash分为多个表页，每一表页有0x10000/2个指令字，例如地址0x004000，为第0x00页，页内地址为:0x4000
//每个偶数地址包含2个16位数据，但实际上只有24位，高8位数据是虚拟的，此函数读取低八位
//可通过Mplab的PIC存储器视图->程序，查看hex文件对应地址的数据，然后使用下面方法读取测试比对
unsigned int InnerFlash_ReadInstructionLow(FlashAddr_t flashAddr)
{unsigned int Data1;//方法一//TBLPAG = TablePage;//Data1 = __builtin_tblrdl(TableOffset);//方法二Data1 = MemReadLow (flashAddr.Uint16Addr.HighAddr, flashAddr.Uint16Addr.LowAddr);return Data1;
}//每个指令字占2个地址，例如0x000000和0x000001都是表示第一个指令字
//flash分为多个表页，每一表页有0x10000/2个指令字，例如地址0x004000，为第0x00页，页内地址为:0x4000
//每个偶数地址包含2个16位数据，但实际上只有24位，高8位数据是虚拟的，此函数读取高八位
//可通过Mplab的PIC存储器视图->程序，查看hex文件对应地址的数据，然后使用下面方法读取测试比对
unsigned int InnerFlash_ReadInstructionHigh(FlashAddr_t flashAddr)
{unsigned int Data1;//方法一//TBLPAG = TablePage;//Data1 = __builtin_tblrdh(TableOffset);//方法二Data1 = MemReadHigh (flashAddr.Uint16Addr.HighAddr, flashAddr.Uint16Addr.LowAddr);return Data1;
}//每个指令字占2个地址，例如0x000000和0x000001都是表示第一个指令字
//flash分为多个表页，每一表页有0x10000/2个指令字，例如地址0x004000，为第0x00页，页内地址为:0x4000
//每个偶数地址包含2个16位数据，但实际上只有24位，高8位数据是虚拟的，此函数读取高八位
//可通过Mplab的PIC存储器视图->程序，查看hex文件对应地址的数据，然后使用下面方法读取测试比对
//擦除必须一次性擦除1024(实际地址偏移会*2，0x400*2，因为一组奇数和偶数表示一个指令字)个指令字，从0开始，边沿对齐，输入任意地址，会擦除包含这个地址在内的一页
//配置字在最后一页，不允许擦除最后一页，否则会导致代码保护，全部置0
//并非所有器件都支持配置字编程，若是支持，一般配置字不需要擦除，可直接编程，但是要求时钟为FRC，不能带PLL，具体是否可编程配置字，查看NVMOP<3:0>
unsigned int InnerFlash_EraseFlashPage(FlashAddr_t flashAddr)
{MemEraseOnePage (flashAddr.Uint16Addr.HighAddr, flashAddr.Uint16Addr.LowAddr);return 1;
}//需要先擦除，再写入
//写入Flash，2个指令字为一组,若为奇数，最后一个填充为0xFFFFFF
//每个指令字的低16位存储一个数据，即2个地址存储1个16位数据
//例如 data[2]={0xaa05,0xaa06};，存入0x004000，即0x004000存入0x00aa05,0x004002存入0x00aa06
void InnerFlash_WriteInstructionsToFlash(volatile FlashAddr_t flashAddr,volatile OneInstruction_t *data,volatile uint16_t dataLength)
{volatile OneInstruction_t dataTmp[2];volatile uint16_t i;for(i=0;i<dataLength/2*2;i+=2){//数组偶数位为指令字高16位(高8位为虚拟字节，仅低8位有效)，奇数位为指令字低16位//每个指令字存入一个实际16位数据，高8位为0dataTmp[0]= data[i];dataTmp[1] = data[i+1];//每次写入2个指令字，偏移4个地址，每2个地址表示一个指令字MemWriteDoubleInstructionWords(flashAddr.Uint16Addr.HighAddr, flashAddr.Uint16Addr.LowAddr+i*2, dataTmp);}if(dataLength%2==1){dataTmp[0]= data[i];dataTmp[1].UINT32 = 0xFFFFFF;//每次写入2个指令字，偏移4个地址，每2个地址表示一个指令字MemWriteDoubleInstructionWords(flashAddr.Uint16Addr.HighAddr, flashAddr.Uint16Addr.LowAddr+i*2, dataTmp);}}

再封装一层，设置特殊地址为参数存储地址，存储起始地址为0x02A000。

DataRecord.h

#ifndef _MCU_DRIVERS_DATARECORD_H_
#define _MCU_DRIVERS_DATARECORD_H_#include "InnerFlash.h"//index要小于4074,目前开辟的最大的用于存储数量的空间索引为4073
//读取flash内容
uint16_t DataRecord_ReadData(uint16_t index);void DataRecord_ErasePage();//index要小于4074,目前开辟的最大的用于存储数量的空间索引为4073
//往flash写入内容
uint16_t DataRecord_WriteData(uint16_t index, volatile OneInstruction_t data);uint16_t DataRecord_WriteDataArray(uint16_t index, volatile OneInstruction_t *data, uint16_t length);//擦除一大页flash
void EraseLargePage(uint16_t pageIndex);//填充一大页flash
void FillLagrePage(uint16_t pageIndex);#endif

DataRecord.c

/****************************************************** 本文件函数用于记录标定参数，断电不丢失*****************************************************/#include <xc.h>
#include "DataRecord.h"
//dsPIC33EP256GP50X, dsPIC33EP256MC20X/50X, PIC24EP256GP/MC20X这类256K的器件
//用户编程flash存储有88K个指令字空间，地址范围为:0x000200-0x02AFEA
//写锁存器占2个指令字，地址为：0xFA0000和0xFA0002
//USERID起始为0x800FF8，结束0x800FFE
//DEVID起始0xFF0000，结束0xFF0002//定义存储数据所在空间的起始地址,0x02A000，结束地址为0x2AFE8，可存储数据量为:(0x2AFE8-0x2A000+2)/2=4074
#define DATA_RECORD_START_PAGE 0x0002
#define DATA_RECORD_START_ADDR 0xA000//index要小于4074,目前开辟的最大的用于存储数量的空间索引为4073
//读取flash内容
uint16_t DataRecord_ReadData(uint16_t index)
{FlashAddr_t flashAddr;flashAddr.Uint16Addr.HighAddr = DATA_RECORD_START_PAGE;flashAddr.Uint16Addr.LowAddr = DATA_RECORD_START_ADDR+index*2;return InnerFlash_ReadInstructionLow(flashAddr);
}void DataRecord_ErasePage()
{FlashAddr_t flashAddr;flashAddr.Uint16Addr.HighAddr = DATA_RECORD_START_PAGE;flashAddr.Uint16Addr.LowAddr = DATA_RECORD_START_ADDR;InnerFlash_EraseFlashPage(flashAddr);
}//可写范围为0x2A000-0x2AF7E，总共一页，长度为0x800，每2个地址一个指令字，总共1024个指令字
//往flash写入内容
uint16_t DataRecord_WriteData(uint16_t index, volatile OneInstruction_t data)
{if(index>1023)  //超过一页return 0xa5a5;FlashAddr_t flashAddr;flashAddr.Uint16Addr.HighAddr = DATA_RECORD_START_PAGE;flashAddr.Uint16Addr.LowAddr = DATA_RECORD_START_ADDR+index*2;//读取对应地址数据，若数据与要写入的一致，则不再写入OneInstruction_t dataTmp = InnerFlash_ReadOneInstruction(flashAddr);if(dataTmp.UINT32==data.UINT32) //写入与实际的一样，不用写入return 0xffff;//先读取一页，再擦除，修改读取数据，写入一页OneInstruction_t pageData[1024];uint16_t i;//先将对应页的数据全部读出来，0x800个地址，0x400个字for(i=0;i<1024;i++){flashAddr.Uint16Addr.LowAddr = DATA_RECORD_START_ADDR+i*2;pageData[i] = InnerFlash_ReadOneInstruction(flashAddr);}//擦除整页flashAddr.Uint16Addr.LowAddr = DATA_RECORD_START_ADDR;InnerFlash_EraseFlashPage(flashAddr);//修改数据，每1024个数据pageData索引要从0重新开始pageData[index] = data;//将修改后的数据写回该页InnerFlash_WriteInstructionsToFlash(flashAddr,pageData,1024);return 0;
}//不允许数组超过一页
uint16_t DataRecord_WriteDataArray(uint16_t index, volatile OneInstruction_t *data, uint16_t length)
{//超过一页if((index+length)>1023)return 0xa5a5;FlashAddr_t flashAddr;uint16_t i,cmpNZ=0;OneInstruction_t pageData[1024];//取对应页的首地址flashAddr.Uint16Addr.HighAddr = DATA_RECORD_START_PAGE;flashAddr.Uint16Addr.LowAddr = DATA_RECORD_START_ADDR+index*2;//比对数组for(i=index;i<length;i++){//读取对应地址数据，若数据与要写入的一致，则不再写入flashAddr.Uint16Addr.LowAddr = DATA_RECORD_START_ADDR+i*2;pageData[i] = InnerFlash_ReadOneInstruction(flashAddr);if(pageData[i].UINT32!=data[i-index].UINT32) //只要有一个数据不同，则需要重新写入{cmpNZ = 1;break;}}if(cmpNZ==0) //数据完全一致，不写入return 0xffff;//先读取一页，再擦除，修改读取数据，写入一页for(i=0;i<1024;i++){//读取对应地址数据，若数据与要写入的一致，则不再写入flashAddr.Uint16Addr.LowAddr = DATA_RECORD_START_ADDR+i*2;pageData[i] = InnerFlash_ReadOneInstruction(flashAddr);}flashAddr.Uint16Addr.LowAddr = DATA_RECORD_START_ADDR;//擦除整页InnerFlash_EraseFlashPage(flashAddr);for(i=index;i<length;i++){//修改数据，每1024个数据pageData索引要从0重新开始pageData[index-(index/1024)*1024+i].UINT32 = data[i].UINT32;}//将修改后的数据写回该页InnerFlash_WriteInstructionsToFlash(flashAddr,pageData,1024);return 0;
}//擦除一大页flash
void EraseLargePage(uint16_t pageIndex)
{uint16_t offset;FlashAddr_t flashAddr;flashAddr.Uint16Addr.HighAddr = pageIndex;switch(pageIndex){case 0://第零大页for(offset=0x8000;offset<=0xF800;offset+=0x800){flashAddr.Uint16Addr.LowAddr = offset;InnerFlash_EraseFlashPage(flashAddr);if(offset>=0xF800)break;}break;case 1://第一大页for(offset=0;offset<=0xF800;offset+=0x800){flashAddr.Uint16Addr.LowAddr = offset;InnerFlash_EraseFlashPage(flashAddr);if(offset>=0xF800)break;}break;case 2://第二大页for(offset=0;offset<0xA800;offset+=0x800){flashAddr.Uint16Addr.LowAddr = offset;InnerFlash_EraseFlashPage(flashAddr);}break;default:break;}
}//填充一大页flash
void FillLagrePage(uint16_t pageIndex)
{volatile uint16_t offset=0;volatile FlashAddr_t source_addr;volatile OneInstruction_t data[2];switch(pageIndex){case 0:for(offset=0x8000;offset<=0xFFFC;offset+=4){source_addr.Uint16Addr.HighAddr = 0;source_addr.Uint16Addr.LowAddr = offset;data[0].HighLowUINT16s.HighWord = 0xF0;data[0].HighLowUINT16s.LowWord = offset;data[1].HighLowUINT16s.HighWord = 0xF0;data[1].HighLowUINT16s.LowWord = offset+2;InnerFlash_WriteInstructionsToFlash(source_addr,data,2);//由于最大值为0xFFFF，超过会从0开始，0xFFFC+4=0x0000;if(offset>=0xFFFC)break; //跳出循环}break;case 1:for(offset=0;offset<=0xFFFC;offset+=4){source_addr.Uint16Addr.HighAddr = 1;source_addr.Uint16Addr.LowAddr = offset;data[0].HighLowUINT16s.HighWord = 0xF1;data[0].HighLowUINT16s.LowWord = offset;data[1].HighLowUINT16s.HighWord = 0xF1;data[1].HighLowUINT16s.LowWord = offset+2;InnerFlash_WriteInstructionsToFlash(source_addr,data,2);//由于最大值为0xFFFF，超过会从0开始，0xFFFC+4=0x0000;if(offset>=0xFFFC)break; //跳出循环}break;case 2://InnerFlash_EraseFlashPage(2,0xA800);for(offset=0;offset<0xA800;offset+=4){source_addr.Uint16Addr.HighAddr = 2;source_addr.Uint16Addr.LowAddr = offset;data[0].HighLowUINT16s.HighWord = 0xF2;data[0].HighLowUINT16s.LowWord = offset;data[1].HighLowUINT16s.HighWord = 0xF2;data[1].HighLowUINT16s.LowWord = offset+2;InnerFlash_WriteInstructionsToFlash(source_addr,data,2);}break;default:break;}
}

使用范例，main.c

#include "McuDrivers/uart/uart.h"
#include "McuDrivers/system/system.h"
#include "McuDrivers/flash/DataRecord.h"
#include "McuDrivers/gpio/gpio.h"
#include "McuDrivers/timer/timer.h"uint16_t count = 0x0;int main(void)
{    /******** Initial ********/System_Initialize_g();Timer1_Initial_g();GPIO_Initial_g();Timer1_Start_g(10);//DataEEInit();Uart_Initial_g(115200);//InnerEEPromDataInit();System_Delay_MS_g(100);Uart_Printf_g("start!\n");//DataRecord_ErasePage(2,0xA000);//连续跨TBLPAG编程会出现后面的TBLPAG全部清零EraseLargePage(0);EraseLargePage(1);EraseLargePage(2);//    FillLagrePage(0);
//    FillLagrePage(1);
//    FillLagrePage(2);OneInstruction_t data[29];uint16_t i;for(i=0;i<29;i++)data[i].UINT32 = 0xF20000+i;DataRecord_WriteDataArray(0,data,29);GPIO_LED_D3_Toggle_g();while(1){System_Delay_MS_g(1000);//Uart_Printf_g("addr:%06X,read:%04X%04X\r\n",count,InnerFlash_ReadFlashHigh(0x00,count),ReadFlashLow(0x00,count));//Uart_Printf_g("realaddr:%X, data:%X\r\n",0xa000+count*2,DataRecord_ReadData(count));}return 0;
}uint16_t timerCount = 0;
void  Timer1CallBack()
{timerCount++;if(timerCount>50){timerCount=0;GPIO_LED_D4_Toggle_g();}
}uint16_t interruptCount=0;
void Int1Function(void)
{EraseLargePage(interruptCount);count = 0;interruptCount++;GPIO_LED_D3_Toggle_g();
}

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读写STM32内部flash读写代码
读写STM32内部flash读写代码由于老师的要求,所以写了一份读写STM32内部FLASH的代码,这样的话就可以把STM32里面没有用来保存代码段的部分用来存储数据了. 由于<stm32fl ...
STM32CUBEIDE（16）----内部Flash读写
STM32CUBEIDE(16)----内部Flash读写概述视频教学 csdn课程硬件准备配置时钟树串口重定向 FLASH定义低密度中密度高密度变量定义演示效果最后概述本例 ...
STM32 内部Flash读写程序源码 [已验证]
目录 STM32 内部Flash带缓存读写程序源码 0 Macro 1.Flash_Erase 2. Flash_Read_Byte 3.Flash_Write_NoBuffer 4.Flash_W ...
GD32F303固件库开发（17）----内部Flash读写
概述本例程主要讲解如何对芯片自带Flash进行读写,用芯片内部Flash可以对一些需要断电保存的数据进行保存,无需加外部得存储芯片,本例程采用的是GD32F303ZET6主控,512K大小的Flas ...
stm32内部Flash读写
文章目录 1.stm32内部flash介绍 2.读写驱动编写 3.源码上篇文章讲到了STM32来驱动外部flah的操作,flash真是好东西啊,内存大,能存的东西多,这样我们就可以用它来做一些大点的 ...
c语言将结构体放在flash,stm32的内部flash读写操作(含结构体的保存)
不同的stm32单片机的flash大小不同,这个需要查阅芯片手册或者查看STM32CubeMX软件. stm32的flash地址起始于0x0800 0000,结束地址是0x0800 0000加上芯片实 ...
STM32F103ZE 内部flash 读写
首先要了解自己的开发板内部flash容量以及地址这里103ZE系列的内部flash是512K 属于大容量内存产品这里贴一张内存对应地址映射的图可以看到这里有几个比较重要的寄存器,我们稍后会讲到 ...
STM32的内部Flash读写
内部Flash官方手册介绍 STM官方关于stm32F103系列的芯片有一个专门介绍flash读写的手册.STM32F100xx超值型产品闪存编程手册通过J-Link查看自己的芯片内部的flash大 ...

【dsPIC33E】内部Flash读写

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