stm32 SSI读编码器

void Init_PIC(void)
{
   AS5311_CLK_H;
   AS5311_CSN_DIS;
   delay_ms(2);
   AS5311_CSN_EN;   //CLK为高电平时，CSN来个下降沿可以使能磁栅尺AB脉冲
   delay_ms(100);
}

uint32_t read_AS5311chip(void)
{
uint32_t raw_value;// = 0;
uint16_t inputstream;// = 0;
uint16_t c;
inputstream = 0;
   raw_value = 0;
AS5311_CLK_H;//digitalWrite(_clock, HIGH);
AS5311_CSN_H;//digitalWrite(_cs, HIGH);
   delay_Systick_200ns(DELAYNUM);//delay_us(2);//
// AS5311_CLK_H;//digitalWrite(_clock, HIGH);
//   delay_us(DELAYNUM);
AS5311_CSN_L;//digitalWrite(_cs, LOW);下降沿
   delay_Systick_200ns(1);//delay_us(1);//
AS5311_CLK_L;//digitalWrite(_clock, LOW);
   delay_Systick_200ns(DELAYNUM);//delay_us(2);
for (c = 0; c < 18; c++)
{
    AS5311_CLK_H;//digitalWrite(_clock, HIGH);
       delay_Systick_200ns(DELAYNUM);//delay_us(2);//
    inputstream = GPIO_ReadInputDataBit(GPIO_AS5311_DO,PIN_AS5311_DO);//digitalRead(_data);
    raw_value = ((raw_value << 1) + inputstream);
    AS5311_CLK_L;//digitalWrite(_clock, LOW);
       delay_Systick_200ns(DELAYNUM);//delay_us(2);//
}
   AS5311_CLK_H;
//   delay_us(10);
   return raw_value;
}

void AS5311_AnalyzeSSICode(void)   //获取0-4096
{
   uint8_t cnt;
   uint8_t cnt_1;
   AS5311Dt.SSICode = read_AS5311chip();
//   AS5311Dt.detail.Errcode = AS5311Dt.SSICode & 0x0000003F;
//   AS5311Dt.detail.AbsCode = AS5311Dt.SSICode >> 6;
//检验数据是否有效 OCF COF LIN MagINC MagDEC Parity
//                 1   0   0    不能同时为1 奇偶校验
//OCF 0 补偿算法未完成，bit11-0可能无效
//COF   1 溢出，bit11-0无效
//LIN   1 线性度不好，bit11-0无效，若出现需增强磁栅尺的强度
//MagINC MagDEC 磁场强度   ，1 1表示磁场强度若
//Parity 偶校验
   if(3 == AS5311Dt.Class.Mag)
   {   //磁栅尺信号弱
       GbDt.Gb.SysAlm = AS5311WEAKERR;
   }
   else
   {
       if(4 != AS5311Dt.Class.Err)
       {
           GbDt.Gb.SysAlm = AS5311READYERR;
       }
       else
       {
           cnt = 18;
           cnt_1 = 0;
           Seg32data.all = 0x0000A8A1;//AS5311Dt.SSICode;
           do
           {
               if(Seg32data.bits.bit0 == 1)
               {
                   cnt_1++;
               }
               Seg32data.all = Seg32data.all >> 1;
           }while(cnt--);
           cnt_1 = cnt_1 % 2;
           if(!cnt_1)
           {
               checkCounter();
               switch(GbDt.Gb.SysAlm)
               {
                   case AS5311READYERR:       //准备错误
                   case AS5311WEAKERR:           //信号弱
                   case AS5311EVENERR:           //奇偶错误
                       GbDt.Gb.SysAlm = NORMAL;
                       break;
               }
           }
           else
           {   //偶校验失败
                   GbDt.Gb.SysAlm = AS5311EVENERR;
           }
       }
   }
}

void checkCounter(void)
{
   int32_t temp;
   float Buf;
   GlPara.Curpole = AS5311Dt.detail.AbsCode/1366;   //[0,1366) 0;[1366,2732) 1;[2732,4095] 2

if (GlPara.Lastpole == 2 && GlPara.Curpole == 0)
{
GlPara.SSIcount++;
}

if (GlPara.Lastpole == 0 && GlPara.Curpole == 2)
   {
    GlPara.SSIcount--;
}
//lastEncoderVal = encoderVal;
GlPara.Lastpole = GlPara.Curpole;
   //转换为nm
   temp = AS5311Dt.detail.AbsCode;
   temp = 200000*(temp - GlPara.ZeroCode)/4096;
   temp += GlPara.SSIcount * 200000;
   GlPara.SSICurPos = temp;       //单位10nm=0.01um
//   Buf = GlPara.SSICurPos;
//   Buf = Buf * SSIPOS_TO_TPLS;
//   GbDt.Gb.CrrntPstn[OPTMTR] = Buf;
}

void Init_Zero(void)
{
   AS5311_AnalyzeSSICode();
   GlPara.Lastpole = 1;
   GlPara.ZeroCode = AS5311Dt.detail.AbsCode;
   //checkCounter();
   GlPara.SSIcount = 0;
}

注意不用SSI模式时，CSN下降沿时CLK要处于高电平状态，否则AB正交脉冲不对。这样可能出现干扰导致磁栅尺错误，从而可以做个这样的时序，就算出现干扰好也能恢复。

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