DDR3测试1-差分信号和单端信号的电压阈值

DDR3和DDR3L的VDD、VDDQ 电压不同
DDR3 VDD标准电压1.5V 电压动态范围 1.425-1.575V
DDR3 VDDQ标砖电压1.5V 电压动态范围 1.425V-1.575V

VDDQ是用来给DDR的output供电的
在任何情况下都不允许VDDQ的电压高于VDD
通常情况下都是使用VDD的电源轨道一起给VDDQ供电的

单端信号的输入测试标准

CMD/ADDR

CMD

ADDR

对于单端信号的输出，主要是命令线和地址线
针对不同的总线速度需要按照不同的阈值来测定。具体的值请参照表格。

DQ/DM

DQ

DM

Vref

Vref(DC)

建立保持时间和AC/DC的电压阈值都是以Vref为标准测得的
Vref(DC)需要在1/2*VDD附近，实际上大多数情况下vref都是使用两颗1%精度的电阻匹配得到的。在规范中的要求是Vref不能偏出1%Vdd电压

差分输入信号测试标准

DQS/DQS#

CK/CK#

差分信号的差分电压要求

定义

tDVAC

time above ac-level–> tDVAC
当输入差分信号的速度越高的时候，可以认为能够使得数字前端的逻辑发生翻转所需求的电荷量增加，因此需要电压能够在高电平阈值以上保持足够长的时间。

测试要求

差分信号的单端电压要求

定义

测试要求

差分信号的交叉点要求

使用单端探头分别测量差分对，取波形实际的交点和1/2*VDD的电压差。
实际要求这个电压差要小于特定值，来满足时序要求。

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DDR3测试1-差分信号和单端信号的电压阈值

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DDR3测试1-差分信号和单端信号的电压阈值

单端信号的输入测试标准

CMD/ADDR

DQ/DM

Vref

差分输入信号测试标准

差分信号的差分电压要求

差分信号的单端电压要求

差分信号的交叉点要求

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